-
81 Heteroübergang
гетерогенный переход
гетеропереход
Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Heteroübergang
-
82 homogener Übergang
гомогенный переход
гомопереход
Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > homogener Übergang
-
83 Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)
граничная частота коэффициента передачи тока
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.
Обозначение
fгр
ft
Примечание
Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
30. Граничная частота коэффициента передачи тока
D. Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)
E. Transition frequency
F. Fréquence de transition
fгр
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.
Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz)
-
84 Halbleiterdemodulatordiode
детекторный полупроводниковый диод
детекторный диод
Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Halbleiterdemodulatordiode
-
85 Gunn-Element
диод Ганна
Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gunn-Element
-
86 Schottky-Diode
диод Шоттки
Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Schottky-Diode
-
87 rückwärts sperrende Thyristordiode
- диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении
диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении
Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > rückwärts sperrende Thyristordiode
-
88 rückwärts leitende Thyristordiode
- диодный тиристор, проводящий в обратном направлении
диодный тиристор, проводящий в обратном направлении
Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > rückwärts leitende Thyristordiode
-
89 diffundierter Übergang
диффузионный переход
Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > diffundierter Übergang
-
90 Gütefaktor der Kapazitätsdiode
добротность варикапа
Qв
Qeff
Отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gütefaktor der Kapazitätsdiode
-
91 Drifttransistor
дрейфовый транзистор
Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Drifttransistor
-
92 Defektelektronengebiet
дырочная область
p-область
Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Defektelektronengebiet
-
93 pp+ - Übergang
дырочно-дырочный переход
p-p+ переход
Электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Примечание
В терминах "дырочно-дырочный переход" и "электронно-электронный переход" "+" условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
- p-p+ переход
EN
- P-P+ junction
DE
- pp+ - Übergang
FR
- jonction P-P+
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > pp+ - Übergang
-
94 Gate-Source Kapazität
емкость затвор-исток
Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Обозначение
Cзио
Cgso
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gate-Source Kapazität
-
95 Gate-Drain-Kapazität
емкость затвор-сток
Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Обозначение
Cзсо
Cgdo
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gate-Drain-Kapazität
-
96 Kapazität der Kollektorsperrschicht
емкость коллекторного перехода
Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи.
Обозначение
CК
CC
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
44. Емкость коллекторного перехода
D. Kapazität der Kollektorsperrschicht
E. Collector capacitance
F. Capacité collecteur
Cк
Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kapazität der Kollektorsperrschicht
-
97 Drain-Source-Kapazität
емкость сток-исток
Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Обозначение
Cсио
Cdso
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Drain-Source-Kapazität
-
98 Kapazität der Emittersperrschicht
емкость эмиттерного перехода
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи.
Обозначение
CЭ
Ce
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
43. Емкость эмиттерного перехода
D. Kapazität der Emittersperrschicht
E. Emitter capacitance
F. Capacité émetteur
Cэ
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kapazität der Emittersperrschicht
-
99 Blockierzustand eines Thyristors
закрытое состояние тиристора
Состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольтамперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Blockierzustand eines Thyristors
-
100 abschaltbarer Thyristor
запираемый тиристор
Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.
Примечание
Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > abschaltbarer Thyristor
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия