-
121 charge recouvrée
заряд восстановления диода
Ндп. заряд переключения
Qвос, Qr
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
32. Заряд восстановления диода
Ндп. Заряд переключения
D. Sperrerholladung der Diode
E. Recovered charge
F. Charge recouvrée
Qвос
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания:
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > charge recouvrée
-
122 dissipation de pointe à la coupure du courant
- импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении
импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении
Рвос.обр,и
PRQM
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
52. Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении
Е. Peak turn-off dissipation
F. Dissipation de pointe à la coupure du courant
Pвос.обр, и
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dissipation de pointe à la coupure du courant
-
123 tension inverse de crête
импульсное обратное напряжение диода
Uобр.и, URM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
4. Импульсное обратное напряжение диода
D. Spitzensperrspannung der Diode
E. Peak reverse voltage
F. Tension inverse de crête
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension inverse de crête
-
124 tension directe de crête
импульсное прямое напряжение диода
Uпр.и, UFM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
2. Импульсное прямое напряжение диода
D. Spitzendurchlassspannung der Diode
E. Peak forward voltage
F. Tension directe de crête
Uпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension directe de crête
-
125 courant inverse de crête
импульсный обратный ток диода
Iобр.и, IRM
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
11. Импульсный обратный ток диода
D. Spitzensperrstrom der Diode
E. Peak reverse current
F. Courant inverse de crête
Iобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant inverse de crête
-
126 courant direct de crête
импульсный прямой ток диода
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
8. Импульсный прямой ток диода
D. Spitzendurchlassstrom der Diode
E. Peak forward current
F. Courant direct de crête
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant direct de crête
-
127 inductance série totale équivalente
индуктивность диода
Lп, Ls
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Induktvität der Diode
E. Total series equivalent inductance
F. Inductance série totale équivalente
Lп
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > inductance série totale équivalente
-
128 charge stockée
накопленный заряд диода
Qик, Qs
Заряд электронов или дырок в базе диода или i-области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
FR
E. Stored charge
F. Charge stockée
Qик
Заряд электронов или дырок в базе диода или i-области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > charge stockée
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия