(транзистора)

коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
K_yP
G_p
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• power gain

DE

• Leistungsverstärkung

FR

• gain en puissance

34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D. Leistungsverstärkung

E. Power gain

F. Gain en puissance

К_yP

Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
t_выкл
t_off
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• turn-off time

DE

• Ausschaltzeit

FR

• temps total de coupure

41. Время выключения биполярного транзистора

D. Ausschaltzeit

E. Turn-off time

F. Temps total de coupure

t_выкл

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
t_рас
t_s
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• carrier storage time

DE

• Speicherzeit

FR

• retard à la décroissance

38. Время рассасывания для биполярного транзистора

D. Speicherzeit

E. Carrier storage time

F. Retard à la décroissance

t_рас

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C₁₁
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• input capacitance

DE

• Eingangskapazität

FR

• capacité d’entrée

27. Входная емкость биполярного транзистора

D. Eingangskapazität

E. Input capacitance

F. Capacité d’entrée

С*₁₁

Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала
Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером.
Обозначение
h_11Э
h_11E
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• static value of the input resistance

FR

• valeur statique de la résistance d’entrée

19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала

E. Static value of the input resistance

F. Valeur statique de la résistance d’entrée

h_11Э

Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C₂₂
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• output capacitance

DE

• Ausgangskapazität

FR

• capacité de sortie

28. Выходная емкость биполярного транзистора

D. Ausgangskapazität

E. Output capacitance

F. Capacité de sortie

С*₂₂

Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

емкость обратной связи биполярного транзистора
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C₁₂
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• feedback capacitance

DE

• Rückwirkungskapazität

FR

• capacité de couplage à réaction

28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора

D. Rückwirkungskapazität

E. Feedback capacitance

F. Capacité de couplage à réaction

С*₁₂

Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

коэффициент шума биполярного транзистора
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
K_ш
F
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• noise figure

DE

• Rauschzahl

FR

• facteur de bruit

32. Коэффициент шума биполярного транзистора

D. Rauschzahl

E. Noise figure

F. Facteur de bruit

K_ш

Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

минимальный коэффициент шума биполярного транзистора
Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума.
Обозначение
K_{ш min}
F_min
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• minimal noise figure

DE

• minimale Rauschzahl

FR

• facteur de bruit minimum

32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора

D. Minimale Rauschzahl

E. Minimal noise figure

F. Facteur de bruit minimum

K_шmin

Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума.
Обозначение
K_yPoпт
G_popt
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• optimal power gain

DE

• optimale Leistungsverstärkung

FR

• gain de puissance optimum

34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D. Optimale Leistungsverstärkung

E. Optimal power gain

F. Gain de puissance optimum

К_yPonm

Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора
Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным.
Обозначение
U_ш
U_n
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• equivalent noise voltage

DE

• äquivalente Rauschspannung

FR

• tension de bruit équivalente

32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора

D. Äquivalente Rauschspannung

E. Equivalent noise voltage

F. Tension de bruit équivalente

U_ш

Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
t_вкл
t_on
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• turn-on time

DE

• Einschaltzeit

FR

• temps total d’établissement

40. Время включения биполярного транзистора

D. Einschaltzeit

E. Turn-on time

F. Temps total d'établissement

t_вкл

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
t_вкл
t_on
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время включения

EN

• turn-on time

DE

• Einschaltzeit

FR

• temps total d’établissement

время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
t_{зд.выкл}
t_d(off)
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время задержки выключения

EN

• turn-off delay time

DE

• Ausschaltverzögerungszeit

FR

• retard à la décroissance

время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
t_зд
t_d
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• delay time

DE

• Verzögerungszeit

FR

• retard à la croissance

36. Время задержки для биполярного транзистора

D. Verzögerungszeit

E. Delay time

F. Retard à la croissance

t_зд

Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
t_нр
t_к
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_нр

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
t_нр
t_r
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
t_сп
t_f
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• fall time

DE

• Abfallzeit

FR

• temps de décroissance

39. Время спада для биполярного транзистора

D. Abfallzeit

E. Fall time

F. Temps de décroissance

t_сп

Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
t_сп
t_f
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время спада

EN

• fall time

DE

• Abfallzeit

FR

• temps de décroissance

входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y₁₁
y₁₁
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• small-signal value of the short-circuit input admittance

DE

• komplexer Kleinsignaleingangsleitwert

FR

• valeur de l'admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux

21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert

E. Small-signal value of the short-circuit input admittance

F. Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux

y*₁₁

Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа