Elektronenbeweglichkeit

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• Elektronenbeweglichkeit — elektronų judris statusas T sritis Standartizacija ir metrologija apibrėžtis Dydis, lygus elektronų judėjimo greičiui, įgyjamam 1 V/m stiprio elektriniame lauke. atitikmenys: angl. electron mobility vok. Elektronenbeweglichkeit, f rus.… …   Penkiakalbis aiškinamasis metrologijos terminų žodynas

• Elektronenbeweglichkeit — elektronų judris statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. electron mobility vok. Elektronenbeweglichkeit, f rus. подвижность электронов, f pranc. mobilité d’électrons, f; mobilité électronique, f …   Fizikos terminų žodynas

• Elektronenbeweglichkeit — Die Beweglichkeit bzw. Mobilität μ als physikalischer Begriff ist definiert über die konstante Geschwindigkeit , welche ein Körper (asymptotisch) erreicht, wenn an ihn eine konstante Kraft angreift. In der Elektrodynamik wird die Beweglichkeit in …   Deutsch Wikipedia

• Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Gunndiode — Schaltzeichen einer Gunndiode Die Gunndiode oder Gunn Diode ist ein Halbleiter Bauelement, das für die Mikrowellenerzeugung eingesetzt wird. Grundlage ist der 1963 von John Battiscombe Gunn entdeckte Gunn Effekt. Aufbau Genau genommen ist die… …   Deutsch Wikipedia

• HEMT — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… …   Deutsch Wikipedia

• Heinrich Welker — Heinrich Johann Welker (* 9. September 1912 in Ingolstadt; † 25. Dezember 1981 in Erlangen) war ein bedeutender deutscher Physiker, insbesondere auf dem Gebiet der Halbleitertechnik. Seine bahnbrechendste Entdeckung waren III V Verbindungen (aus… …   Deutsch Wikipedia

• High Electron Mobility Transistor — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… …   Deutsch Wikipedia

• High-electron-mobility transistor — Querschnitt eines InGaAs pseudomorphen HEMT Der high electron mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der… …   Deutsch Wikipedia

• Dual Stress Liner — Der englische Begriff dual stress liner (DSL) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Verfahren zur Herstellung von verspanntem Silizium (engl. strained silicon) für p und n Kanal MOSFETs in Silocon on Insulator Technologien. Das von IBM… …   Deutsch Wikipedia

• Einstein-Smoluchowski-Beziehung — Im Bereich der kinetischen Gastheorie ist die Einstein Smoluchowski Beziehung, auch Einstein Gleichung genannt, eine Beziehung, die zuerst Albert Einstein (1905) und danach Marian Smoluchowski (1906) in ihren Schriften zur Brownschen Bewegung… …   Deutsch Wikipedia