-
61 емкость эмиттерного перехода
емкость эмиттерного перехода
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи.
Обозначение
CЭ
Ce
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
43. Емкость эмиттерного перехода
D. Kapazität der Emittersperrschicht
E. Emitter capacitance
F. Capacité émetteur
Cэ
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > емкость эмиттерного перехода
-
62 обратный ток эмиттера
обратный ток эмиттера
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
Обозначение
IЭБО
IEBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- courant résiduel de l’émetteur
D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)
E. Emitter cut-off current
F. Courant résiduel de l’émetteur
IЭБО
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > обратный ток эмиттера
-
63 обратный ток базы
обратный ток базы
Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база.
Обозначение
IБЕХ
IBEX
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > обратный ток базы
-
64 ёмкость
ёмкость м. Aufnahmefähigkeit f; Aufnahmevermögen n; Behälter m; Fassungsraum m; Fassungsvermögen n; Gefäß n; Gehalt m; Geräumigkeit f; Inhalt m; свз. Kanalkapazität f; эл. Kapazität f; Kubatur f; Kubikinhalt m; Raum m; Rauminhalt m; выч. Speicherkapazität f; Tank m; Tankbehälter m; Volumen n; elektrische Kapazität fёмкость м. (напр., регистра) выч. Zahlenbereich mёмкость м. аккумулятора Akkumulatorenkapazität f; Batteriekapazität f; Speicherkapazität f; Zellenkapazität fёмкость м. в ампер-часах эл. Kapazität f in Amperestunden; gespeicherte Elektrizitätsmenge f in Amperestundenёмкость м. памяти выч. Rechnerspeicherkapazität f; выч. Speicherkapazität f; выч. Speichervermögen nёмкость м. регистра выч. Registergröße f; выч. Registerkapazität f; выч. Zählbereich m eines Registers -
65 токовое смещение
( изменение плотности тока базы вдоль перехода эмиттер - база) Einschnüreffekt электрон. -
66 барьерный слой
барьерный слой м. элн. Barrierschicht fБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > барьерный слой
-
67 запорный слой
запорный слой м. Randschicht f; Sperrschicht fБольшой русско-немецкий полетехнический словарь > запорный слой
-
68 Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером
Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики
D. Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung
E. Static value of the forward transconductance
F. Pente statique de transfert direct
y21Э
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером
-
69 диод
диод м., чувствительный к действию магнитного поля Magnetodiode f -
70 Сопротивление базы биполярного транзистора
42. Сопротивление базы биполярного транзистора
D. Basisbahnwiderstand
E. Base intrinsic resistance
F. Résistance intrinséque de base
r'K
Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > Сопротивление базы биполярного транзистора
См. также в других словарях:
Пробивное напряжение эмиттер-база — 11. Пробивное напряжение эмиттер база D. Emitter Basis Durchbruchspannung E. Breakdown emitter base voltage F. Tension de claquage émetteur base UЭБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
плавающее напряжение эмиттер-база — Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор база и при токе эмиттера, равном нулю. Обозначение UЭБпл UEBfl [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN floating emitter base voltage FR tension… … Справочник технического переводчика
Плавающее напряжение эмиттер-база — 9. Плавающее напряжение эмиттер база E. Floating emitter base voltage F. Tension flottante émetteur base UЭБпл Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор база и при токе эмиттера, равном нулю Источник:… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
переход эмиттер-база — emiterio sandūra statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. emitter junction; emitter base junction vok. Emitter Basis Übergang, m; Emitterübergang, m rus. переход эмиттер база, m; эмиттерный переход, m pranc. jonction émetteur base, f … Automatikos terminų žodynas
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база — Обозначение UЭБ max UEB max Примечание Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная… … Справочник технического переводчика
постоянное напряжение эмиттер-база — Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы. Обозначение UЭБ UEB Примечание При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО , UEBO. [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN emitter base (d.с.)… … Справочник технического переводчика
пробивное напряжение эмиттер-база — Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю. Обозначение UЭБОпроб U(BR)EBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN breakdown emitter base… … Справочник технического переводчика
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uбпрэ UBR EBO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное… … Справочник технического переводчика
темновой ток эмиттер-база фототранзистора — Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение IбТ Э IEBO Примечание На ФЭПП может действовать… … Справочник технического переводчика
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база — 73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер база D. Maximal zulässige Emitter Basis Gleichspannung E. Maximum emitter base (d.c.) voltage F. Tension continue émetteur base maximale IЭБ max Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Постоянное напряжение эмиттер-база — 57. Постоянное напряжение эмиттер база D. Emitter Basis Spannung E. Emitter base (d.с.) voltage F. Tension continue émetteur base U1ЭБ Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины,… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации