-
41 operating voltage
- рабочее напряжение ФЭПП
- рабочее напряжение
- номинальное напряжение ЭОП
- напряжение оперативного постоянного тока
напряжение оперативного постоянного тока
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
номинальное напряжение ЭОП
Напряжение, при котором измеряются и нормируются параметры электронно-оптического преобразователя.
Обозначение
UH
[ ГОСТ 19803-86]Тематики
EN
DE
FR
рабочее напряжение
Максимальное напряжение, которому подвергается рассматриваемая часть прибора, когда прибор работает при его номинальном напряжении и в условиях нормальной работы.
Примечания.- Принимают во внимание различные положения управляющих и коммутационных устройств.
- Рабочее напряжение учитывает резонансные напряжения.
- При определении рабочего напряжения не принимают во внимание влияние переходных напряжений.
рабочее напряжение
Значение фактического напряжения, подаваемого на действующий электронагреватель.
[ ГОСТ Р МЭК 60050-426-2006]
рабочее напряжение
Наибольшее среднеквадратичное значение напряжения переменного или постоянного тока на любой конкретной изоляции, которое имеет место, когда на оборудование подают номинальное напряжение.
Примечания.- Переходные процессы не учитывают.
- Условия разомкнутой цепи и нормальные рабочие условия принимают во внимание.
рабочее напряжение
Максимальное среднее квадратическое значение постоянного или переменного напряжения на концах изоляционного материала при запитывании выключателя номинальным напряжением.
Примечания
1 Неустойчивостью пренебрегают.
2 Как состояние открытой цепи, так и рабочее состояние не принимают во внимание
[ ГОСТ Р 51324.2.1-99 (МЭК 60669-2-1-96)]EN
working voltage
highest r.m.s. value of the a.c. or d.c. voltage across any particular insulation which can occur when the equipment is supplied at rated voltage
[IEV number 581-21-19]
working voltage
highest r.m.s. value of the AC or DC voltage across any particular insulation which can occur when the equipment is supplied at rated voltage
NOTE 1 – Transients are disregarded.
NOTE 2 – Both open circuit conditions and normal operating conditions are taken into account.
[IEV number 851-12-31]FR
tension de service
valeur efficace la plus élevée de la tension en courant alternatif ou en courant continu à travers tout isolant particulier, pouvant se produire lorsque le matériel est alimenté à la tension assignée
[IEV number 581-21-19]
tension locale
valeur efficace la plus élevée de la tension en courant alternatif ou continu qui peut apparaître à travers n'importe quelle isolation lorsqu'un matériel est alimenté sous la tension assignée
NOTE 1 – Les surtensions transitoires sont négligées.
NOTE 2 – Il est tenu compte à la fois des conditions à vide et des conditions normales de fonctionnement.
[IEV number 851-12-31]Тематики
- выключатель, переключатель
- изделие электроустановочное
- прибор электрический
- электробезопасность
- электроустановки
EN
DE
- Arbeitsspannung, f
FR
рабочее напряжение ФЭПП
Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе.
Обозначение
Uр
Uop
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
3.18 рабочее напряжение (operating voltage): Значение фактического напряжения, подаваемого на действующий электронагреватель.
Источник: ГОСТ Р МЭК 60079-30-1-2009: Взрывоопасные среды. Резистивный распределенный электронагреватель. Часть 30-1. Общие технические требования и методы испытаний оригинал документа
D.Betriebsspannung
E. Operating voltage
F. Tension de régime
Tension de service
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > operating voltage
-
42 photoelectric signal voltage
напряжение фотосигнала ФЭПП
Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Обозначение
Uc
US
Примечание
Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
61. Напряжение фотосигнала ФЭПП
D. Photosignalspannung
E. Photoelectric signal voltage
F. Tension de signal photoélectrique
uc
Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > photoelectric signal voltage
-
43 noise voltage
напряжение шума
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
напряжение шума ФЭПП
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот.
Обозначение
UШ
Un
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
шумовое напряжение
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
шумовое напряжение полевого транзистора
шумовое напряжение
Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком.
