-
101 resistance unstability coefficient
нестабильность сопротивления ФЭПП
Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению .
Обозначение
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- coefficient de l’instabilité de résistance
143. Нестабильность сопротивления ФЭПП
D. Instabilitätskoefiizient des Widerstandes
E. Resistance unstability coefficient
F. Coefficient de 1'instabilité de résistance
Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > resistance unstability coefficient
-
102 dark current unstability coefficient
нестабильность темнового тока ФЭПП
Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению: ΔIT/IT.
Обозначение
ΔIT/IT
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- coefficient de l’instabilité du courant d’obscurité
144. Нестабильность темнового тока ФЭПП
D. Instabilitätskoeffizient des Dunkelstromes
E. Dark current unstability coefficient
F. Coefficient de l'instabilité du courant d'obscurité
Отношение максимального отклоне ния темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению:
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dark current unstability coefficient
-
103 spectral sensitivity range
область спектральной чувствительности ФЭПП
Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения.
Обозначение
Δλ
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
87. Область спектральной чувствительности ФЭПП
D. Spektralcr Empfindlichkeitsbereich
E. Spectral sensitivity range
F. Part sensible spectral
Dλ
Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > spectral sensitivity range
-
104 total current
общий ток ФЭПП
Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока.
Обозначение
Iобщ
Itot
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
полный ток
суммарный ток
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
60. Общий ток ФЭПП
D. Gesamtstrom
E. Total current
F. Courant total
Iобщ
Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total current
-
105 base total current of a phototransistor
общий ток базы фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ б
Iэобщ б
Iкобщ б
IBB
IBE
IBC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
121. Общий ток базы фототранзистора
D. Basisgesamtstrom eines Phototransis-tors
E. Base total current of a phototransistor
F. Courant total de base de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > base total current of a phototransistor
-
106 collector total current of a phototransistor
общий ток коллектора фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ к
Iэобщ к
Iкобщ к
ICB
ICE
ICC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
119. Общий ток коллектора фототранзистора
D. Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector total current of a phototransistor
F. Courant total du collecteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector total current of a phototransistor
-
107 emitter total current of a phototransistor
общий ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ э
Iэобщ э
Iкобщ э
IEB
IEE
IEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant total d’émetteur de phototransistor
120. Общий ток эмиттера фототранзистора
D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors
E. Emitter total current of a phototransistor
F. Courant total d'émetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter total current of a phototransistor
-
108 field effect phototransistor
полевой фототранзистор
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Photofeldeffekttransistor
E. Field effect phototransistor
F. Phototransistor à effet de champ
-
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > field effect phototransistor
-
109 series resistance
последовательное сопротивление фотодиода
Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода.
Обозначение
Rпосл
RS
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
96. Последовательное сопротивление фотодиода
D. Reihenwiderstand einer Photodiode
E. Series resistance
F. Résistance série
Rпосл
Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > series resistance
-
110 breakdown voltage of a photodiode
пробивное напряжение фотодиода
Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения.
Обозначение
Uпр
UBR
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
50. Пробивное напряжение фотодиода
D. Durchbruchspannung einer Photodiode
E. Breakdown voltage of a photodiode
F. Tension de claquage de photodiode
Uпр
Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > breakdown voltage of a photodiode
-
111 figure ol merit straggling
разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП
Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.
Примечание
В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра.
Обозначение
δx
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП
D. Parameterstreuung
E. Figure ol merit straggling
F. Dispersion de figure de mérite
δx
Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.
Примечание. В буквенном обозначении вместо «X» следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > figure ol merit straggling
-
112 responsivity surface distribution
распределение чувствительности по элементу ФЭПП
Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда на светочувствительном элементе.
Обозначение
S(x,y)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
192. Распределение чувствительности по элементу ФЭПП
D. Empfindlichkeitsoberflächenverteilung
E. Responsivity surface distribution
F. Distribution superficielle de la réponse
S (x, у)
Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда на светочувствительном элементе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > responsivity surface distribution
-
113 floating-base phototransistor operation
режим работы фототранзистора с плавающей базой
Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой
D. Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis
E. Floating-base phototransistor operation
F. Régime du phototransistor de basis flottante
-
Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > floating-base phototransistor operation
-
114 light unstability
световая нестабильность ФЭПП
Изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении.
Обозначение
ν
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
147. Световая нестабильность ФЭПП
D. Lichtinstabilität
E. Light unstability
F. Instabilité lumineuse
v
Изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > light unstability
-
115 base dark current
темновой ток базы фототранзистора
-
Обозначение
Iбтб
Iэтб
Iктб
IBBO
IBEO
IBCO
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité de base
111. Темновой ток базы фототранзистора
D. Basisdunkelstrom
E. Base dark current
F. Courant d'obscurité de base
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > base dark current
-
116 collector dark current
темновой ток коллектора фототранзистора
-
Обозначение
Iбтк
Iэтк
Iктк
ICEO
ICBO
ICCO
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité du collecteur
109. Темновой ток коллектора фототранзистора
D. Kollektordunkelstrom
E. Collector dark current
F. Courant d'obscurité du collecteur
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector dark current
-
117 emitter dark current
темновой ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбтэ
Iэтэ
Iктэ
IEBO
IEEO
IECO
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité d’émetteur
110. Темновой ток эмиттера фототранзистора
D. Emitterdunkelstrom
E. Emitter dark current
F. Courant d'obscurité d'émetteur
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter dark current
-
118 zero drift-temperature characteristic
температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода
Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры.
Обозначение
X0(T)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
187. Температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода
D. Temperaturverlauf der Nullpunktdrift
E. Zero drift-temperature characteristic
w
Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > zero drift-temperature characteristic
-
119 noise voltage-temperature characteristic
температурная характеристика напряжения шума ФЭПП
-
Обозначение
Uш(T)
Un(T)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
184. Температурная характеристика напряжения шума ФЭПП
D. Temperaturverlauf der Rauschspannung
E. Noise voltage-temperature characteristic
UШ (T)
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > noise voltage-temperature characteristic
-
120 NEP-temperature characteristic
- температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
-
Обозначение
Фп1(T)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
185. Температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
D. Temperaturverlauf der äquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenz-hand
E. NEP-temperature characteristic
Фп1 (T)
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > NEP-temperature characteristic
См. также в других словарях:
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Фотоэлектродвижущая сила — 16. Фотоэлектродвижущая сила Фото ЭДС Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на р п переходе под действием оптического излучения Источник: ГОСТ 21934 83: Приемники излучения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации