-
101 Sperrschicht
запирающий слой
Ндп. запорный слой
Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом.
[ ГОСТ 15133-77]
запирающий слой
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Sperrschicht
-
102 Gate
затвор
Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gate
-
103 Impulsverlustleistung
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Impulsverlustleistung
-
104 Halbleiterimpulsdiode
импульсный полупроводниковый диод
импульсный диод
Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Halbleiterimpulsdiode
-
105 Inversionsschicht
инверсионный слой
—
[ http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]EN
inversion layer
The atmosphere layer through which an inversion occurs. (Source: MGH)
[http://www.eionet.europa.eu/gemet/alphabetic?langcode=en]Тематики
EN
DE
FR
инверсный слой
Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Inversionsschicht
-
106 Induktivität der Diode
индуктивность диода
Lп, Ls
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Induktivität der Diode
-
107 Halbleiterinjektionslaufzeitdiode
инжекционно-пролетный диод
Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Halbleiterinjektionslaufzeitdiode
-
108 Infrarotemitterdiode
инфракрасный излучающий диод
И-К диод
Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Infrarotemitterdiode
-
109 IRED
инфракрасный излучающий диод
И-К диод
Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > IRED
-
110 Quelle
исток
Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
источник
Естественный сосредоточенный выход подземных вод на земную поверхность или под водой
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]
источник
ключ
родник
Естественный выход подземной воды непосредственно на земную поверхность.
[ Словарь геологических терминов и понятий. Томский Государственный Университет]Тематики
- водоснабжение и канализация в целом
- геология, геофизика
- гидрология суши
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
родник
Естественный сосредоточенный выход подземной воды на поверхность земли.
[ ГОСТ 30813-2002]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Quelle
-
111 Source
исток
Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Source
-
112 Kanál
канал
1. Искусственный открытый водовод
2. Протяжённая полость
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]
канал
Искусственный открытый водовод в земляной выемке или насыпи
[ ГОСТ 19185-73]
канал
Водовод незамкнутого поперечного сечения в виде искусственного русла в грунтовой выемке и/или насыпи.
[СО 34.21.308-2005]Тематики
EN
DE
FR
проводящий канал
Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда.
Примечания
1. Данное понятие не следует смешивать с "каналом утечки", возникающим в месте выхода p-n перехода на поверхность кристалла.
2. Проводящий канал может быть n или p-типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kanál
-
113 Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes
катодный вывод полупроводникового прибора
Вывод полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes
-
114 Kollektorgebiet
коллекторная область
коллектор
Область полупроводникового прибора, назначением которой является экстракция носителей из базовой области.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektorgebiet
-
115 Kollektorübergang
коллекторный переход
Электрический переход между базовой и коллекторной областями полупроводникового прибора.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektorübergang
-
116 Halbleiter-HF-Schaltdiode
коммутационный полупроводниковый диод
коммутационный диод
Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
DE
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Halbleiter-HF-Schaltdiode
-
117 Konversionsübergang
конверсионный переход
Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Konversionsübergang
-
118 Gehäuse eines Halbleiterbauelementes
корпус полупроводникового прибора
корпус
Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gehäuse eines Halbleiterbauelementes
-
119 Spannungsübertragungsfaktor rückwärts
коэффициент обратной передачи напряжения
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению.
Обозначение
S12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
DE
47. Коэффициент обратной передачи напряжения
D. Spannungsübertragungsfaktor rückwärts
S*12
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Spannungsübertragungsfaktor rückwärts
-
120 Kleinsignalspannungsrückwirkung
- коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току.
Обозначение
h12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalspannungsrückwirkung
E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
h*12
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kleinsignalspannungsrückwirkung
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия