-
1 Basis-Emitter-Sättigungsspannung
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Basis-Emitter-Sättigungsspannung
-
2 saturation base-emitter voltage
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > saturation base-emitter voltage
-
3 напряжение насыщения база-эмиттер
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения база-эмиттер
-
4 напряжение насыщения база-эмиттер
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения база-эмиттер
-
5 tension de saturation base-émetteur
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de saturation base-émetteur
-
6 напряжение насыщения база-эмиттер
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения база-эмиттер
-
7 Saturation baseemitter voltage
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > Saturation baseemitter voltage
-
8 напряжение
напряжение с., возникающее при охлаждении мет. Abkühlspannung fнапряжение с. Anstrengung f; Beanspruchung f; Belastung f; Inanspruchnahme f; Intensität f; Spannkraft f; мех. эл. Spannung f; Tension fнапряжение с., индуцируемое вращающимся магнитным полем Drehfeldspannung fнапряжение с., вызывающее трещины Rißspannung fнапряжение с., приложенное к лампе Röhrenspannung fнапряжение с., приложенное к трубке Röhrenspannung fнапряжение с., вызванное знакопеременной нагрузкой Zugwechselbeanspruchung fнапряжение с. знакопеременными циклами Dauerschwingbeanspruchung f; мех. Dauerschwingspannung f; Dauerschwingungsbeanspruchung f; Wechselbeanspruchung f; Wechselspannung fнапряжение с. кручения Drehbeanspruchung f; Drillspannung f; Torsionsbeanspruchung f; Torsionsspannung f; Verdrehbeanspruchung f; мех. Verdrehspannung fнапряжение с. между проводами в вершине треугольника (в симметричной шестифазной системе) Dreieckspannung fнапряжение с. на входе Eingangsspannung f; angelegte Spannung f; эл. ankommende Spannung f; anliegende Spannung fнапряжение с. на кручение с. Drehbeanspruchung f; Drillspannung f; Torsionsbeanspruchung f; Torsionsspannung f; Verdrehbeanspruchung f; мех. Verdrehspannung fнапряжение с. на сдвиг м. Scherbeanspruchung f; Scherspannung f; Schubbeanspruchung f; мех. Schubspannung fнапряжение с. на скалывание с. Scherbeanspruchung f; Scherspannung f; Schubbeanspruchung f; мех. Schubspannung fнапряжение с. при кручении Drehbeanspruchung f; Drehspannung f; Drillspannung f; Torsionsbeanspruchung f; Torsionsspannung f; Verdrehbeanspruchung f; мех. Verdrehspannung fнапряжение с. при многократных деформациях рез. Dauerbeanspruchung f; рез. Dauerschwingbeanspruchung fнапряжение с. при пределе текучести мех. Spannung f an der Fließgrehze; Spannung f an der Streckgrenzeнапряжение с. при растяжении Dehnungsspannung f; Zugbeanspruchung f; мех. Zugspannung f; positive Spannung fнапряжение с. при скручивании Drehbeanspruchung f; Drehspannung f; Drillspannung f; Torsionsbeanspruchung f; Torsionsspannung f; Verdrehbeanspruchung f; мех. Verdrehspannung fнапряжение с. разрыва Bruchbeanspruchung f; мех. Bruchspannung f; Grenzspannung f; Zerreißspannung fнапряжение с. растяжения Dehnungsspannung f; Zugbeanspruchung f; мех. Zugspannung f; positive Spannung fнапряжение с. сдвига Scherbeanspruchung f; Scherspannung f; Schubbeanspruchung f; мех. Schubspannung fнапряжение с. скалывания Scherbeanspruchung f; Scherspannung f; Schubbeanspruchung f; мех. Schubspannung fнапряжение с. скручивания Drehbeanspruchung f; Drillspannung f; Torsionsbeanspruchung f; Torsionsspannung f; Verdrehbeanspruchung f; мех. Verdrehspannung fнапряжение с. смещения Verlagerungsspannung f; эл. Verschiebespannung f; Verschiebungsspannung f; Vorspannung fнапряжение с. цикла Schwingungsbeanspruchung f; Schwingungsspannung f; матер. Spannung f innerhalb eines Lastspiels; Spannung f innerhalb eines SpannungsspielsБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > напряжение
См. также в других словарях:
Kollektor-Emitter-Spannung — ist mit UCE bezeichnet Die Kollektor Emitter Spannung oder UCE gibt an, wie hoch der Spannungsabfall zwischen Kollektor und Emitter eines Bipolartransistors ist. Solange der Transistor vollständig gesperrt ist (d. h. wenn keine Basis Emitte … Deutsch Wikipedia
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
напряжение насыщения база-эмиттер — Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора. Обозначение UБЭнас UBEsat [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN saturation base emitter voltage DE Basis Emitter… … Справочник технического переводчика
Напряжение насыщения база-эмиттер — 8. Напряжение насыщения база эмиттер D. Basis Emitter Sättigungsspannung E. Saturation baseemitter voltage F. Tension de saturation base émetteur UБЭнас Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
BJT — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Bipolar Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor — Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor… … Deutsch Wikipedia
Bipoltransistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
NPN-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
PNP-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
