-
101 вывод базы
-
102 глубокозалегающий коллектор
adjradio. collecteur profond (транзистора)Dictionnaire russe-français universel > глубокозалегающий коллектор
-
103 гомогенная база
adjgener. homobase (транзистора) -
104 граничная частота усиления
Dictionnaire russe-français universel > граничная частота усиления
-
105 граничная частота усиления по току
adjradio. (транзистора) fréquence de coupure alphaDictionnaire russe-français universel > граничная частота усиления по току
-
106 коллекторный переход
Dictionnaire russe-français universel > коллекторный переход
-
107 коллекторный слой
adjradio. couche collectrice (транзистора) -
108 коллекторный ток
adjradio. courant collecteur (транзистора) -
109 легированный переход
Dictionnaire russe-français universel > легированный переход
-
110 модуляция толщины базы
neng. effet Early (транзистора)Dictionnaire russe-français universel > модуляция толщины базы
-
111 напряжение вторичного пробоя
nDictionnaire russe-français universel > напряжение вторичного пробоя
-
112 напряжение затвор-исток
Dictionnaire russe-français universel > напряжение затвор-исток
-
113 напряжение затвора
n -
114 напряжение между коллектором и базой
nDictionnaire russe-français universel > напряжение между коллектором и базой
-
115 напряжение первичного пробоя
nDictionnaire russe-français universel > напряжение первичного пробоя
-
116 напряжение сток-исток
Dictionnaire russe-français universel > напряжение сток-исток
-
117 напряжение стока
n -
118 пороговое напряжение
adj1) eng. tension de coupure2) radio. seuil de tension, tension de pincement (полевого транзистора с изолированным затвором)3) IT. tension de seuilDictionnaire russe-français universel > пороговое напряжение
-
119 присоединение к базе
nradio. connexion de base (транзистора)Dictionnaire russe-français universel > присоединение к базе
-
120 семейство характеристик обратной передачи
nradio. réseau de réaction (транзистора)Dictionnaire russe-français universel > семейство характеристик обратной передачи
См. также в других словарях:
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Модель МОП-транзистора ЭКВ — ЭКВ математическая модель МОП транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф.… … Википедия
структура бокового транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
структура горизонтального транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время выключения биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Обозначение tвыкл toff [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
время рассасывания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Обозначение tрас ts [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN carrier storage time… … Справочник технического переводчика