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1 ёмкость
ёмкость м. Aufnahmefähigkeit f; Aufnahmevermögen n; Behälter m; Fassungsraum m; Fassungsvermögen n; Gefäß n; Gehalt m; Geräumigkeit f; Inhalt m; свз. Kanalkapazität f; эл. Kapazität f; Kubatur f; Kubikinhalt m; Raum m; Rauminhalt m; выч. Speicherkapazität f; Tank m; Tankbehälter m; Volumen n; elektrische Kapazität fёмкость м. (напр., регистра) выч. Zahlenbereich mёмкость м. аккумулятора Akkumulatorenkapazität f; Batteriekapazität f; Speicherkapazität f; Zellenkapazität fёмкость м. в ампер-часах эл. Kapazität f in Amperestunden; gespeicherte Elektrizitätsmenge f in Amperestundenёмкость м. памяти выч. Rechnerspeicherkapazität f; выч. Speicherkapazität f; выч. Speichervermögen nёмкость м. регистра выч. Registergröße f; выч. Registerkapazität f; выч. Zählbereich m eines Registers -
2 ёмкость запирающего слоя эмиттера
nУниверсальный русско-немецкий словарь > ёмкость запирающего слоя эмиттера
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3 ёмкость запорного слоя эмиттера
nУниверсальный русско-немецкий словарь > ёмкость запорного слоя эмиттера
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4 ёмкость обедненного слоя эмиттерного перехода
nmicroel. EmittersperrschichtkapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > ёмкость обедненного слоя эмиттерного перехода
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5 ёмкость эмиттерного перехода
n1) eng. Emittergrenzschichtkapazität, Emittersperrschichtkapazität, Kapazität des Emitterübergangs2) electr. Basis-Emitter-Kapazität3) microel. Emitterkapazität, Kapazitat des EmitterubergangsУниверсальный русско-немецкий словарь > ёмкость эмиттерного перехода
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6 барьерная ёмкость эмиттерного перехода
adjmicroel. EmittersperrschichtkapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > барьерная ёмкость эмиттерного перехода
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7 эмиттерная барьерная ёмкость
adjmicroel. EmittersperrschichtkapazitätУниверсальный русско-немецкий словарь > эмиттерная барьерная ёмкость
См. также в других словарях:
Bipolartransistor/Ersatzschaltungen — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Ebers-Moll Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Ersatzschaltungen des Bipolartransistors — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Großsignal-Ersatzschaltbild — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Gummel-Poon-Modell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia
Transportmodell — Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes, Modell. Hierbei werden verschiedene Stufen der Abstraktion verwendet. Hierbei… … Deutsch Wikipedia