-
101 Ausgangskapazität
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Ausgangskapazität
-
102 Thyristordiode
диодный тиристор
динистор
Тиристор, имеющий два вывода.
[ ГОСТ 15133-77]
диодный тиристор
динистор
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
триодный тиристор
тринистор
Тиристор, имеющий три вывода.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Thyristordiode
-
103 Rückwirkungskapazität
емкость обратной связи биполярного транзистора
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
проходная емкость полевого транзистора
проходная емкость
Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C12и
C12ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора
D. Rückwirkungskapazität
E. Feedback capacitance
F. Capacité de couplage à réaction
С*12
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Rückwirkungskapazität
-
104 Leistungsverstärkung
- коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Leistungsverstärkung
-
105 maximal zulässige Impulsverlustleistung
- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора
- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
Pи max
PM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора
Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов.
Обозначение
Pиmax
PMmax
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
DE
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung
E. Maximum peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crête maximale
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Impulsverlustleistung
-
106 gate
- шибер
- управляющий электрод
- селекторный импульс
- пробировать
- Порт цифрового коммутационного блока
- порт цифрового коммутационного блока
- подъёмный щит
- логический элемент
- литник
- клинкетная задвижка
- интервал времени регистрации
- затвор гидротехнический
- затвор гидросооружения
- затвор (полевого транзистора)
- затвор (в транзисторе)
- затвор (в полупроводниковых приборах)
- запорный элемент (клапана)
- ворота
ворота
1. Проём в стене или ограде для пропуска транспортных средств, закрываемый специальным заполнением.
2. Само заполнение, закрывающее воротный проём.
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]EN
DE
FR
запорный элемент (клапана)
—
[ http://slovarionline.ru/anglo_russkiy_slovar_neftegazovoy_promyishlennosti/]Тематики
EN
затвор (в полупроводниковых приборах)
Структура, используемая для управления выходным током (например, потоком носителей в канале) в полевых транзисторах; в МОП-транзисторах затвор состоит из контакта затвора и тонкой пленки оксида; в полевых транзисторах с затвором Шотки затвор – контакт Шотки; в полевых транзисторах с p-n переходом – металл и p-n переход.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
затвор
Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
затвор (полевого транзистора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
затвор гидросооружения
Подвижная конструкция, предназначенная для закрывания и открывания отверстий гидротехнического сооружения и регулирования пропускаемого расхода воды.
[ ГОСТ 19185-73]
Тематики
EN
DE
FR
затвор гидротехнический
Подвижная конструкция, предназначенная для закрывания и открывания отверстий гидротехнического сооружения и регулирования пропускаемого расхода воды
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]
затвор гидротехнический
Подвижная конструкция, производящая полное или частичное закрытие (открытие) водопропускных сооружений и регулирование расхода воды.
[СО 34.21.308-2005]Тематики
EN
DE
FR
интервал времени регистрации
(необходимый для оценки функций корреляции)
[ http://slovarionline.ru/anglo_russkiy_slovar_neftegazovoy_promyishlennosti/]Тематики
EN
клинкетная задвижка
—
[ http://slovarionline.ru/anglo_russkiy_slovar_neftegazovoy_promyishlennosti/]Тематики
EN
литник
Канал для заполнения литейной формы расплавленной массой
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]EN
DE
FR
логический элемент
Устройство для выполнения логических операций.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 99. Теория механизмов и машин. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1984 г.]
(логический) элемент
(логическая) схема
вентиль
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва]
Тематики
- Булева алгебра, элементы цифровой техники
- теория механизмов и машин
Обобщающие термины
Синонимы
EN
FR
подъёмный щит
—
[ http://slovarionline.ru/anglo_russkiy_slovar_neftegazovoy_promyishlennosti/]Тематики
EN
порт цифрового коммутационного блока
Микроэлектронное устройство обмена данными между управляющими устройствами и цифровыми коммутационными блоками.
[ ГОСТ 28704-90]Тематики
- электросвязь, основные понятия
Обобщающие термины
EN
пробировать
пропускать
—
[ http://slovarionline.ru/anglo_russkiy_slovar_neftegazovoy_promyishlennosti/]Тематики
Синонимы
EN
селекторный импульс
стробирующий импульс
строб-импульс
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
управляющий электрод
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
шибер
Подвижная прямоугольная или фигурная пластинка, используемая в качестве заслонки в воздуховодах, дымоходах и т.д.
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]Тематики
- вентиляция в целом
- отопление, горяч. водоснабж. в целом
EN
DE
FR
16. Порт цифрового коммутационного блока
Gate
Микроэлектронное устройство обмена данными между управляющими устройствами и цифровыми коммутационными блоками
Источник: ГОСТ 28704-90: Единая система средств коммутационной техники. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate
-
107 input capacitance
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
входная емкость полевого транзистора
входная емкость
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C11и
C11ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
входная ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > input capacitance
-
108 source
- производитель
- поставщик (продукции)
- модель предоставления
- источник риска
- источник примеси
- источник (происхождения)
- источник (в оптических линиях связи)
- источник (в менеджменте риска)
- источник (в геологии)
- источник
- исток (полевого транзистора)
- исток (в полупроводниковых приборах)
- исток
исток
Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
исток (в полупроводниковых приборах)
Один из трех выводов полевого транзистора; сильно легированная область, из которой в канал инжектируются основные носители.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
исток (полевого транзистора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
источник
отправитель (сообщения)
—
[ http://www.rfcmd.ru/glossword/1.8/index.php?a=index&d=4464]
источник
1. Термин теории графов; то же, что начальное событие в сетевом графике. См. Событие, Сетевое планирование и управление (СПУ). 2. В сетевой постановке транспортной задачи — пункт производства (в отличие от пункта потребления, называемого стоком).
[ http://slovar-lopatnikov.ru/]Тематики
Синонимы
EN
источник
Естественный сосредоточенный выход подземных вод на земную поверхность или под водой
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]
источник
ключ
родник
Естественный выход подземной воды непосредственно на земную поверхность.
[ Словарь геологических терминов и понятий. Томский Государственный Университет]Тематики
- водоснабжение и канализация в целом
- геология, геофизика
- гидрология суши
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
источник
Объект или деятельность с потенциальными последствиями
Примечание - Применительно к безопасности источник представляет собой опасность (см. Аспекты безопасности. Правила включения в стандарты)
[ ГОСТ Р 51897-2002]Тематики
EN
FR
источник (происхождения)
поставщик
—
[ http://slovarionline.ru/anglo_russkiy_slovar_neftegazovoy_promyishlennosti/]Тематики
Синонимы
EN
модель предоставления
См. выбор модели предоставления услуг.
[Словарь терминов ITIL версия 1.0, 29 июля 2011 г.]EN
source
See service sourcing.
[Словарь терминов ITIL версия 1.0, 29 июля 2011 г.]Тематики
EN
производитель
Сторона, которая изготовляет или собирает компонент.
Примечание - Производитель и поставщик могут быть одним лицом или компанией.
[ГОСТ ИСО / ТО 10949- 2007]EN
3.18 источник (source): Объект или деятельность с потенциальными последствиями.
Примечание - Применительно к безопасности источник представляет собой опасность (см. ИСО/МЭК Руководство 51).
[ИСО/МЭК Руководство 73:2002, пункт 3.1.5]
Источник: ГОСТ Р ИСО/МЭК 16085-2007: Менеджмент риска. Применение в процессах жизненного цикла систем и программного обеспечения оригинал документа
3.44 источник риска (source): Объект или деятельность, которые самостоятельно или в комбинации с другими обладают возможностью вызывать повышение риска.
Примечание - Источник риска может быть материальным или нематериальным.
[Руководство ИСО/МЭК 73]
Источник: ГОСТ Р 53647.4-2011: Менеджмент непрерывности бизнеса. Руководящие указания по обеспечению готовности к инцидентам и непрерывности деятельности оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > source
-
109 CMOS
КМОП
Комплементарная структура металл-оксид-полупроводник. Семейство логических элементов, получаемых за счет комбинации n-канальных и p-канальных МОП-транзисторов.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
комплементарная МОП-структура
КМОП
—
[Е.С.Алексеев, А.А.Мячев. Англо-русский толковый словарь по системотехнике ЭВМ. Москва 1993]Тематики
Синонимы
EN
комплементарный металло-оксидный полупроводник
КМОП
Распространенный тип полупроводников, использующих как положительный, так и отрицательный контур. Поскольку одновременно включен только один тип контура, CMOS-микросхемы потребляют меньше энергии, чем микросхемы, в которых используются транзисторы одного типа. Датчики изображения CMOS позволяют расположить цепи обработки данных на той же микросхеме, что невозможно при использовании более дорогих CCD-датчиков
[ http://www.alltso.ru/publ/glossarij_setevoe_videonabljudenie_terminy/1-1-0-34]Тематики
Синонимы
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > CMOS
-
110 noise figure
коэффициент шума биполярного транзистора
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент шума полевого транзистора
коэффициент шума
Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
32. Коэффициент шума биполярного транзистора
D. Rauschzahl
E. Noise figure
F. Facteur de bruit
Kш
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > noise figure
-
111 transient thermal impedance
переходное тепловое сопротивление диода
, Z(th)t
Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала.
Примечание
Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
переходное тепловое сопротивление тиристора
Отношение изменения разности в конце интервала времени между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности тиристора в начале того же интервала времени, вызывающему изменение температуры.
Обозначение
ZT
Ztht
Примечания
1. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри тиристора должно быть постоянным во времени.
2. Переходное тепловое сопротивление приводится как функция продолжительности интервала времени.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
134. Переходное тепловое сопротивление тиристора
E. Transient thermal impedance
F. Impédance thermique transitoire
ZT
Отношение изменения разности в конце интервала времени между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности тиристора в начале того же интервала времени, вызывающему изменение температуры.
Примечания:
1. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри тиристора должно быть постоянным во времени.
2. Переходное тепловое сопротивление приводится как функция продолжительности интервала времени
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > transient thermal impedance
-
112 simple apparatus
простое электрооборудование
Электрический элемент или комбинация элементов простой конструкции с конкретными электрическими параметрами, которые не нарушают искробезопасность цепи, в которой они используются.
[ ГОСТ Р МЭК 60050-426-2006]
Тематики
EN
3.1.5 простое электрооборудование (simple apparatus): Электрический элемент или комбинация элементов простой конструкции с точно определенными электрическими параметрами, не нарушающие искробезопасности цепи, в которой они используются.
Источник: ГОСТ Р 52350.11-2005: Электрооборудование для взрывоопасных газовых сред. Часть 11. Искробезопасная электрическая цепь "I" оригинал документа
3.4.5 простое электрооборудование (simple apparatus): Электрическое устройство или совокупность электрических устройств простой конструкции с установленными значениями электрических параметров, которые соответствуют параметрам искробезопасной электрической цепи, в которой они используются.
Примечание - Считают простым следующее электрооборудование:
a) пассивные электрические устройства, например выключатели, распределительные коробки, резисторы и простые полупроводниковые приборы;
b) электрические устройства, способные накапливать энергию, с установленными электрическими параметрами, значения которых учитывают при определении искробезопасности цепей (например конденсаторы или катушки индуктивности);
c) электрические устройства, способные генерировать энергию, например термопары и фотоэлементы, параметры которых не превышают 1,5 В, 100 мА и 25 мВт. Значения индуктивности или емкости, которыми обладают эти электрические устройства, учитывают, как указано в подпункте b).
Источник: ГОСТ Р 52350.14-2006: Электрооборудование для взрывоопасных газовых сред. Часть 14. Электроустановки во взрывоопасных зонах (кроме подземных выработок) оригинал документа
3.5.4 простое электрооборудование (simple apparatus): Электрическое устройство или совокупность электрических устройств простой конструкции с установленными значениями электрических параметров, которые соответствуют параметрам искробезопасной электрической цепи, в которой они используются.
Примечание - Считают простым следующее электрооборудование:
a) пассивные электрические устройства, например выключатели, распределительные коробки, резисторы и простые полупроводниковые приборы;
b) электрические устройства, способные накапливать энергию, с установленными электрическими параметрами, значения которых учитывают при определении искробезопасности цепей (например конденсаторы или катушки индуктивности);
c) электрические устройства, способные генерировать энергию, например термопары и фотоэлементы, параметры которых не превышают 1,5 В, 100 мА и 25 мВт. Значения индуктивности или емкости, которыми обладают эти электрические устройства, учитывают, как указано в перечислении b).
