-
21 критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
- vitesse critique de croissance de la tension à l’état bloqué
критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое.
Обозначение
(duзс/dt)кр
(duD/dt)crit
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- vitesse critique de croissance de la tension à l’état bloqué
12. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
E. Critical rate of rise of off-state voltage
F. Vitesse critique de croissance de la tension à l’état bloqué
Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
-
22 критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
- vitesse critique de croissance du courant à l’état passant
критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
Наибольшее значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии.
Обозначение
(dioc/dt)кр
(diT/dt)crit
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- vitesse critique de croissance du courant à l’état passant
59. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
E. Critical rate of rise of on-state current
F. Vitesse critique de croissance du courant à l’état passant
Наибольшее значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
-
23 скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
- vitesse de croissance de la tension à l’état bloqué
скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
Значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое.
Обозначение
dUзс/dt
dUD/dt
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- vitesse de croissance de la tension à l’état bloqué
11. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
Е. Rate of rise of off-state voltage
F. Vitesse de croissance de la tension à l’état bloqué
Значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
-
24 скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
- vitesse de croissance du courant à l’état passant
скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
Значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии.
Обозначение
dioc/dt
diT/dt
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- vitesse de croissance du courant à l’état passant
58. Скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
E. Rate of rise of on-state current
F. Vitesse de croissance du courant à l’état passant
Значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
-
25 время нарастания
Авиация и космонавтика. Русско-английский словарь > время нарастания
-
26 время нарастания ФЭПП
время нарастания ФЭПП
время нарастания
Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
Обозначение
т0,1-0,9
tr
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания ФЭПП
-
27 время нарастания для полевого транзистора
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для полевого транзистора
-
28 время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД
Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его максимального значения.
[ ГОСТ 18177-81]Тематики
Обобщающие термины
- основные радиометрические параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
-
29 время нарастания
время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]
время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.
Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.
Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания
-
30 время нарастания ФЭПП
время нарастания ФЭПП
время нарастания
Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
Обозначение
т0,1-0,9
tr
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания ФЭПП
-
31 время нарастания для полевого транзистора
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для полевого транзистора
-
32 время нарастания импульса газового ионизационного детектора
время нарастания импульса газового ионизационного детектора
время нарастания импульса
Интервал времени, в течение которого импульс газового ионизационного детектора возрастает от 0,1 до 0,9 амплитудного значения.
[ ГОСТ 19189-73]Тематики
Синонимы
EN
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульса газового ионизационного детектора
-
33 время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД
Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его максимального значения.
[ ГОСТ 18177-81]Тематики
Обобщающие термины
- основные радиометрические параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
-
34 скорость нарастания выходного сигнала
3.2.5 скорость нарастания выходного сигнала (slew-rate), В/с: Величина нарастания выходного сигнала в единицу времени.
Источник: ГОСТ Р 53567-2009: Акустика. Методы описания и измерения единичного импульса или последовательностей импульсов оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > скорость нарастания выходного сигнала
-
35 время нарастания ФЭПП
время нарастания ФЭПП
время нарастания
Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
Обозначение
т0,1-0,9
tr
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания ФЭПП
-
36 время нарастания для полевого транзистора
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для полевого транзистора
-
37 время нарастания импульса газового ионизационного детектора
время нарастания импульса газового ионизационного детектора
время нарастания импульса
Интервал времени, в течение которого импульс газового ионизационного детектора возрастает от 0,1 до 0,9 амплитудного значения.
[ ГОСТ 19189-73]Тематики
Синонимы
EN
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульса газового ионизационного детектора
-
38 время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД
Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его максимального значения.
[ ГОСТ 18177-81]Тематики
Обобщающие термины
- основные радиометрические параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
-
39 скорость нарастания давления
скорость ж нарастания давления см. быстрота нарастания давленияРусско-немецкий словарь по энергетике > скорость нарастания давления
-
40 время нарастания
См. также в других словарях:
время нарастания — 3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений. Примечание Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии — 65 Источник: ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
номинальная скорость нарастания напряжения возбуждения (быстродействие системы возбуждения) — vн Номинальная скорость нарастания напряжения возбудителя в режиме форсировки, представляющая собой приращение напряжения возбудителя в секунду, выраженное в долях номинального напряжения возбуждения синхронной машины. Номинальная скорость… … Справочник технического переводчика
Время нарастания импульса — 27 Источник: ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары — 65. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Rate of rise of state voltage Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Конус нарастания — закругленно конусовидная верхушка растущего осевого органа (стебля, корня) растения, состоящая из образовательной ткани (меристемы (См. Меристема)). У водорослей, мохообразных, папоротников и хвощей К. н. представлен одной начальной… … Большая советская энциклопедия
время нарастания сигнала интегральной микросхемы — время нарастания сигнала Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня… … Справочник технического переводчика
критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары — критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения Наибольшая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары, которое непосредственно после нагрузки током в противоположном направлении не вызывает переключения… … Справочник технического переводчика
критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары — критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Наибольшая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины параметры оптопар,… … Справочник технического переводчика
максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы — максимальная скорость нарастания выходного напряжения Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного … Справочник технического переводчика
скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы — скорость нарастания выходного напряжения Ндп. скорость отслеживания Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной… … Справочник технического переводчика