-
41 период нарастания
-
42 время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
- Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
- temps de montée de réponse impulsionnelle du photomultiplicateur (photocellule)
37. Время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of pulse response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée de réponse impulsionelle du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
-
43 время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
- Anstiegszeit der Üdergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
- Anstiegszeit der Übergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Übergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
34. Время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Üdergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of transient response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée du photocourant du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
-
44 время нарастания (вторичного напряжения)
время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания (вторичного напряжения)
-
45 время нарастания (импульса)
время нарастания (импульса)
Интервал времени между моментами, в которых мгновенное значение импульса впервые достигает заданного нижнего значения и затем заданного верхнего значения. Если не задано иного, нижнее и верхнее значения фиксируются на величинах 10 % и 90 % от максимального значения импульса (МСЭ-Т K.34).
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]
время нарастания (импульса)
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания (импульса)
-
46 время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
- temps de montée de réponse impulsionnelle du photomultiplicateur (photocellule)
37. Время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of pulse response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée de réponse impulsionelle du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
-
47 время нарастания обратного тока восстановления тиристора
время нарастания обратного тока восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения.
Обозначение
tнр, обр
tS
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
115. Время нарастания обратного тока восстановления тиристора
E. Reverse recovery current rise time
F. Temps de croissance d’un courant de recouvrement inverse
tнр,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания обратного тока восстановления тиристора
-
48 время нарастания переходной характеристики импульсного фотометра
время нарастания переходной характеристики импульсного фотометра (τ0,1-0,9)
Интервал времени, в течение которого функция, описывающая реакцию импульсного фотометра, нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от максимального значения.
Примечание
В случае немонотонной переходной характеристики максимальное значение функции, описывающей реакцию фотометра или его элемента, определяется как ордината прямоугольного импульса, имеющего со вспомогательным импульсом, образованным частью переходной характеристики от ее начала до момента затухания колебательных процессов, равные интегралы по времени от функции, описывающей реакцию, и от квадрата этой функции, причем длительность вспомогательного импульса должна превышать время нарастания переходной характеристики не менее чем в 10 раз.
[ ГОСТ 24286-88]Тематики
- оптика, оптические приборы и измерения
Обобщающие термины
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания переходной характеристики импульсного фотометра
-
49 время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Übergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
34. Время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Üdergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of transient response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée du photocourant du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
-
50 критическая скорость нарастания тока разряда молнии
критическая скорость нарастания тока разряда молнии
Минимальное значение скорости нарастания критического тока разряда молнии, которое должно выдержать оборудование для соблюдения допустимой частоты повреждений. Этот параметр связан с последующим ходом вспышки молнии (МСЭ-Т K.56).
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > критическая скорость нарастания тока разряда молнии
-
51 скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
Значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое.
Обозначение
dUзс/dt
dUD/dt
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- vitesse de croissance de la tension à l’état bloqué
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
-
52 Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
Время нарастания импульса
Rise time
tнр.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
-
53 предельная скорость нарастания выходного сигнала
3.2.6 предельная скорость нарастания выходного сигнала (slew-rate limit), В/с: Скорость нарастания выходного сигнала в ответ на ступенчатый входной сигнал.
Источник: ГОСТ Р 53567-2009: Акустика. Методы описания и измерения единичного импульса или последовательностей импульсов оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > предельная скорость нарастания выходного сигнала
-
54 время нарастания (вторичного напряжения)
время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания (вторичного напряжения)
-
55 время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
- temps de montée de réponse impulsionnelle du photomultiplicateur (photocellule)
- Temps de montée de réponse impulsionelle du photomultiplicateur (photocellule)
время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
- temps de montée de réponse impulsionnelle du photomultiplicateur (photocellule)
37. Время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of pulse response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée de réponse impulsionelle du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
-
56 время нарастания обратного тока восстановления тиристора
- Temps de croissance d’un courant de recouvrement inverse
- temps de croissance d'un courant de recouvrement inverse
время нарастания обратного тока восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения.
Обозначение
tнр, обр
tS
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
115. Время нарастания обратного тока восстановления тиристора
E. Reverse recovery current rise time
F. Temps de croissance d’un courant de recouvrement inverse
tнр,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания обратного тока восстановления тиристора
-
57 время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Übergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
34. Время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Üdergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of transient response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée du photocourant du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
-
58 скорость нарастания люминесценции
скорость нарастания люминесценциихуткасць нарастання люмінесцэнцыіРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > скорость нарастания люминесценции
-
59 слой нарастания
слой нарастанияслой нарастанняРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > слой нарастания
-
60 темп нарастания
См. также в других словарях:
время нарастания — 3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений. Примечание Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии — 65 Источник: ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
номинальная скорость нарастания напряжения возбуждения (быстродействие системы возбуждения) — vн Номинальная скорость нарастания напряжения возбудителя в режиме форсировки, представляющая собой приращение напряжения возбудителя в секунду, выраженное в долях номинального напряжения возбуждения синхронной машины. Номинальная скорость… … Справочник технического переводчика
Время нарастания импульса — 27 Источник: ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары — 65. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Rate of rise of state voltage Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Конус нарастания — закругленно конусовидная верхушка растущего осевого органа (стебля, корня) растения, состоящая из образовательной ткани (меристемы (См. Меристема)). У водорослей, мохообразных, папоротников и хвощей К. н. представлен одной начальной… … Большая советская энциклопедия
время нарастания сигнала интегральной микросхемы — время нарастания сигнала Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня… … Справочник технического переводчика
критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары — критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения Наибольшая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары, которое непосредственно после нагрузки током в противоположном направлении не вызывает переключения… … Справочник технического переводчика
критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары — критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Наибольшая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины параметры оптопар,… … Справочник технического переводчика
максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы — максимальная скорость нарастания выходного напряжения Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного … Справочник технического переводчика
скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы — скорость нарастания выходного напряжения Ндп. скорость отслеживания Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной… … Справочник технического переводчика