-
81 reverse power dissipation
- рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора
- обратная рассеиваемая мощность диода
обратная рассеиваемая мощность диода
Pобр, PR
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
FR
рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора
Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании обратного тока.
Обозначение
Pнпс,обр
PR
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- puissance dissipée à l’état bloqué dans Ie sens inverse
13. Обратная рассеиваемая мощность диода
E. Reverse power dissipation
F. Dissipation de puissance en inverse
Pобр
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse power dissipation
-
82 repetitive peak reverse voltage
- повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
- повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
Uобр.и.п, URRM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.
Примечание
Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.
Обозначение
Uобр,м
URRM
Примечание
Повторяющееся напряжение определяется схемой и параметрами тиристора.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode
E. Repetitive peak reverse voltage
F. Tension inverse de pointe répétitive
Uобр.и.п
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.
Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
22. Повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
E. Repetitive peak reverse voltage
F. Tension inverse de pointe répétitive
Uобр,и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.
Примечание. См. примечание к термину 7
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > repetitive peak reverse voltage
-
83 repetitive peak reverse current
- повторяющийся импульсный обратный ток тиристора
- повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода
повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода
Шобр.и.п
IRRM
Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
повторяющийся импульсный обратный ток тиристора
Обратный ток тиристора, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением.
Обозначение
Iобр,и
IRRM
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
44. Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода
E. Repetitive peak reverse current
F. Courant inverse de pointe répétitif
Iобр.и.п
Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
63. Повторяющийся импульсный обратный ток тиристора
E. Repetitive peak reverse current
F. Courant inverse de pointe répétitif
Iобр,п
Обратный ток тиристора, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > repetitive peak reverse current
-
84 thermal resistance
- термическое сопротивление тепловой трубы
- термическое сопротивление
- тепловое сопротивление тиристора
- тепловое сопротивление диода
- тепловое сопротивление
тепловое сопротивление
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
тепловое сопротивление диода
, Rth
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
тепловое сопротивление тиристора
Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме.
Обозначение
RT
Rth
Примечания
1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт.
2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
термическое сопротивление
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
термическое сопротивление тепловой трубы
RТ.Т
Величина, численно равная отношению разности между среднеповерхностными температурами стенок испарительной и конденсационной зон к значению передаваемой мощности.
[ ГОСТ 23073-78]Тематики
Обобщающие термины
EN
21. Тепловое сопротивление диода
D. Wärmewiderstand
E. Thermal resistance
F. Résistance thermique
RΘ
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
126. Тепловое сопротивление тиристора
E. Thermal resistance
F. Résistance thermique
RT
Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме.
Примечания:
1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт.
2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > thermal resistance
-
85 grille
- управляющий вывод полупроводникового прибора
- сетка электровакуумного прибора
- координатная сетка чертежа печатной платы
- затвор (в транзисторе)
затвор
Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
координатная сетка чертежа печатной платы
координатная сетка
Сетка, определяющая положение элементов рисунка печатной платы в прямоугольной или полярной системе координат.
[ ГОСТ 20406-75]
координатная сетка чертежа печатной платы
Сетка, определяющая положение элементов рисунка печатной платы в прямоугольной системе координат.
[ ГОСТ Р 53386-2009]Тематики
Синонимы
EN
FR
сетка электровакуумного прибора
Электрод электровакуумного прибора, имеющий одно или более отверстий, через которые проходят электроны или ионы.
[ ГОСТ 13820-77]Тематики
EN
FR
управляющий вывод полупроводникового прибора
Вывод полупроводникового прибора, через который течет только ток управления.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
FR
49. Координатная сетка чертежа печатной платы
Координатная сетка
E.Grid
F. Grille
Сетка, определяющая положение элементов рисунка печатной платы в прямоугольной или полярной системе координат
Источник: ГОСТ 20406-75: Платы печатные. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > grille
-
86 phototransistor
фототранзистор
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
17. Фототранзистор
D. Phototransistor
E. Phototransistor
F. Phototransistor
-
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > phototransistor
-
87 Smart-Power-Bauelemente
прил.микроэл. силовые полупроводниковые приборы с "интеллектом", силовые полупроводниковые приборы со встроенным микропроцессоромУниверсальный немецко-русский словарь > Smart-Power-Bauelemente
-
88 temps total d’établissement
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps total d’établissement
-
89 temps total de coupure
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps total de coupure
-
90 retard à la décroissance
время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
tзд.выкл
td(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la décroissance
-
91 temps de décroissance
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de décroissance
-
92 capacité d’entrée
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
входная емкость полевого транзистора
входная емкость
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C11и
C11ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité d’entrée
-
93 capacité de sortie
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité de sortie
-
94 gain en puissance
- коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > gain en puissance
-
95 courant directe de grille
максимально допустимый прямой ток затвора
-
Обозначение
IЗ(пр)max
IGFmax
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant directe de grille
-
96 Einschaltzeit
- время срабатывания магнитоуправляемого контакта
- время включения полевого транзистора
- время включения биполярного транзистора
- время включения
время включения
Интервал времени между началом замыкания и моментом, когда в главной цепи появится ток.
МЭК 60050(441-17-40).
[ ГОСТ Р 50030. 1-2000 ( МЭК 60947-1-99)]
время включения
Интервал времени между моментом подачи команды на включение выключателя, находящегося в отключенном положении, и моментом начала протекания тока в первом полюсе.
