-
21 характеристика усиления базового тока
nmicroel. Stromsteuerkennlinie (биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером), Stromübertragungskennlinie (в схеме с общим эмиттером)Универсальный русско-немецкий словарь > характеристика усиления базового тока
-
22 граничная частота коэффициента передачи тока
граничная частота коэффициента передачи тока
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.
Обозначение
fгр
ft
Примечание
Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
30. Граничная частота коэффициента передачи тока
D. Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)
E. Transition frequency
F. Fréquence de transition
fгр
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.
Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > граничная частота коэффициента передачи тока
-
23 модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте.
Обозначение
│h21э│
│h21e│
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
D. Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF
E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Module du rapport de transfert direct du courant
|h21э|
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
-
24 схема
схема Aufbau m; Bild n; Diagramm n; Konzept n; Konzeption f; эл. Netzwerk n; Plan m; эл. Schaltbild n; Schaltkreis m; эл.,эл. элн. Schaltung f; Schaltungsanordnung f; Schema n; Skizze f; Struktur f; schematische Darstellung f; Übersicht fсхема ж., работающая в режимах лавинного пробоя элн. Lawinenschaltung fсхема ж. блокировки Blockschaltung f; Halteschaltung f; рег. Sperrschaltung f; эл. Verblockungsschaltung f; эл. Verhinderungsschaltung f; Verriegelungsschaltung fсхема ж. деформации Spannungszustand m der Verformung; Spannungszustandsdiagramm n der Verformung; Spannungszustandsschaubild n der Verformungсхема ж. замещения эл. Ersatzschaltbild n; Ersatzschaltplan m; эл. Ersatzschaltschema n; эл. Ersatzschaltung fсхема ж. ЗУ с. выч. Speicherschaltung fсхема ж. И лог. выч. Koinzidenztor n; UND-Schaltung fсхема ж. " ИЛИ" выч. Alternativschaltung f; лог. ODER-Gatter n; лог. ODER-Glied n; лог. ODER-Schaltung f; выч. Parallelverknüpfung fсхема ж. Колпитца (трёхточечная схема генератора с ёмкостной обратной связью) рад. Colpitts-Schaltung fсхема ж. памяти с произвольной выборкой выч. RAM-Schaltung f; выч. Schaltung f des Speichers mit wahlfreiem Zugriffсхема ж. ПЗУ с. выч. Festspeicherschaltung f; выч. Nur-Lese-Speicher-Schaltung f; выч. ROM-Schaltung fсхема ж. с двумя устойчивыми состояниями Flip-Flop-Schaltung f; Triggerschaltung f; bistabile Kippschaltung f; bistabile Schaltung fсхема ж. с заземлённой базой BS; элн. Basisgrundschaltung f; элн. Basisschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdeter Basisсхема ж. с общей базой BS; элн. Basisgrundschaltung f; элн. Basisschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdeter Basisсхема ж. с общим катодом рад. Gitterkathodenbasisschaltung f; KB-Schaltung f; KBS; Kathodenbasisschaltung f; Katodenbasisschaltung fсхема ж. с общим коллектором KS; Kollektorschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdetem Kollektorсхема ж. с общим основанием BS; Basisgrundschaltung f; Basisschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdeter Basisсхема ж. с общим эмиттером ES; Emittebasisschaltung f; Emittergrundschaltung f; Emitterschaltung f; Emitteschaltung f; Transistorschaltung f mit geerdetem Emitterсхема ж. с фотоэлементом, срабатывающая при прекращении его облучения эл. Dunkelschaltung fсхема ж. Скотта (для преобразования двухфазной системы в трёхфазную или наоборот) эл. Scottsche Schaltung fсхема ж. соединений эл. Anschlußanordnung f; эл. Anschlußbild n; эл. Anschlußplan m; Bauschaltplan m; Geräteschaltplan m; Schaltbild n; выч. Schaltplan m; выч. Schaltschema n; Verbindungsschaltung f; Verdrahtungsplan m; Verdrahtungsschaltbild nсхема ж. электрических соединений Schaltbild n; Schaltplan m; Schaltschema n; Schaltungsschema n; Stromlaufschaltplan mсхема ж. энергетических уровней Energieniveaudiagramm n; Energieschema n; Niveauschema n; яд. Termschema n -
25 угловая характеристика чувствительности ФЭПП
угловая характеристика чувствительности ФЭПП
Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента.
Обозначение
S(θ)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП
D. Empfindlichkeitswinkelverteilung
E. Responsivity directional distribution
F. Distribution directionnelle de la réponse
* На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
** Термины 64 - 74 могут употребляться в различных комбинациях. Например, вольтовая интегральная чувствительность Sи и т (комбинация терминов 69 и 70), вольтовая монохроматическая чувствительность Suλ(комбинация терминов 69 и 71), токовая чувствительность к освещенности SIEи токовая чувствительность к световому потоку SuФ (комбинация терминов 68 с 65 и 67).
Буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации.
В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.
*** Верхний индекс «э», «б», «к» в пп. 102 - 125 указывает на схему включения фототранзистора соответственно с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором.
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > угловая характеристика чувствительности ФЭПП
-
26 входной включающий ток
Универсальный русско-немецкий словарь > входной включающий ток
-
27 статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер коллектор от напряжения базы
Универсальный русско-немецкий словарь > статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер коллектор от напряжения базы
-
28 статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер-коллектор от напряжения базы
Универсальный русско-немецкий словарь > статическая характеристика зависимости напряжения на диоде эмиттер-коллектор от напряжения базы
-
29 управление по цепи базы
Универсальный русско-немецкий словарь > управление по цепи базы
-
30 бета-граничная частота
( граничная частота транзистора в схеме с общим эмиттером) Beta-GrenzfrequenzRussian-german polytechnic dictionary > бета-граничная частота
-
31 бета-граничная частота
Большой русско-немецкий полетехнический словарь > бета-граничная частота
-
32 входная емкость биполярного транзистора
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > входная емкость биполярного транзистора
-
33 входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y11
y11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit input admittance
F. Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
y*11
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
34 входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.
Обозначение
h11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
35 выходная емкость биполярного транзистора
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > выходная емкость биполярного транзистора
-
36 выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
- Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
1. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току.
Обозначение
h22
2. Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
- 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
DE
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
FR
- 1. valeur de l'admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux
- 2. valeur de l'admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit output admittance
F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*22
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
37 емкость обратной связи биполярного транзистора
емкость обратной связи биполярного транзистора
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора
D. Rückwirkungskapazität
E. Feedback capacitance
F. Capacité de couplage à réaction
С*12
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость обратной связи биполярного транзистора
-
38 коэффициент обратной передачи напряжения
коэффициент обратной передачи напряжения
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
47. Коэффициент обратной передачи напряжения
D. Spannungsübertragungsfaktor rückwärts
S*12
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент обратной передачи напряжения
-
39 коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току.
Обозначение
h12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalspannungsrückwirkung
E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
h*12
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
40 коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
D. Eingangsreflexionsfaktor
S*11
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора
См. также в других словарях:
Каскад с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора (Схема с заземленным эмиттером) При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) входной … Википедия
Биполярный транзистор с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером входной сигнал подаётся на базу, а снимается с коллектора. При этом фаза выходного сигнала отличается от… … Википедия
Усилительный каскад с общим эмиттером — Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером входной сигнал подаётся на базу, а снимается с коллектора. При этом фаза выходного сигнала отличается от… … Википедия
входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала — Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор эмиттер в схеме с общим эмиттером. Обозначение h11Э h11E [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN static value of the… … Справочник технического переводчика
Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала — 19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала E. Static value of the input resistance F. Valeur statique de la résistance d’entrée h11Э Отношение напряжения на входе транзистора к входному… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
включение транзистора по схеме с общим эмиттером — bendraemiteris tranzistoriaus jungimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. common emitter connection vok. Emittergrundschaltung, f; Emitterschaltung, f rus. включение транзистора по схеме с общим эмиттером, n pranc. connexion de… … Automatikos terminų žodynas
коэффициент усиления транзистора по постоянному току в схеме с общим эмиттером — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės nuolatinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter direct current gain vok. Gleichstromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter current gain vok. Stromverstärkungsfaktor eines Bipolartransistors in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
инверсный коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером — apgrąžinis bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inverse grounded emitter current gain vok. inverser Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
уменьшение коэффициента усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficiento mažėjimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter current gain degradation vok. ß Abnahme, f rus. уменьшение коэффициента усиления транзистора по … Radioelektronikos terminų žodynas
коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN collector to base current gaincommon emitter current gain … Справочник технического переводчика