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1 Grenzdaten
сущ.1) комп. предельные значения2) электр. максимальные параметры, предельные параметры3) выч. максимальные значения -
2 Grenzdaten
plпредельные [максимальные] параметры -
3 Grenzdaten
(pl)предельные (эксплуатационные) параметры -
4 Grenzdaten
plпредельные (максимальные) параметры -
5 Grenzdaten
pl.предельные ( максимальные) параметры -
6 Grenzdaten
pl предельные параметры мн.Neue große deutsch-russische Wörterbuch Polytechnic > Grenzdaten
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7 Daten
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8 Grenz
→ Grenzmaß
См. также в других словарях:
Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Gleichstromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Latch-Up — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latch-Up-Effekt — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latch up — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latchup — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors — Das physikalische Verhalten des Bipolartransistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Bipolartransistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige … Deutsch Wikipedia
Single Event Latchup — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Stromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Chopper-Verstärker — Ein Chopper Verstärker (oder auch Zerhacker Verstärker) ist eine elektronische Schaltung zur Verstärkung von sehr kleinen Gleichspannungen. Haupteinsatzgebiet war bis in die 1980er Jahre hinein die Messtechnik. Sie wurden danach in elektronischen … Deutsch Wikipedia
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