Примечания
1 Время включения содержит время оперирования любого вспомогательного оборудования, необходимого для включения выключателя и являющегося неотъемлемой частью выключателя.
2 Время включения может изменяться в зависимости от времени дуги при включении
[ ГОСТ Р 52565-2006]
время включения аппарата
Интервал времени с момента подачи команды на включение коммутационного аппарата до момента появления заданных условий для прохождения тока в его главной цепи.
[ ГОСТ 17703-72]EN
make-time
the interval of time between the initiation of the closing operation and the instant when the current begins to flow in the main circuit
[IEV number 441-17-40]FR
durée d'établissement
intervalle de temps entre le début de la manoeuvre de fermeture et l'instant où le courant commence à circuler dans le circuit principal
[IEV number 441-17-40]См. также собственное время включения
Параллельные тексты EN-RU
1
Breaker closed - apply auxillary power to activate the release.
Выключатель во включенном положении. Начинает прикладываться внешнее усилие, направленное на отключение.
2
Contact separation - start of arc.
Наличие зазора между разомкнутыми контактами. Возникновение дуги.
3
Extinction of arc.
Погасание дуги.
4
Breacer open - initiation of closing movement.
Выключатель в отключенном положении. Инициирование включения.
5
Current starts to flow in the conducting path (preignition)
Начало протекания тока (начало горения дуги в изоляционном промежутке между разомкнутыми контактами).
6
Contact touch.
Соприкосновение контактов.
-
Opening time.
Собственное время отключения.
-
Arcing time
Время дуги.
-
Make time.
Время включения.
-
Break time/Interrupting time
-
Dead time.
Бестоковая пауза.
-
Closing time.
Собственное время включения.
-
Reclosing time.
Цикл автоматического повторного включения.
[Siemens]
[Перевод Интент]
Тематики
- аппарат, изделие, устройство...
- выключатель автоматический
- выключатель, переключатель
- высоковольтный аппарат, оборудование...
Синонимы
EN
DE
FR
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время срабатывания магнитоуправляемого контакта
Значение интервала времени от начала воздействия управляющего магнитного поля до последнего замыкания замыкающего или размыкания размыкающего магнитоуправляемого контакта при срабатывании
[ ГОСТ 17499-82]EN
-
FR
-
Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Einschaltzeit
-
97 Ausschaltzeit
- полное время отключения выключателя
- время отпускания магнитоуправляемого контакта
- время выключения полевого транзистора
- время выключения биполярного транзистора
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время отпускания магнитоуправляемого контакта
Значение интервала времени от начала уменьшения управляющего магнитного поля до последнего размыкания замыкающего или последнего замыкания размыкающего магнитоуправляемого контакта при отпускании
[ ГОСТ 17499-82]EN
-
FR
-
Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
время отключения
Интервал времени между началом времени размыкания контактного коммутационного аппарата (или преддугового времени плавкого предохранителя) и моментом угасания дуги.
МЭК 60050(441-17-39).
[ ГОСТ Р 50030. 1-2000 ( МЭК 60947-1-99)]
полное время отключения
Интервал времени между началом операции отключения и окончанием погасания дуги во всех полюсах.
[ ГОСТ Р 52565-2006]
полное время отключения выключателя
Время срабатывания расцепителей, механизма выключателя, расхождения силовых контактов и окончания гашения дуги в дугогасительных камерах (используется при проверке селективности защиты).
[А.В.Беляев. Выбор аппаратуры, защит и кабелей в сетях 0,4 кВ. - Л.: Энергоатомиздат. 1988.]EN
break-time
the interval of time between the beginning of the opening time of a mechanical switching device (or the pre-arcing time of a fuse) and the end of the arcing time
[IEV number 441-17-39]FR
durée de coupure
intervalle de temps entre le début de la durée d'ouverture d'un appareil mécanique de connexion, ou le début de la durée de préarc d'un fusible, et la fin de la durée d'arc
[IEV number 441-17-39]См. также собственное время отключения
Параллельные тексты EN-RU 1
Breaker closed - apply auxillary power to activate the release.
Выключатель во включенном положении. Начинает прикладываться внешнее усилие, направленное на отключение.
2
Contact separation - start of arc.
Наличие зазора между разомкнутыми контактами. Возникновение дуги.
3
Extinction of arc.
Погасание дуги.
4
Breacer open - initiation of closing movement.
Выключатель в отключенном положении. Инициирование включения.
5
Current starts to flow in the conducting path (preignition)
Начало протекания тока (начало горения дуги в изоляционном промежутке между разомкнутыми контактами).
6
Contact touch.
Соприкосновение контактов.
-
Opening time.
Собственное время отключения.
-
Arcing time
Время дуги.
-
Make time.
Время включения.
-
Break time/Interrupting time
-
Dead time.
Бестоковая пауза.
-
Closing time.
Собственное время включения.
-
Reclosing time.
Цикл автоматического повторного включения.
[Siemens]
[Перевод Интент]
Тематики
- аппарат, изделие, устройство...
- выключатель автоматический
- выключатель, переключатель
Синонимы
EN
DE
FR
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Ausschaltzeit
-
98 Anstiegszeit
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Anstiegszeit
-
99 Abfallzeit
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Abfallzeit
-
100 Eingangskapazität
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
входная емкость полевого транзистора
входная емкость
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C11и
C11ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Eingangskapazität
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия