-
1 пробивное напряжение коллектор-база
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база
См. также в других словарях:
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Пробивное напряжение коллектор-база — 12. Пробивное напряжение коллектор база D. Kollektor Basis Durchbruchspannung E. Breakdown collector base voltage F. Tension de claquage collecteur base UКБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение коллектор-база — Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. Обозначение UКБОпроб U(BR)CBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN breakdown collector base… … Справочник технического переводчика
Mesatransistor — Schematischer Querschnitt durch einen Diffusions Mesatranssitor in linearer anordnung Unter Mesatransistor (englisch mesa transistor) versteht man eine Gruppe von Transistoren, durch ein Diffusionsverfahren hergestellt werden und zählt daher … Deutsch Wikipedia
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
DMOS — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (engl. Power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das… … Deutsch Wikipedia
Leistungs-MOSFET — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (englisch power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der… … Deutsch Wikipedia
Power MOSFET — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (engl. Power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das… … Deutsch Wikipedia
