-
1 время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для биполярного транзистора
-
2 время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания сигнала интегральной микросхемы
-
3 время нарастания тиристора
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания тиристора
-
4 заряд за время нарастания тиристора
заряд за время нарастания тиристора
Заряд, вытекающий из тиристора за время нарастания обратного тока восстановления.
Обозначение
Qнр
Qs
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
122. Заряд за время нарастания тиристора
E. Rise time charge
F. Charge de temps de sroissance
Qнр
Заряд, вытекающий из тиристора за время нарастания обратного тока восстановления
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > заряд за время нарастания тиристора
-
5 критическая скорость нарастания коммутационного напряжения тиристора
критическая скорость нарастания коммутационного напряжения тиристора
Наибольшее значение скорости нарастания основного напряжения тиристора, которое непосредственно после нагрузки током и открытом состоянии или в обратном проводящем состоянии в противоположном направлении не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое.
Обозначение
(duзс/dt)kom
(duD/dt)com
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
13. Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения тиристора
E. Critical rate of rise of commutating
voltage
F. Vitesse critique de croissance de la tension de commutation
Наибольшее значение скорости нарастания основного напряжения тиристора, которое непосредственно после нагрузки током и открытом состоянии или в обратном проводящем состоянии в противоположном направлении не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > критическая скорость нарастания коммутационного напряжения тиристора
-
6 критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
- vitesse critique de croissance de la tension à l’état bloqué
критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое.
Обозначение
(duзс/dt)кр
(duD/dt)crit
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- vitesse critique de croissance de la tension à l’état bloqué
12. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
E. Critical rate of rise of off-state voltage
F. Vitesse critique de croissance de la tension à l’état bloqué
Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
-
7 критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
- vitesse critique de croissance du courant à l’état passant
критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
Наибольшее значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии.
Обозначение
(dioc/dt)кр
(diT/dt)crit
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- vitesse critique de croissance du courant à l’état passant
59. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
E. Critical rate of rise of on-state current
F. Vitesse critique de croissance du courant à l’état passant
Наибольшее значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
-
8 скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
- vitesse de croissance de la tension à l’état bloqué
скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
Значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое.
Обозначение
dUзс/dt
dUD/dt
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- vitesse de croissance de la tension à l’état bloqué
11. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
Е. Rate of rise of off-state voltage
F. Vitesse de croissance de la tension à l’état bloqué
Значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
-
9 скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
- vitesse de croissance du courant à l’état passant
скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
Значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии.
Обозначение
dioc/dt
diT/dt
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- vitesse de croissance du courant à l’état passant
58. Скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
E. Rate of rise of on-state current
F. Vitesse de croissance du courant à l’état passant
Значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора
-
10 время нарастания ФЭПП
время нарастания ФЭПП
время нарастания
Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
Обозначение
т0,1-0,9
tr
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания ФЭПП
-
11 время нарастания для полевого транзистора
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для полевого транзистора
-
12 время нарастания импульса газового ионизационного детектора
время нарастания импульса газового ионизационного детектора
время нарастания импульса
Интервал времени, в течение которого импульс газового ионизационного детектора возрастает от 0,1 до 0,9 амплитудного значения.
[ ГОСТ 19189-73]Тематики
Синонимы
EN
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульса газового ионизационного детектора
-
13 время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД
Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его максимального значения.
[ ГОСТ 18177-81]Тематики
Обобщающие термины
- основные радиометрические параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
-
14 время нарастания (вторичного напряжения)
время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания (вторичного напряжения)
-
15 время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
- temps de montée de réponse impulsionnelle du photomultiplicateur (photocellule)
- Temps de montée de réponse impulsionelle du photomultiplicateur (photocellule)
время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
- temps de montée de réponse impulsionnelle du photomultiplicateur (photocellule)
37. Время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Impulscharakteristik des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of pulse response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée de réponse impulsionelle du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого импульсная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от своего максимального значения
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания импульсной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
-
16 время нарастания обратного тока восстановления тиристора
- Temps de croissance d’un courant de recouvrement inverse
- temps de croissance d'un courant de recouvrement inverse
время нарастания обратного тока восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения.
Обозначение
tнр, обр
tS
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
115. Время нарастания обратного тока восстановления тиристора
E. Reverse recovery current rise time
F. Temps de croissance d’un courant de recouvrement inverse
tнр,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания обратного тока восстановления тиристора
-
17 время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса.
[ ГОСТ 20526-82]Тематики
EN
DE
- Anstiegszeit der Übergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
FR
34. Время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
D. Anstiegszeit der Üdergangsfunktion des Photovervielfachers (der Photozelle)
E. Rise time of transient response of photomultiplier (photocell)
F. Temps de montée du photocourant du photomultiplicateur (photocellule)
Интервал времени, в течение которого переходная характеристика фотоумножителя (фотоэлемента) нарастает в пределах уровней от 0,1 до 0,9 от значения, которое она принимает после окончания переходного процесса
Источник: ГОСТ 20526-82: Приборы электровакуумные фотоэлектронные. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания переходной характеристики фотоумножителя (фотоэлемента)
-
18 сигнал нарастания передающей телевизионной электронно-лучевой трубки
сигнал нарастания передающей телевизионной электронно-лучевой трубки
Сигнал, генерируемый передающей телевизионной электронно-лучевой трубкой через заданное время после начала освещения поверхности фоточувствительного слоя.
[ ГОСТ 17791-82]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > сигнал нарастания передающей телевизионной электронно-лучевой трубки
-
19 время нарастания
Русско-французский политехнический словарь > время нарастания
-
20 крутизна нарастания тока
Русско-французский политехнический словарь > крутизна нарастания тока
См. также в других словарях:
время нарастания — 3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений. Примечание Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии — 65 Источник: ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
номинальная скорость нарастания напряжения возбуждения (быстродействие системы возбуждения) — vн Номинальная скорость нарастания напряжения возбудителя в режиме форсировки, представляющая собой приращение напряжения возбудителя в секунду, выраженное в долях номинального напряжения возбуждения синхронной машины. Номинальная скорость… … Справочник технического переводчика
Время нарастания импульса — 27 Источник: ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары — 65. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Rate of rise of state voltage Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Конус нарастания — закругленно конусовидная верхушка растущего осевого органа (стебля, корня) растения, состоящая из образовательной ткани (меристемы (См. Меристема)). У водорослей, мохообразных, папоротников и хвощей К. н. представлен одной начальной… … Большая советская энциклопедия
время нарастания сигнала интегральной микросхемы — время нарастания сигнала Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня… … Справочник технического переводчика
критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары — критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения Наибольшая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары, которое непосредственно после нагрузки током в противоположном направлении не вызывает переключения… … Справочник технического переводчика
критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары — критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Наибольшая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины параметры оптопар,… … Справочник технического переводчика
максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы — максимальная скорость нарастания выходного напряжения Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного … Справочник технического переводчика
скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы — скорость нарастания выходного напряжения Ндп. скорость отслеживания Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной… … Справочник технического переводчика