-
1 коллектор - база переход
Dictionnaire technique russo-italien > коллектор - база переход
-
2 общий ток коллектор-база фототранзистора
общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iбобщ к
ICB H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-base total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-base de phototransistor
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-база фототранзистора
-
3 общий ток коллектор-база фототранзистора
общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iбобщ к
ICB H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-base total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-base de phototransistor
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-база фототранзистора
-
4 общий ток коллектор-база фототранзистора
общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iбобщ к
ICB H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-base total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-base de phototransistor
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-база фототранзистора
-
5 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
6 максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ max
UСB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector-base (d.c.) voltage
DE
FR
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung
E. Maximum collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base maximale
UКБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
7 постоянное напряжение коллектор-база
постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.
Обозначение
UКБ
UCB
Примечание
При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБО, UCBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-base (d.с.) voltage
DE
FR
58. Постоянное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Spannung
E. Collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base
U2КБ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение коллектор-база
-
8 пробивное напряжение коллектор-база
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база
-
9 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
10 темновой ток коллектор-база фототранзистора
темновой ток коллектор-база фототранзистора
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ К
IСBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-base de phototransistor
113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Collector-base dark current of a photo-transistor
F. Courant d'obscurité collecteur-base de phototransistor
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток коллектор-база фототранзистора
-
11 максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ,и max
UСBM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung
E. Maximum peak collector-base voltage
F. Tension de crête collector-base maximale
UКБ, и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
12 максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
- maximum collector-base (d.c.) voltage
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ max
UСB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector-base (d.c.) voltage
DE
FR
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung
E. Maximum collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base maximale
UКБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
13 постоянное напряжение коллектор-база
- collector-base (d.с.) voltage
- Collector-base (d.c.) voltage
постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.
Обозначение
UКБ
UCB
Примечание
При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБО, UCBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-base (d.с.) voltage
DE
FR
58. Постоянное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Spannung
E. Collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base
U2КБ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение коллектор-база
-
14 пробивное напряжение коллектор-база
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база
-
15 темновой ток коллектор-база фототранзистора
темновой ток коллектор-база фототранзистора
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ К
IСBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-base de phototransistor
113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Collector-base dark current of a photo-transistor
F. Courant d'obscurité collecteur-base de phototransistor
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток коллектор-база фототранзистора
-
16 максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ,и max
UСBM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung
E. Maximum peak collector-base voltage
F. Tension de crête collector-base maximale
UКБ, и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
17 максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ max
UСB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector-base (d.c.) voltage
DE
FR
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung
E. Maximum collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base maximale
UКБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
18 постоянное напряжение коллектор-база
постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.
Обозначение
UКБ
UCB
Примечание
При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБО, UCBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-base (d.с.) voltage
DE
FR
58. Постоянное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Spannung
E. Collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base
U2КБ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение коллектор-база
-
19 пробивное напряжение коллектор-база
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база
-
20 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
См. также в других словарях:
коллектор-база — коллектор база, коллектора базы … Орфографический словарь-справочник
коллектор-база — колле/ктор ба/за, коллектора базы, м … Слитно. Раздельно. Через дефис.
Пробивное напряжение коллектор-база — 12. Пробивное напряжение коллектор база D. Kollektor Basis Durchbruchspannung E. Breakdown collector base voltage F. Tension de claquage collecteur base UКБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
общий ток коллектор-база фототранзистора — Общий ток коллектор база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением. Обозначение Iбобщ к ICB H [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN… … Справочник технического переводчика
Общий ток коллектор-база фототранзистора — 123. Общий ток коллектор база фототранзистора D. Kollektor Basis Gesamtstrom eines Phototransistors E. Collector base total current of a phototransistor F. Courant total collecteur base de phototransistor Общий ток коллектор база, протекающий… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
переход коллектор-база — kolektoriaus sandūra statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction; collector based junction vok. Kollektor Basis Übergang, m; Kollektorübergang, m rus. коллекторный переход, m; переход коллектор база, m pranc. jonction… … Automatikos terminų žodynas
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база — Обозначение UКБ,и max UСBM max Примечание Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная… … Справочник технического переводчика
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база — Обозначение UКБ max UСB max Примечание Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная… … Справочник технического переводчика
полное сопротивление цепи коллектор - база — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN collector base impedance … Справочник технического переводчика
постоянное напряжение коллектор-база — Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы. Обозначение UКБ UCB Примечание При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБО , UCBO. [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN collector base (d.с.) voltage DE… … Справочник технического переводчика
пробивное напряжение коллектор-база — Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. Обозначение UКБОпроб U(BR)CBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN breakdown collector base… … Справочник технического переводчика