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1 зона насыщения
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2 область насыщения
n1) eng. Naßdampfgebiet2) electr. Sättigungsbereich, Sättigungsgebiet, Sättigungszone, Übersteuerungsbereich (биполярного транзистора)3) microel. Einschnürbereich (рабочих характеристик МДП-транзистора), Einschnürgebiet (рабочих характеристик МДП-транзистора), Übersteuerungebereich (биполярного транзистора) -
3 режим насыщения
1. adj1) eng. Sättigungsbereich, Sättigungsbetrieb2) microel. Sättigungszustand, Übersteuerungszustand
2. nmicroel. übersteuerter Zusatzlogik, übersteuerter Zustand -
4 область насыщения
( рабочих характеристик МДП-транзистора) Einschnürbereich физ., Sättigungsbereich, Sättigungsgebiet, ( биполярного транзистора) Übersteuerungsbereich -
5 зона
зона ж. выч. Abschnitt m; Bereich m; Bezirk m; Fläche f; Gebiet n; Gürtel m; Raum m; Region f; выч. Satz m; крист. Zone fзона ж., обслуживаемая радиостанцией Versorgungsbereich mзона ж. затишья Doldrum n; Kalmengürtel m; Mallungen f pl; метео. Windstillengürtel m; äquatoriale Stillen f plзона ж. молчания рад. Schweigegebiet n; рад. Schweigezone f; рад. Totraum m; рад. Totzone f; Zone f des Schweigens; рад. tote Zone fзона ж. нечувствительности рег. Regelunempfindlichkeit f; рег. Totraum m; рег. Totzone f; Unempfindlichkeitsbereich m; Unempfindlichkeitszone f; neutrale Zone fзона ж. сжатия Druckzone f; Kompressionsphase f; Kompressionszone f; горн. Pressionszone f; яд. Überdruckphase fзона ж. сжатия ядерного взрыва Druckzone f; Kompressionsphase f; Kompressionszone f; горн. Pressionszone f; яд. Überdruckphase f -
6 область
i- область ж. Eigenleitungsgebiet n; i-Bereich m; i-Gebiet nn- область ж. Elektronengebiet n; n-Bereich m; n-Gebiet n; n-leitende Zone fp- область ж. Löchergebiet n; p-Bereich m; p-Gebiet n; p-leitende Zone fобласть ж. высокого давления метео. Antizyklone f; метео. Hoch n; Hochdruckbereich m; Hochdruckgebiet nобласть ж. низкого давления Niederdruckbereich m; Niederdruckgebiet n; метео. Tief n; Tiefdruckgebiet nобласть ж. пластичности Plastizitätsbereich m; Plastizitätsgebiet n; физ. plastischer Bereich m; unelastischer Bereich mобласть ж. применения Anwendungsbereich m; Anwendungsgebiet n; Einsatzbereich m; Verwendungsbereich mобласть ж. пропорционального усиления счётчика яд. proportionaler Verstärkungsbereich m des Zählrohrsобласть ж. пропорциональности мат. Intervall m der Proportionalität; яд. Proportionalbereich m; автом. Proportionalitätsbereich mобласть ж. с дырочной проводимостью p-Bereich m; p-Gebiet n; p-leitende Zone f; Löchergebiet n; элн. p-leitende Zone fобласть ж. с электронной проводимостью n-Bereich m; n-Gebiet n; n-leitende Zone f; Elektronengebiet nобласть ж. самопроизвольной намагниченности Elementarbezirke m pl; Weißsche Bereiche m pl; Weißsche Bezirke m plобласть ж. слышимости Hörbarkeitsgebiet n; Hörbarkeitszone f; Hörbereich m; Hörfläche f; hörbarer Frequenzbereich mобласть ж. слышимых звуков Hörbarkeitsgebiet n; Hörbarkeitszone f; Hörbereich m; Hörfläche f; hörbarer Frequenzbereich mобласть ж. электронной электропроводимости n-Bereich m; n-Gebiet n; n-leitende Zone f; Elektronengebiet n
См. также в других словарях:
Sättigungsbereich — soties sritis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. saturation area; saturation region vok. Sättigungsabschnitt, m; Sättigungsbereich, m; Sättigungsgebiet, n rus. область насыщения, f; участок насыщения, m pranc. région de saturation,… … Automatikos terminų žodynas
Bipolartransistor — Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor… … Deutsch Wikipedia
BJT — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Bipolar Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Bipoltransistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
NPN-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
PNP-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Transistoreffekt — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Übersteuerungsbereich — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Beschränktes Wachstum — Als Wachstum bezeichnet man den zeitlichen Anstieg einer bestimmten Messgröße. Es kann daher als mathematische Ableitung einer Funktion aufgefasst werden, die zu jedem Zeitpunkt einen bestimmten Wert der Messgröße zuordnet. Das Gegenteil von… … Deutsch Wikipedia