Источник: ГОСТ Р МЭК 60079-14-2008: Взрывоопасные среды. Часть 14. Проектирование, выбор и монтаж электроустановок оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > simple apparatus
-
113 thermal capacitance
тепловая емкость диода
, Cth
Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
тепловая емкость тиристора
Отношение тепловой энергии к разности между температурой перехода и температурой в заданной контрольной точке корпуса тиристора.
Обозначение
CT
Cth
Примечание
Тепловая емкость приводится в Дж/К или Дж/°С.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
удельная тепловая ёмкость
удельная теплоёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
133. Тепловая емкость тиристора
E. Thermal capacitance
F. Capacité thermique
CT
Отношение тепловой энергии к разности между температурой перехода и температурой в заданной контрольной точке корпуса тиристора.
Примечание. Тепловая емкость приводится в Дж/К или Дж/°С
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > thermal capacitance
-
114 gate current
- ток управляющего электрода (тиристора)
- ток управления тиристора
- ток управления (магнитного усилителя)
- ток затвора (полевого транзистора)
- ток затвора
ток затвора (полевого транзистора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
ток управления (магнитного усилителя)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
ток управления тиристора
Ток, протекающий через управляющий вывод и заданный основной вывод тиристора.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
ток управляющего электрода (тиристора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
E. Gate current
F. Courant de gâchette
-
Ток, протекающий через управляющий вывод и заданный основной вывод тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate current
-
115 output power
- генерируемая мощность
- выходная мощность пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра
- выходная мощность прибора СВЧ
- выходная мощность генераторной лампы
- выходная мощность биполярного транзистора
- выходная мощность
- выработка электроэнергии
выработка электроэнергии
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
выходная мощность
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
выходная мощность биполярного транзистора
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.
Обозначение
Pвых
Pout
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
выходная мощность генераторной лампы
выходная мощность
Ндп. мощность, отдаваемая генераторной лампой
Мощность, отдаваемая генераторной лампой во внешнюю высокочастотную цепь.
Примечание
Величина расчетная (непрсредственно не измеряемая).
[ ГОСТ 20412-75]Недопустимые, нерекомендуемые
- мощность, отдаваемая генераторной лампой
Тематики
Синонимы
EN
FR
выходная мощность прибора СВЧ
выходная мощность
Рвых
СВЧ мощность, отдаваемая прибором СВЧ в нагрузку с заданными параметрами.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
выходная мощность пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра (Pвых, Pout)
Значение мощности, измеренное на выходном нагрузочном полном сопротивлении пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра.
[ ГОСТ 18670-84]Тематики
EN
FR
генерируемая мощность
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
55. Выходная мощность генераторной лампы*
Выходная мощность
Ндп. Мощность, отдаваемая генераторной лампой
E. Output power
F. Puissance de sortie
Мощность, отдаваемая генераторной лампой во внешнюю высокочастотную цепь
Источник: ГОСТ 20412-75: Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие. Термины и определения оригинал документа
194. Выходная мощность прибора СВЧ
Выходная мощность
Output power
Pвых
СВЧ мощность, отдаваемая прибором СВЧ в нагрузку с заданными параметрами
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
60. Выходная мощность биполярного транзистора
D. Ausgangsleistung
E. Output power
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > output power
-
116 instabilité à long terme de la tension de régulation
временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
δUст
δUZ
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode
E. Working voltage long-term instability
F. Instabilité à long terme de la tension de régulation
δUст
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > instabilité à long terme de la tension de régulation
-
117 rapport de température de bruit
выходное шумовое отношение СВЧ диода
Nm
Nr
Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
132. Выходное шумовое отношение СВЧ диода
E. Output noise ratio
F. Rapport de température de bruit
Nm
Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > rapport de température de bruit
-
118 résistance apparente directe
динамическое сопротивление выпрямительного диода
rдин
rT
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода
D. Dynamischer Widerstand der Diode
E. Slope resistance
F. Résistance apparente directe
rдин
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > résistance apparente directe
-
119 résistance différentielle
дифференциальное сопротивление диода
rдиф, r
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
19. Дифференциальное сопротивление диода
D. Differentieller Widerstand der Diode
E. Differential resistance
F. Résistance différentielle
rдиф
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > résistance différentielle
-
120 résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation
дифференциальное сопротивление стабилитрона
rст
rz
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона
D. Z-Widerstand der Z-Diode
E. Differential resistance within the working voltage range
F. Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation
rст
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия