-
41 схема
схема Aufbau m; Bild n; Diagramm n; Konzept n; Konzeption f; эл. Netzwerk n; Plan m; эл. Schaltbild n; Schaltkreis m; эл.,эл. элн. Schaltung f; Schaltungsanordnung f; Schema n; Skizze f; Struktur f; schematische Darstellung f; Übersicht fсхема ж., работающая в режимах лавинного пробоя элн. Lawinenschaltung fсхема ж. блокировки Blockschaltung f; Halteschaltung f; рег. Sperrschaltung f; эл. Verblockungsschaltung f; эл. Verhinderungsschaltung f; Verriegelungsschaltung fсхема ж. деформации Spannungszustand m der Verformung; Spannungszustandsdiagramm n der Verformung; Spannungszustandsschaubild n der Verformungсхема ж. замещения эл. Ersatzschaltbild n; Ersatzschaltplan m; эл. Ersatzschaltschema n; эл. Ersatzschaltung fсхема ж. ЗУ с. выч. Speicherschaltung fсхема ж. И лог. выч. Koinzidenztor n; UND-Schaltung fсхема ж. " ИЛИ" выч. Alternativschaltung f; лог. ODER-Gatter n; лог. ODER-Glied n; лог. ODER-Schaltung f; выч. Parallelverknüpfung fсхема ж. Колпитца (трёхточечная схема генератора с ёмкостной обратной связью) рад. Colpitts-Schaltung fсхема ж. памяти с произвольной выборкой выч. RAM-Schaltung f; выч. Schaltung f des Speichers mit wahlfreiem Zugriffсхема ж. ПЗУ с. выч. Festspeicherschaltung f; выч. Nur-Lese-Speicher-Schaltung f; выч. ROM-Schaltung fсхема ж. с двумя устойчивыми состояниями Flip-Flop-Schaltung f; Triggerschaltung f; bistabile Kippschaltung f; bistabile Schaltung fсхема ж. с заземлённой базой BS; элн. Basisgrundschaltung f; элн. Basisschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdeter Basisсхема ж. с общей базой BS; элн. Basisgrundschaltung f; элн. Basisschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdeter Basisсхема ж. с общим катодом рад. Gitterkathodenbasisschaltung f; KB-Schaltung f; KBS; Kathodenbasisschaltung f; Katodenbasisschaltung fсхема ж. с общим коллектором KS; Kollektorschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdetem Kollektorсхема ж. с общим основанием BS; Basisgrundschaltung f; Basisschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdeter Basisсхема ж. с общим эмиттером ES; Emittebasisschaltung f; Emittergrundschaltung f; Emitterschaltung f; Emitteschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdetem Emitterсхема ж. с фотоэлементом, срабатывающая при прекращении его облучения эл. Dunkelschaltung fсхема ж. Скотта (для преобразования двухфазной системы в трёхфазную или наоборот) эл. Scottsche Schaltung fсхема ж. соединений эл. Anschlußanordnung f; эл. Anschlußbild n; эл. Anschlußplan m; Bauschaltplan m; Geräteschaltplan m; Schaltbild n; выч. Schaltplan m; выч. Schaltschema n; Verbindungsschaltung f; Verdrahtungsplan m; Verdrahtungsschaltbild nсхема ж. электрических соединений Schaltbild n; Schaltplan m; Schaltschema n; Schaltungsschema n; Stromlaufschaltplan mсхема ж. энергетических уровней Energieniveaudiagramm n; Energieschema n; Niveauschema n; яд. Termschema n -
42 фотоэффект
фотоэффект м. Fotoeffekt m; fotoelektrischer Effekt m; lichtelektrischer Effekt mфотоэффект м. в запирающем слое Foto-Volta-Effekt m; Fotospannungseffekt m; Sperrschichteffekt m; Sperrschichtfotoeffekt mфотоэффект м. в запорном слое Foto-Volta-Effekt m; Fotospannungseffekt m; Sperrschichteffekt m; Sperrschichtfotoeffekt mфотоэффект м. запирающего слоя Foto-Volta-Effekt m; Fotospannungseffekt m; Sperrschichteffekt m; Sperrschichtfotoeffekt mфотоэффект м. запорного слоя Foto-Volta-Effekt m; Fotospannungseffekt m; Sperrschichteffekt m; Sperrschichtfotoeffekt mБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > фотоэффект
-
43 центр
центр м. автоматизированного управления движением поездов (железные дороги ФРГ) Betriebssteuerstelle f; BSZцентр м. активирования Störstelle f; Störstellenzentrum n; Störzentrum n; Zentrum n mit Verunreinigungenцентр м. величины мор. Auftriebsmittelpunkt m; мор. Auftriebsschwerpunkt m; мор. Auftriebszentrum n; суд. Deplacementsschwerpunkt m; суд. Formschwerpunkt m; суд. Verdrängungsschwerpunkt mцентр м. давления ав. Angriffsmittelpunkt m; Auftriebsmittelpunkt m; Auftriebsschwerpunkt m; Auftriebszentrum n; аэрод. Druckmittelpunkt m; Druckpunkt mцентр м. кристалла Impfkristall m; Keim m; Kristallisationskeim m; Kristallisationskern m; Kristallisationszentrum n; Kristallkeim m; Kristallkern mцентр м. кристаллизации Impfkeim m; Impfkristall m; Impfstoff m; Keim m; Keimkristall m; Keimling m; Kern m; Kristallisationskeim m; Kristallisationskern m; Kristallisationsmittelpunkt m; Kristallisationszentrum n; Kristallkeim m; Kristallkern mцентр м. области низкого давления метео. Tiefdruckkern m; Tiefdruckschwerpunkt m; Tiefdruckzentrum nцентр м. парусности Schwerpunkt m der Windangriffsfläche; Segelpunkt m; Segelschwerpunkt m; Seitenflächenschwerpunkt m; суд. Winddruckschwerpunkt mцентр м. плавучести суд. Formschwerpunkt m; Schwerpunkt m der Windangriffsfläche; Segelschwerpunkt m; Seitenflächenschwerpunkt m; суд. Winddruckschwerpunkt mцентр м. рекомбинации Haftstelle f; яд. Rekombinationsstelle f; Rekombinationszentrum n; Trapniveau nцентр м. рекристаллизации Rekristallisationskeim m; Rekristallisationskern m; крист. Rekristallisationszentrum nцентр м. тяжести Gewichtsschwerpunkt m; Massenmittelpunkt m; Massenschwerpunkt m; Schwenkpunkt m; мех. Schwerpunkt mцентр м. тяжести площади ватерлинии Schwerpunkt m der Wasserlinienfläche; суд. Wasserlinienschwerpunkt m -
44 термоэлектрические явления
явления с мн, термоэлектрические физические явления, обусловленные тепловыми и электрическими процессами в проводниках и полупроводникахErscheinungen f pl, thermoelektrischeРусско-немецкий словарь по энергетике > термоэлектрические явления
-
45 полупроводниковое термоэлектрическое устройство
полупроводниковое термоэлектрическое устройство
термоэлектрическое устройство
Устройство, действие которого основано на использовании термоэлектрических эффектов Пельтье или Зеебека в полупроводниках, предназначенное для получения теплоты или холода с использованием электрической энергии или получения электрической энергии с использованием тепловой.
[ ГОСТ 18577-80]
Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > полупроводниковое термоэлектрическое устройство
См. также в других словарях:
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN reverse recovery time … Справочник технического переводчика
рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… … Энциклопедический словарь по металлургии
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ — (АЭВ), вз ствие УЗ волн (с частотой =107 1013 Гц) с эл нами проводимости в металлах и ПП; обусловлено изменением внутрикристаллического поля, при деформации решётки кристалла под действием распространяющейся УЗ волны. АЭВ явл. частным случаем… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия