-
1 Speicherzeit
-
2 Speicherzeit
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Speicherzeit
-
3 Speicherzeit
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Speicherzeit
-
4 Speicherzeit
сущ.1) комп. цикл обращения к памяти, время сохранения (в памяти; данных), период сохранения (в памяти; данных)2) воен. время накопления (информации), время хранения (информации)3) тех. время запоминания4) радио. время хранения информации5) электр. время аккумулирования, время накопления (заряда), время накопления, время хранения накопленных зарядов, время хранения (напр. информации)6) выч. период хранения (в памяти; данных)7) микроэл. время рассасывания, время рассасывания носителей заряда, время собирания, время запаздывания обратного напряжения (диода, тиристора)8) ркт. допустимое время нахождения ступени (с низкокипящими компонентами) в заправленном состоянии (на Земле или на орбите ожидания)9) автом. время хранения накопленных сигналов -
5 Speicherzeit
f <av> (bei Sichtspeicherröhren) ■ holding timef < edv> ■ storage time; retention timef < hlk> ■ heating period -
6 Speicherzeit
(f)время накопления, время хранения накопленных сигналов, время аккумулированияDeutsch-Russische Wörterbuch der Automatisierung und Fernsteuerung > Speicherzeit
-
7 Speicherzeit
f1) см. Speicherungszeit2) ракетн. допустимое время нахождения ступени ( с низкокипящими компонентами) в заправленном состоянии ( на Земле или на орбите ожидания)3) время хранения, время накопления -
8 Speicherzeit
(Halbleiter) f.semiconductor storage time n. -
9 Speicherzeit
f́время хранения (накопления) (информации); ( ракетная техника) допустимое время нахождения ступени (с низкокипящими компонентами) в заправленном состоянии -
10 Speicherzeit
(f)время хранения ( накопления) (информации); ркт. допустимое время нахождения ступени ( с низкокипящими компонентами) в заправленном состоянии -
11 Speicherzeit
f время с. накопления; время с. хранения (данных в памяти) выч.; допустимое время с. нахождения ступени (с низкокипящими компонентами) в заправленном состоянии (на Земле или на орбите ожидания) ракет.Neue große deutsch-russische Wörterbuch Polytechnic > Speicherzeit
-
12 Speicherzeit
f COMP retention cycle, ELEKTRON [des Halbleiters,] ELEKTROTECH [Transistor] carrier storage time -
13 Speicherzeit
f[Halbleiter]carrier storage time -
14 Elektronenstrahlröhre mit langer Speicherzeit
Универсальный немецко-русский словарь > Elektronenstrahlröhre mit langer Speicherzeit
-
15 время рассасывания для биполярного транзистора
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время рассасывания для биполярного транзистора
-
16 время накопления
n1) milit. Speicherzeit (информации)2) eng. Integrationszeit, Speicherungszeit3) radio. Speicherdauer4) electr. Speicherzeit (заряда), Speicherzeit5) atom. Akkumulationszeit -
17 время
время с., затраченное на разгрузку в порту Hafenlöschzeit fвремя с. включения ED f; Einschaltdauer f; Einschaltverzug m; Einschaltverzögerungszeit f; Einschaltzeit f; relative ED f; relative Einschaltdauer f; relative Einschaltzeit fвремя с. восстановления Ausschaltzeit f; вак. Entionisierungszeit f; яд. Erholungszeit f; Erholzeit f; Freiwerdezeit f; Regenerationszeit f; Rücksetzzeit f; Wiederherstellungszeit fвремя с. восстановления управляемости Ausschaltzeit f; яд. Erholungszeit f; Erholzeit f; Freiwerdezeit fвремя с. выборки информации выч. Informationsauslesezeit f; Informationsauswahlzeit f; Informationszugriffszeit fвремя с. выдержки Haltedauer f; мет. Haltezeit f; эл. Schaltverzug m; Verweilzeit f; Verzögerungszeit f; Zeitverzögerung fвремя с. задержки рег. Laufzeit f; Nacheilzeit f; автом. Verzugszeit f; Verzögerungsintervall n; выч. Verzögerungszeit fвремя с. замыкания прессформы на стаканчик м. (при определении текучести по стаканчику) пласт. Becherfließzeit fвремя с. запаздывания Nacheilungszeit f; Nacheilzeit f; автом.,рег. Totzeit f; Verzug m; Verzugszeit f; Verzögerung f; Verzögerungszeit fвремя с. простоя Ausfallzeit f; Leerlaufzeit f; Liegezeit f; Standzeit f; Stillstandszeit f; Stillstandzeit f; Totzeit fвремя с. прохождения Durchgangszeit f; выч. Durchlaufzeit f; Laufzeit f; астр. Passagezeit f; Verweilzeit fвремя с. пуска Anfahrdauer f; Anfahrzeit f; Anlaufdauer f; Anlaufzeit f; Anlaßdauer f; Anlaßzeit f; Startzeit fвремя с. разгона Anfahrdauer f; Anfahrzeit f; выч. Anlaufzeit f; Beschleunigungszeit f; Hochlaufzeit fвремя с. с момента снятия ноги с педали акселератора до полного нажатия на тормозную педаль ж. авто. Bremsbetätigungszeit fвремя с. срабатывания реле Ablaufzeit f; Ansprecheigenzeit f; Ansprechverzug m; Kommandozeit f; Relaisansprechzeit f; Relaislaufzeit f; Relaiszeitablauf m -
18 время хранения
n1) comput. Speicherungszeitraum (в памяти; данных)2) milit. Speicherzeit (информации)3) eng. Liegezeit (на складе), Speicherdauer, Speicherungszeit4) construct. Lagerzeit (на складе)5) econ. Lagerdauer (на складе), Lagerungszeit (на складе)6) electr. Speicherzeit (напр. информации)7) cool. Gefrierlagerzeit8) microel. Lagerungsdauer, Haltezeit9) cinema.equip. Lagerzeit (напр., кинофотоматериала) -
19 retard à la décroissance
время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
tзд.выкл
td(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la décroissance
-
20 время рассасывания для биполярного транзистора
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время рассасывания для биполярного транзистора
См. также в других словарях:
Speicherzeit — Speicherzeit, Schaltzeit beim bipolaren Transistor; die Zeit, die beim Sperren vergeht, bis der Kollektorstrom 90 % seines Maximalwerts erreicht. Die Speicherzeit wird vom Übersteuerungsfaktor beeinflusst und trägt bei Digitalschaltungen… … Universal-Lexikon
Speicherzeit — laikymo trukmė statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. retention time; storage lifetime; storage time vok. Speicherdauer, f; Speicherungszeit, f; Speicherzeit, f rus. время хранения, n pranc. durée de conservation, f … Fizikos terminų žodynas
DDNS — DynDNS oder DDNS (dynamischer Domain Name System Eintrag) ist ein System, das in Echtzeit Domain Name Einträge aktualisieren kann. Mit dem Begriff können mehrere Netzwerkdienste gemeint sein: einerseits ein DNS Host Dienst, der nach RFC 2845… … Deutsch Wikipedia
Dyn-dns — DynDNS oder DDNS (dynamischer Domain Name System Eintrag) ist ein System, das in Echtzeit Domain Name Einträge aktualisieren kann. Mit dem Begriff können mehrere Netzwerkdienste gemeint sein: einerseits ein DNS Host Dienst, der nach RFC 2845… … Deutsch Wikipedia
DynDNS — oder DDNS (dynamischer Domain Name System Eintrag) ist ein System, das in Echtzeit Domain Name Einträge aktualisieren kann. Mit dem Begriff können mehrere Netzwerkdienste gemeint sein: einerseits ein DNS Dienst, der einen… … Deutsch Wikipedia
Dynamic DNS — DynDNS oder DDNS (dynamischer Domain Name System Eintrag) ist ein System, das in Echtzeit Domain Name Einträge aktualisieren kann. Mit dem Begriff können mehrere Netzwerkdienste gemeint sein: einerseits ein DNS Host Dienst, der nach RFC 2845… … Deutsch Wikipedia
Dyndns — oder DDNS (dynamischer Domain Name System Eintrag) ist ein System, das in Echtzeit Domain Name Einträge aktualisieren kann. Mit dem Begriff können mehrere Netzwerkdienste gemeint sein: einerseits ein DNS Host Dienst, der nach RFC 2845 arbeitet… … Deutsch Wikipedia
Achim Wixforth — (* 26. Mai 1956 in Bielefeld) ist ein deutscher Physiker. Inhaltsverzeichnis 1 Leben 2 Auszeichnungen 3 Rezeption 4 Weblinks … Deutsch Wikipedia
Drain — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… … Deutsch Wikipedia
Elektronenstrahloszillograf — Ein Oszilloskop ist ein elektronisches Messgerät zur optischen Darstellung einer oder mehrerer Spannungen in einem zweidimensionalen Koordinatensystem. Das Oszilloskop stellt einen Verlaufsgraphen auf einem Bildschirm dar, wobei üblicherweise die … Deutsch Wikipedia
Elektronenstrahloszillograph — Ein Oszilloskop ist ein elektronisches Messgerät zur optischen Darstellung einer oder mehrerer Spannungen in einem zweidimensionalen Koordinatensystem. Das Oszilloskop stellt einen Verlaufsgraphen auf einem Bildschirm dar, wobei üblicherweise die … Deutsch Wikipedia