Перевод: с русского на немецкий

с немецкого на русский

Basis-Emitter-Spannung

См. также в других словарях:

  • Basis-Emitter-Spannung — Spannungen an einem npn Bipolartransistor Unter Basis Emitter Spannung versteht man die elektrische Spannung, die zwischen dem Basis Anschluss und dem Emitter Anschluss an einem Bipolartransistor abfällt. Sobald an der Basis eine ausreichende… …   Deutsch Wikipedia

  • Kollektor-Emitter-Spannung — ist mit UCE bezeichnet Die Kollektor Emitter Spannung oder UCE gibt an, wie hoch der Spannungsabfall zwischen Kollektor und Emitter eines Bipolartransistors ist. Solange der Transistor vollständig gesperrt ist (d. h. wenn keine Basis Emitte …   Deutsch Wikipedia

  • Basis-Spannung — Schaltbilder von Transistoren. Links ist der Basis Anschluss und unten der Emitter Anschluss. Unter Basis Emitter Spannung versteht man die elektrische Spannung, die zwischen dem Basis Anschluss und dem Emitter Anschluss an einem… …   Deutsch Wikipedia

  • Kollektor-Emitter-Strom — Der Kollektor Emitter Strom bezeichnet den Strom, der über den Kollektor eines Bipolartransistors in den Emitter fließt. Ebers Moll Modell eines npn Transistors Der Kollektor Emitter Strom ist eine Folge der zwischen Basis und Emitter angelegten… …   Deutsch Wikipedia

  • Early-Spannung — im Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors bei Basisweiten Modulation (Early Effekt) …   Deutsch Wikipedia

  • Surface-conduction Electron-emitter Display — SED Prototyp Frontansicht …   Deutsch Wikipedia

  • Verstärker von Spannung, Strom und Leistung —   Als Verstärker bezeichnet man in mehreren Stufen zusammengefasste elektronische Schaltungen oder Geräte, die unter Verwendung von aktiven Bauelementen, wie z.B. Transistoren, oder seltener (bei Spezialanwendungen) auch Elektronenröhren… …   Universal-Lexikon

  • Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… …   Deutsch Wikipedia

  • Gleichstromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… …   Deutsch Wikipedia

  • Stromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… …   Deutsch Wikipedia

  • BJT — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …   Deutsch Wikipedia

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»