Grenzspannung

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• Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… …   Deutsch Wikipedia

• Gleichstromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… …   Deutsch Wikipedia

• Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors — Das physikalische Verhalten des Bipolartransistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Bipolartransistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige …   Deutsch Wikipedia

• Stromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… …   Deutsch Wikipedia

• Frei aufliegende Balken — (Träger). Alle mit voller oder durchbrochener Wandung (Vollwand , Gitter oder Fachwerksträger) ausgeführten Träger, die auf zwei festen Stützen derart gelagert sind, daß zum mindesten der Druck auf eine der beiden Stützen stets lotrecht gerichtet …   Enzyklopädie des Eisenbahnwesens

• Gründung (Bauwesen) — Die Gründung oder das Fundament ist die konstruktive und statische Ausbildung des Übergangs vom Bauwerk zum Boden, mit dem Ziel, dass die durch das Bauwerk und dessen Nutzung verursachten Verformungen des Bodens kleiner sind als aus Sicht des… …   Deutsch Wikipedia

• Gunn-Effekt — Der nach John Battiscombe Gunn benannte Gunn Effekt [ˈgʌn ] ist ein physikalischer Effekt, der in manchen Halbleitermaterialien bei hohen elektrischen Feldstärken auftritt und einen negativen differentiellen Widerstand bewirkt. Damit der Gunn… …   Deutsch Wikipedia

• Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… …   Deutsch Wikipedia

• Plattengründung — Die Gründung oder das Fundament ist die konstruktive und statische Ausbildung des Übergangs vom Bauwerk zum Boden mit dem Ziel, dass die durch das Bauwerk und dessen Nutzung verursachten Verformungen des Bodens kleiner sind als aus Sicht des… …   Deutsch Wikipedia

• Elektrische Entladung — (hierzu Tafel »Elektrische Entladungen«), die Zerstörung aufgespeicherter elektrischer Energie (das Verschwinden eines elektrischen Spannungszustandes) durch Umwandlung in andre Energieformen (Wärme, Strahlung) in Isolatoren. Ladet man einen… …   Meyers Großes Konversations-Lexikon

• Brücken [3] — Brücken , eiserne. Darunter verlieht man alle jene Brückenbauwerke, deren Ueberbau aus Eisen hergestellt ist. Sie bilden vermöge der Häufigkeit ihrer Anwendung, der damit erzielbaren Leistungen, dann vermöge der Ausbildung ihrer Theorie und… …   Lexikon der gesamten Technik