-
21 осциллистор
-
22 переходный слой
adj1) geol. Übergangsschicht2) eng. Pufferschicht (при наплавке твёрдого металла), Ubergangsschicht3) astr. Übergangsschicht (напр. от хромосферы к короне)4) radio. Obergangsschicht5) electr. Inversionsschicht (в полупроводниках)6) microel. Übergangszone -
23 подобнополярный
adjelectr. homöopolar (напр. о связи в полупроводниках) -
24 примесной
adjelectr. dotiert (о полупроводниках) -
25 примесь
n1) gener. Alligation, Beimengung Beimischung, Beimengung, Beimischung, Einschuß2) geol. Begleitstoff, Beimenge, Einmischung, Fremdkörper, Fremdstoff, Zufügung, Zusatz, Zuschlag, Zutat3) Av. (посторонняя) Fremdsubstanz4) eng. Begleiter, Dopand, Dope, Dopmittel, Dotierungsstoff, Fremdbestandteil, Fremdstörstelle, Ingrediens, Ingredienz, Nebenbestandteil, Spurenkomponente, Störstellensubstanz, Zusatzstoff5) gram. Beisatz6) chem. Begleitelement7) construct. Verunreinigungsstoff, Zumischstoff, Zusatzmittel, Zumischung9) road.wrk. Zuschlagsmaterial, Zusetzen10) forestr. Streckmittel (к раствору клея)11) polygr. Störstoff12) textile. Verschnittsmittel13) electr. (легирующая) Dotierung, Fremdbeimengung, Störstelle (в полупроводниках), Verunreinigung, Verunreinigungssubstanz14) oil. Fremdkörper (напр., в смазочном масле), Fremdkörper (напр., в смазочном масле), Fremdkörper (напр. в смазочном масле), Fremdsubstanz (напр., в смазочном масле), Unreinigkeit15) food.ind. Verschmutzung16) microel. Fremdbeimischung, Dotierung, Störstelle17) aerodyn. Fremdsubstanz18) shipb. Ansatz, Beimischen, Gehalt, Zusatzmaterial19) cem. Einschluss -
26 прямое направление
adj1) gener. Richte2) eng. direkte Richtung3) auto. Flußrichtung (диода), Vorwärtsrichtung4) radio. Durchlaßrichtung (тока через выпрямитель)5) electr. Durchflussrichtung (в полупроводниковых приборах с p-n-переходом), Durchflußrichtung, Durchlassrichtung (в полупроводниковых приборах с p-n-переходом), Flussrichtung (в полупроводниковых приборах с p-n-переходом), Vorwärtsrichtung (в полупроводниках), Flußrichtung, Durchlaßrichtung -
27 распределение примесей
n1) eng. Dotierung2) radio. Dotieren3) electr. Störstellenverteilung (в полупроводниках)4) microel. Dotierungsverteilung, Fremdstoffverteilung, (концентрации) StörstellenverteilungУниверсальный русско-немецкий словарь > распределение примесей
-
28 электропроводность n-типа
n1) electr. Überschussleitung (в полупроводниках)2) microel. n-Leitfahigkeit, n-Leitfähigkeit, n-LeitungУниверсальный русско-немецкий словарь > электропроводность n-типа
-
29 эффект переключения
n1) brit.engl. spill-over-Effekt (чаще всего подразумеваются позитивные и негативные последствия действий, касающиеся третьих, непосредственно не связанных с этими действиями лиц)2) microel. Schalteffekt (в полупроводниках) -
30 дырка
( носитель положительного заряда в полупроводниках) Defektelektron, Fehlstelle, Lücke, Leitungsdefektelektron, Leitungsloch, Leerstelle, Loch электрон., Mangelelektron -
31 осциллистор
( новый тип генератора на полупроводниках) Oszillistor -
32 примесь
Begleitstoff, Beimischung, Dope, Fremdbeimengung электрон., Fremdbestandteil, Fremdstoff, Nebenbestandteil, ( в полупроводниках) Störstelle, Verunreinigung -
33 прямое направление
( в полупроводниковых приборах с p-n-переходом) Flußrichtung, ( в полупроводниках) Vorwärtsrichtung -
34 Halbleiter
m полупроводник; in Zssgn полупроводниковый,... на полупроводниках -
35 вариант
вариант м. Abwandlung f; Abweichung f; Alternative f; Option f; Unterscheidung f; Variante f; Version fвариант м. схемы, выполненный на полупроводниках Halbleiterausführung f -
36 запирающее направление
Большой русско-немецкий полетехнический словарь > запирающее направление
-
37 лазер
лазер м. L-Generator m; Laser m; Lichtverstärker m; Quantengenerator m; Quantenverstärker m; optischer Maser m; optischer Molekularverstärker mлазер м. на вольфрамате кальция с присадкой трёхвалентного неодима Kalziumwolframatlaser m mit dreiwertigem Neodymzusatzлазер м. непрерывного излучения kontinuierlich arbeitender Laser m; kontinuierlich strahlender Laser m -
38 осциллистор
Большой русско-немецкий полетехнический словарь > осциллистор
-
39 приёмник
приёмник м. Ablagefach n; эн. Abnehmer m; Abnehmeranlage f; Auffanggefäß n; Auffanggerät n; Auffänger m; Aufnahmebehälter m; Aufnahmegefäß n; Empfangsapparat m; Empfangsgerät n; Empfänger m; Funkempfangsgerät n; Funkempfänger m; Gefäß n; Radio n; Radiogerät n; Receiver m; киб. Rezeptor m; Rezipient m; Rundfunkempfänger m; Rundfunkgerät n; Sammeltopf m; Saugstutzen m; Trichter m; лит. Tüte f; мет. Vorherd m; Vorlage f; Übernahmestutzen mприёмник м. (напр., эхолота) Echoempfänger mприёмник м. AM AM-Empfänger mприёмник м. АМ AM-Empfänger mприёмник м. воздушного давления, ПВД ав. Druckmeßrohr n; Hakenrohr n; Luftansaugemeter n; Prandtl-Rohr n; Staudruckdüse f; Staudruckmesser m; Staugerät n; Staugerät n nach Prandtl; Staurohr n; Staurohr n nach Prandtlприёмник м. давления ак. Druckempfänger m; Schalldruckempfänger m; Schallwechseldruckempfänger m; Strömungssonde fприёмник м. давления звука ак. Druckempfänger m; Schalldruckempfänger m; Schallwechseldruckempfänger mприёмник м. инфракрасного излучения IR-Empfänger m; Infrarotempfänger m; Infrarotstrahlungsempfänger mприёмник м. ультрафиолетового излучения UV-Empfänger m; UV-Strahlungsempfänger m; Ultraviolettempfänger m; Ultraviolettstrahlungsempfänger m -
40 пробой
пробой м. эл. Durchbruchentladung f; эл. Durchschlag m; Krampe f; эл. Überschlag m; эл. Überschlagen n
См. также в других словарях:
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN reverse recovery time … Справочник технического переводчика
рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… … Энциклопедический словарь по металлургии
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ — (АЭВ), вз ствие УЗ волн (с частотой =107 1013 Гц) с эл нами проводимости в металлах и ПП; обусловлено изменением внутрикристаллического поля, при деформации решётки кристалла под действием распространяющейся УЗ волны. АЭВ явл. частным случаем… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия