-
1 емкость p-n-перехода
Russian-german polytechnic dictionary > емкость p-n-перехода
-
2 емкость перехода диода
емкость перехода диода
Спер, Сj
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание
В случае, когда диод имеет p-j-n структуру, допускается использовать термин "емкость структуры" и буквенное обозначение "Сстр ".
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Sperrschichtkapazität der Diode
E. Junction capacitance
F. Capacité de jonction
Cпер
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «Cстр»
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость перехода диода
-
3 барьерная ёмкость
adj1) eng. Schwellenkapazität2) electr. Grenzschichtkapazität, Randschichtkapazität, Sperrschichtkapazität (p-n-перехода), Sperrschichtkapazität (p-n-перехода), Sperrschichtkapazität3) microel. Raumladungskapazität -
4 интегральный конденсатор
adj1) electr. Sperrschichtkapazität, Sperrschichtkondensator, integrierte Sperrschichtkapazität2) microel. integrierter KondensatorУниверсальный русско-немецкий словарь > интегральный конденсатор
-
5 полупроводниковый конденсатор
adj1) electr. Halbleiterkondensator2) microel. Sperrschichtkondensator, integrierte Sperrschichtkapazität, integrierter Sperrschichtkondensator, pn-Sperrschichtkondensator, SperrschichtkapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > полупроводниковый конденсатор
-
6 полупроводниковый конденсатор
integrierte Sperrschichtkapazität, SperrschichtkapazitätRussian-german polytechnic dictionary > полупроводниковый конденсатор
-
7 ёмкость
ёмкость м. Aufnahmefähigkeit f; Aufnahmevermögen n; Behälter m; Fassungsraum m; Fassungsvermögen n; Gefäß n; Gehalt m; Geräumigkeit f; Inhalt m; свз. Kanalkapazität f; эл. Kapazität f; Kubatur f; Kubikinhalt m; Raum m; Rauminhalt m; выч. Speicherkapazität f; Tank m; Tankbehälter m; Volumen n; elektrische Kapazität fёмкость м. (напр., регистра) выч. Zahlenbereich mёмкость м. аккумулятора Akkumulatorenkapazität f; Batteriekapazität f; Speicherkapazität f; Zellenkapazität fёмкость м. в ампер-часах эл. Kapazität f in Amperestunden; gespeicherte Elektrizitätsmenge f in Amperestundenёмкость м. памяти выч. Rechnerspeicherkapazität f; выч. Speicherkapazität f; выч. Speichervermögen nёмкость м. регистра выч. Registergröße f; выч. Registerkapazität f; выч. Zählbereich m eines Registers -
8 емкость перехода диода
емкость перехода диода
Спер, Сj
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание
В случае, когда диод имеет p-j-n структуру, допускается использовать термин "емкость структуры" и буквенное обозначение "Сстр ".
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Sperrschichtkapazität der Diode
E. Junction capacitance
F. Capacité de jonction
Cпер
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «Cстр»
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > емкость перехода диода
-
9 емкость перехода диода
емкость перехода диода
Спер, Сj
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание
В случае, когда диод имеет p-j-n структуру, допускается использовать термин "емкость структуры" и буквенное обозначение "Сстр ".
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Sperrschichtkapazität der Diode
E. Junction capacitance
F. Capacité de jonction
Cпер
Общая емкость диода без емкости корпуса.
Примечание. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «Cстр»
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > емкость перехода диода
-
10 ёмкость p-n-перехода
nelectr. SperrschichtkapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > ёмкость p-n-перехода
-
11 ёмкость граничного слоя
Универсальный русско-немецкий словарь > ёмкость граничного слоя
-
12 ёмкость запирающего слоя
nelectr. SperrschichtkapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > ёмкость запирающего слоя
-
13 ёмкость перехода
n1) electr. Übergangskapazität2) microel. Kapazitat des pn-Ubergangs, Kapazität des pn-Übergangs, Sperrschichtkapazität (напр. туннельного диода) -
14 барьерная ёмкость между каналом и подложкой
adjmicroel. Kanal-Substrat-SperrschichtkapazitatУниверсальный русско-немецкий словарь > барьерная ёмкость между каналом и подложкой
-
15 диффузионный конденсатор
adj1) eng. Diffusionskapazität, Sperrschichtkapazität, eindiffundierter Kondensator2) microel. diffundierter KondensatorУниверсальный русско-немецкий словарь > диффузионный конденсатор
-
16 паразитная барьерная ёмкость p-n-переход подложка
Универсальный русско-немецкий словарь > паразитная барьерная ёмкость p-n-переход подложка
-
17 барьерная емкость
Schwellenkapazität, Sperrschichtkapazität -
18 барьерная ёмкость
барьерная ёмкость м. элн. Grenzschichtkapazität f; Schwellenkapazität f; Sperrschichtkapazität fБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > барьерная ёмкость
-
19 диффузионный конденсатор
диффузионный конденсатор м. Sperrschichtkapazität f; eindiffundierter Kondensator mБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > диффузионный конденсатор
См. также в других словарях:
Sperrschichtkapazität — Sperrschichtkapazität, Halbleiterelektronik: die elektrische Kapazität, die mit einer Sperrschicht und den Raumladungen an deren Rändern verbunden ist. Die Sperrschichtkapazität ist stark spannungsabhängig und lässt sich daher nur als… … Universal-Lexikon
Sperrschichtkapazität — Eine Diode (griech.: di zwei, doppelt; hodos Weg) ist ein elektrisches Bauelement, das Strom nur in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung wie ein Isolator wirkt. Dioden bewirken eine Gleichrichtung von Wechselspannung,… … Deutsch Wikipedia
Sperrschichtkapazität — nuskurdintojo sluoksnio talpa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion layer capacitance vok. Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость обеднённого слоя, f pranc. capacité de couche de déplétion, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Sperrschichtkapazität — užtvarinio sluoksnio talpa statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. barrier layer capacitance vok. Übergangskapazität, f; Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость запирающего слоя, f pranc. capacité de couche d’arrêt, f; capacité de couche de… … Fizikos terminų žodynas
Bipolartransistor/Ersatzschaltungen — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Ebers-Moll Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Großsignal-Ersatzschaltbild — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Gummel-Poon-Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Transportmodell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Dioden — Eine Diode (griech.: di zwei, doppelt; hodos Weg) ist ein elektrisches Bauelement, das Strom nur in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung wie ein Isolator wirkt. Dioden bewirken eine Gleichrichtung von Wechselspannung,… … Deutsch Wikipedia
Ersatzschaltungen des Bipolartransistors — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
