-
61 h-параметры транзистора
nradio. paramètres h de transistor, paramètres hybrides de transistorDictionnaire russe-français universel > h-параметры транзистора
-
62 входная характеристика транзистора
Dictionnaire russe-français universel > входная характеристика транзистора
-
63 выходная характеристика транзистора
Dictionnaire russe-français universel > выходная характеристика транзистора
-
64 гибридные параметры транзистора
adjradio. paramètres h de transistor, paramètres hybrides de transistorDictionnaire russe-français universel > гибридные параметры транзистора
-
65 зарядоуправляемая модель транзистора
adjradio. modèle de Beafoy et SparkesDictionnaire russe-français universel > зарядоуправляемая модель транзистора
-
66 затвор полевого транзистора
ngener. porteDictionnaire russe-français universel > затвор полевого транзистора
-
67 корпус транзистора
nradio. boîtier de transistor -
68 коэффициент усиления транзистора по току
nradio. alpha (в схеме с общей базой), bêta (в схеме с общим эмиттером)Dictionnaire russe-français universel > коэффициент усиления транзистора по току
-
69 модель транзистора с сосредоточенными параметрами
nradio. modèle de LinvillDictionnaire russe-français universel > модель транзистора с сосредоточенными параметрами
-
70 модуляция на базу транзистора
nDictionnaire russe-français universel > модуляция на базу транзистора
-
71 модуляция на коллектор транзистора
Dictionnaire russe-français universel > модуляция на коллектор транзистора
-
72 смешанные параметры транзистора
Dictionnaire russe-français universel > смешанные параметры транзистора
-
73 статическая нелинейная модель транзистора
adjradio. modèle d'Ebers et MollDictionnaire russe-français universel > статическая нелинейная модель транзистора
-
74 шум транзистора
nradio. bruit de transistor -
75 затвор
м.1) ( у оружия) culasse f (mobile); mécanisme m de fermeture2) ( у плотины) vanne f3) уст. (у ворот, дверей) fermeture f, verrou m* * *n1) gener. culasse, culasse mobile (винтовки), obturateur, tampon (пруда), gâchette (полевого транзистора), grille (полевого транзистора), pale, vanne2) obs. cache3) milit. verrou, bloc de culasse4) eng. barrière, bouchure, bouchure mobile, clapet obturateur, clapet traversé (вентиляционного шахтного ствола), clôture, électrode de gâchette (канального транзистора), bonde (для спуска мелких водоёмов), bondon (для спуска мелких водоёмов), clapet de retenue, obturateur (напр. фотоаппарата), porte (полевого транзистора)5) brit.engl. gâte (полевого транзистора)6) railw. enclenchement8) metal. joint, serrure, soupape, verrouillage, fermeture, obturation -
76 статический коэффициент усиления по току
adjradio. (транзистора) beta (в схеме с общим эмиттером), (транзистора) paramètre (в схеме с общим эмиттером), (транзистора) paramètre alpha (в схеме с общей базой), (транзистора) paramètre bêta (в схеме с общим эмиттером)Dictionnaire russe-français universel > статический коэффициент усиления по току
-
77 диффузионный переход
adj1) radio. couche diffusante (транзистора), couche diffusée (транзистора), couche à diffusion (транзистора)2) electr. jonction par diffusionDictionnaire russe-français universel > диффузионный переход
-
78 исток
м.1) source f2) мн.исто́ки перен. — sources f pl, causes f pl, origines f pl
исто́ки жи́зни — sources de la vie
* * *n1) gener. source2) eng. source (транзистора)3) radio. cathode (полевого транзистора), source (полевого транзистора) -
79 обратный ток коллектор-эмиттер
обратный ток коллектор-эмиттер
Ндп. начальный ток коллектора
ток коллектора закрытого транзистора
Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер.
Обозначение
IКЭ
Примечание
При разомкнутом выводе базы IКЭО, ICEO;
при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы IКЭК, ICES;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер IКЭR, ICER;
при заданном обратном напряжении эмиттер-база IКЭX, ICEX.
[ ГОСТ 20003-74]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
3. Обратный ток коллектор-эмиттер
Ток коллектора закрытого транзистора
D. Kollektor- Emitter- Reststrom
E. Collector-emitter cut-off current
F. Courant résiduel du collecteur-émetteur
Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > обратный ток коллектор-эмиттер
-
80 база
лыжная база — station f de ski
инф.
база данных — base de données* * *ж.1) (основа, основание) base f; assises f plматериа́льная ба́за — base matérielle
экономи́ческая ба́за — b ase économique
на ба́зе чего́-либо — sur la base de qch
подвести́ ба́зу подо что́-либо — donner une base ( или une infrastructure) à qch; asseoir sur
2) архит. base f3) ( учреждение) station fэкскурсио́нная ба́за — station de tourisme
4) (склад, место хранения) dépôt m, entrepôt m, base f, magasin mпродово́льственная ба́за — centre m ( или centrale f) de ravitaillement
сырьева́я ба́за — dépôt de matières premières
кормова́я ба́за — base fourragère
5) воен. base fвое́нная ба́за — base militaire
вое́нно-морска́я ба́за — base navale
вое́нно-возду́шная ба́за — base aérienne
* * *1. prepos. 2. n1) gener. base (лекарства), dépôt, fondement, parc, centre, infrastructure, base (военная и т.п.), empattage (шасси), empattement (шасси)2) liter. armature, clef de voûte, base3) sports. installation4) eng. plinthe (колонны), électrode de base (транзистора), empattement (автомобиля), empattement (напр., машины)5) construct. assise, magasin, (основание) base, (ñûôàä) dépôt6) railw. entr'axe7) radio. base (транзистора)8) IT. support
См. также в других словарях:
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Модель МОП-транзистора ЭКВ — ЭКВ математическая модель МОП транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф.… … Википедия
структура бокового транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
структура горизонтального транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время выключения биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Обозначение tвыкл toff [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
время рассасывания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Обозначение tрас ts [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN carrier storage time… … Справочник технического переводчика