-
1 режим работы фототранзистора с плавающей базой
режим работы фототранзистора с плавающей базой
Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой
D. Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis
E. Floating-base phototransistor operation
F. Régime du phototransistor de basis flottante
-
Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > режим работы фототранзистора с плавающей базой
-
2 рабочее состояние угля
рабочее состояние угля
Состояние угля с общей влагой и зольностью, с которыми он добывается, отгружается или используется.
[ ГОСТ 17070-87]Тематики
Обобщающие термины
- состав, свойства и анализ углей
EN
DE
FR
D. Rohzustand
Е. Ash sampled basis
Ash received basis
F. Tel que recu
Состояние угля с общей влагой и зольностью, с которыми он добывается, отгружается или используется
Источник: ГОСТ 17070-87: Угли. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > рабочее состояние угля
-
3 база градообразующая
база градообразующая
Совокупность градообразующих факторов, определяющих профиль города и численность его населения
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > база градообразующая
-
4 влажное беззольное состояние угля
- humide, cendres exclues
влажное беззольное состояние угля
Условное состояние угля без золы, но с общей влагой, соответствующей максимальной влагоемкости угля.
[ ГОСТ 17070-87]Тематики
Обобщающие термины
- состав, свойства и анализ углей
EN
FR
- humide, cendres exclues
55. Влажное беззольное состояние угля
Е. Moist ash free basis
F. Humide, cendres exclues
Условное состояние угля без золы, но с общей влагой, соответствующей максимальной влагоемкости угля
Источник: ГОСТ 17070-87: Угли. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > влажное беззольное состояние угля
-
5 геодезический базис
геодезический базис
базис
Линия, длина которой получена из непосредственных измерений и служит для определения длины стороны геодезической сети.
[ ГОСТ 22268-76]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
Базис
D. Basis Grundlinie
E. Base Geodetic base line
F. Base géodésique
Линия, длина которой получена из непосредственных измерений и служит для определения длины стороны геодезической сети
Источник: ГОСТ 22268-76: Геодезия. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > геодезический базис
-
6 магнитное основание
D. Magnetische Grundlage
E. Magnetic basis
F. Base magnetique
Основание, обладающее магнитными свойствами
Источник: ГОСТ 8.362-79: Государственная система обеспечения единства измерений. Измерение толщины покрытий. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > магнитное основание
-
7 максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ,и max
UСBM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung
E. Maximum peak collector-base voltage
F. Tension de crête collector-base maximale
UКБ, и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
8 максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
9 международная шкала координированного времени, UTC
международная шкала координированного времени, UTC
Шкала времени, рассчитываемая Международным бюро мер и весов так, что смещение относительно Международной шкалы атомного времени составляет целое число секунд, а относительно шкалы всемирного времени не превышает 0,9 с.
[ГОСТ 8.567-99]
международная шкала координированного времени
Шкала времени, на основе которой осуществляется координированное распространение по радио стандартных частот и сигналов времени. Международная шкала координированного времени соответствует международному атомному времени, но отличается от него на целое число секунд.
Примечания.
1. Применительно к требованиям настоящего стандарта применяется "Национальная шкала координированного времени Российской Федерации UTC (SU)".
2. Международная шкала координированного времени устанавливается Международным комитетом мер и весов и Международной службой вращения Земли
[ ГОСТ Р 51317.4.30-2008 (МЭК 61000-4-30:2008)]EN
Coordinated Universal Time, UTC
time scale which forms the basis of a coordinated radio dissemination of standard frequencies and time signals. It corresponds exactly in rate with international atomic time, but differs from it by an integral number of seconds.
NOTE 1 Coordinated universal time is established by the International Bureau of Weights and Measures (BIPM) and the International Earth Rotation Service (IERS).
NOTE 2 The UTC scale is adjusted by the insertion or deletion of seconds, so called positive or negative leap seconds, to ensure approximate agreement with UT1.
[IEC 61000-4-30, ed. 2.0 (2008-10)]
coordinated universal time, UTC
time scale which forms the basis of a coordinated dissemination of standard frequencies and time signals (see ITU-R Recommendation TF.460)
[IEC 62379-1, ed. 1.0 (2007-08)]FR
temps universel coordonné, UTC
échelle de temps qui constitue la base d'une diffusion radioélectrique coordonnée des fréquences étalon et des signaux horaires, qui a la même marche que le temps atomique international, mais qui en diffère d'un nombre entier de secondes
NOTE 1 Le temps universel coordonné est établi par le Bureau international des poids et mesures (BIPM) et le Service international de la rotation de la Terre (IERS).
NOTE 2 On ajuste l'échelle UTC par insertion ou omission de secondes dites secondes intercalaires positives ou négatives pour assurer sa concordance approximative avec l'échelle UT1
[IEC 61000-4-30, ed. 2.0 (2008-10)]Тематики
- метрология, основные понятия
Обобщающие термины
EN
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > международная шкала координированного времени, UTC
-
10 напряжение насыщения база-эмиттер
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения база-эмиттер
-
11 немагнитное основание
D. Unmagnetische Grundlage
E. Dismagnetic basis
F. Amagnetique base
Источник: ГОСТ 8.362-79: Государственная система обеспечения единства измерений. Измерение толщины покрытий. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > немагнитное основание
-
12 нетокопроводящее немагнитное основание
6. Нетокопроводящее немагнитное основание
D. Unmagnetische unsträmführende Grundlage
E. Dismagnetic nonconducting basis
F. Amagnétique nonconducteur base
Источник: ГОСТ 8.362-79: Государственная система обеспечения единства измерений. Измерение толщины покрытий. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > нетокопроводящее немагнитное основание
-
13 общий ток коллектор-база фототранзистора
общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iбобщ к
ICB H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-base total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-base de phototransistor
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-база фототранзистора
-
14 оптический дальномер с постоянной базой
оптический дальномер с постоянной базой
дальномер с постоянной базой
-
[ ГОСТ 21830-76]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
21. Оптический дальномер с постоянной базой
Дальномер с постоянной базой
D. Optischer Entfernungsmesser mit konstanter Basis
E. Optical distance meter with constant base. Subtense system
F. Stadimètre à base stadimètrique constante
Источник: ГОСТ 21830-76: Приборы геодезические. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > оптический дальномер с постоянной базой
-
15 постоянное напряжение коллектор-база
постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.
Обозначение
UКБ
UCB
Примечание
При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБО, UCBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-base (d.с.) voltage
DE
FR
58. Постоянное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Spannung
E. Collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base
U2КБ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение коллектор-база
-
16 постоянное напряжение эмиттер-база
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение эмиттер-база
-
17 пробивное напряжение коллектор-база
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база
-
18 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
19 пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база
-
20 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
См. также в других словарях:
Basis (linear algebra) — Basis vector redirects here. For basis vector in the context of crystals, see crystal structure. For a more general concept in physics, see frame of reference. In linear algebra, a basis is a set of linearly independent vectors that, in a linear… … Wikipedia
basis — ba·sis / bā səs/ n pl ba·ses / ˌsēz/ 1: something (as a principle or reason) on which something else is established the court could not imagine any conceivable basis for the statute see also rational basis 2: a basic principle o … Law dictionary
Basis und Überbau (Marxismus) — Basis Überbau Modell von Gesellschaftsformationen Das Begriffspaar Basis und Überbau dient im Marxismus zur Unterscheidung der wirtschaftlichen Existenzgrundlage vom darauf aufbauenden und zurückwirkenden Staat einerseits und den herrschenden… … Deutsch Wikipedia
Basis und Überbau — Basis Überbau Modell von Gesellschaftsformationen Das Begriffspaar Basis und Überbau dient im Marxismus zur Unterscheidung der wirtschaftlichen Existenzgrundlage vom darauf aufbauenden und zurückwirkenden Staat einerseits und den herrschenden… … Deutsch Wikipedia
Basis — may refer to* Basis future, the value differential between a future and the spot price * Basis (options), the value differential between a call option and a put option * Cost basis, in the calculation of capital gains * Basis (crystal structure) … Wikipedia
Basis — steht für: Basis (Architektur), den untersten Bauteil einer Säule oder das Podest einer Statue Basis (Stereofotografie), den Abstand zweier zum Ziel ausgerichteter Kameras Kristallstruktur#Basis, die Grundstruktur eines Kristalles Basis (Band)… … Deutsch Wikipedia
BASIS Charter School — is a school in Tucson, Arizona. In 2006, its High School was named # 3 on Newsweek s Top 1200 High Schools list, #6 in 2007, and #1 in 2008. [http://www.newsweek.com/id/39380 GT1=43001 The Complete List: 1,300 Top U.S. Schools ] , Newsweek , May… … Wikipedia
Basis (Architektur) — Basis einer gotischen Säule Eine Basis (lat. basis = Sockel; von griechisch βάσις básis = Fuß, Grundlage, Fundament) ist im Bauwesen der unterste Bauteil einer Säule, auf dem der Schaft aufsitzt. Die Basis kann selbst wiederum auf einem… … Deutsch Wikipedia
Basis (Hip-Hop-Band) — Basis Gründung 1997 Auflösung 2001 Genre Pop Gründungsmitglieder Gesang Vera Holthaus Gesang Kami Manns Gesang Edson Sifre … Deutsch Wikipedia
Basis [5] — Basis (Grundlinie, Standlinie) nennt man bei trigonometrischen Bestimmungen diejenige durch unmittelbare Längenmessung erhaltene Linie, aus der weitere Linien rechnerisch abgeleitet werden sollen. Eine »Basis« in einzelnen… … Lexikon der gesamten Technik
BASIS — Заставка BASIS Разработчик Сергей Камнев Последняя версия ? ? Лицензия Закрытое ПО Состояние Не развивается BASIS специфическая … Википедия