Обозначение
Uш
Un
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
D. Rauschspannung
E. Noise voltage
F. Tension de bruit
Uш
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > noise voltage
-
44 spacing response non-uniformity
неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S(x,y), измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности.
Обозначение
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
D. Flächenungleichmässigkeit der Empfindlichkeit
E. Spacing response non-uniformity
F. Non-uniformité de la réponse spatiale
Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S (x, у) измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > spacing response non-uniformity
-
45 response unstability coefficient
нестабильность чувствительности ФЭПП
Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению.
Обозначение
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- coefficient de l’instabilité de la réponse
145. Нестабильность чувствительности ФЭПП
D. Instabilitätskoeffizient der Empfindlichkeit
E. Response unstability coefficient
F. Coefficient de l'instabilité de la réponse
Отношение максимального отклонения напряжения фотоситнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > response unstability coefficient
-
46 collector-base total current of a phototransistor
общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iбобщ к
ICB H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-base total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-base de phototransistor
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-base total current of a phototransistor
-
47 collector-emitter total current of a phototransistor
общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iэобщ к
ICE H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-emitter total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-émetteur de phototransistor
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-emitter total current of a phototransistor
-
48 angular field of view
плоский угол зрения ФЭПП
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Обозначение
2ß
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Gesichtsfeldwinkel
E. Angular field of view
F. Angle d'ouverture
2b
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > angular field of view
-
49 collector-base breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-base breakdown voltage of a phototransistor
-
50 collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
-
51 emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
-
52 emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
-
53 noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
радиационный порог чувствительности ФЭПП
Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры.
Обозначение
ФП рад
ФBLIP
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
- noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
FR
83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП
E. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
F. Puissance équivalente au bruit du philra détecteur
Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
-
54 dark current
темновой ток
Сигнал, возникающий на выходе ПЗС-матрицы при отсутствии падающего света.
[ http://www.vidimost.com/glossary.html]Тематики
- телевидение, радиовещание, видео
EN
темповой ток ФЭПП
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Iт
Id
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité
D. Dunkelstrom
E. Dark current
F. Courant d'obscurité
It
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dark current
-
55 collector-emitter dark current of a phototransistor
темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IэТ К
IСEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-émetteur de phototransistor
112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors
E. Collector-emitter dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité collecteur-émetteur de phototransistor
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-emitter dark current of a phototransistor
-
56 emitter-base dark current of a phototransistor
темновой ток эмиттер-база фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ Э
IEBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor
114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Emitter-base dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité émetteur-base de phototransistor
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-base dark current of a phototransistor
-
57 emitter-collector dark current of a phototransistor
темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IкТ Э
IECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Emitter-collector dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-collector dark current of a phototransistor
-
58 photoelectric signal current
ток фотосигнала ФЭПП
Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Обозначение
Ic
IS
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Photosignalstrom
E. Photoelectric signal current
F. Courant de signal photoélectrique
Ic
Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > photoelectric signal current
-
59 current responsivity of the phototransistor
токовая чувствительность фототранзистора
Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току.
Обозначение
hэ23
hб23
hк23
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
124. Токовая чувствительность фототранзистора
D. Stromempfindlichkeit eines Phototransistors
E. Current responsivity of the phototransistor
F. Réponse en courant du phototransistor
Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > current responsivity of the phototransistor
-
60 responsivity directional distribution
угловая характеристика чувствительности ФЭПП
Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента.
Обозначение
S(θ)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП
D. Empfindlichkeitswinkelverteilung
E. Responsivity directional distribution
F. Distribution directionnelle de la réponse
* На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
** Термины 64 - 74 могут употребляться в различных комбинациях. Например, вольтовая интегральная чувствительность Sи и т (комбинация терминов 69 и 70), вольтовая монохроматическая чувствительность Suλ(комбинация терминов 69 и 71), токовая чувствительность к освещенности SIEи токовая чувствительность к световому потоку SuФ (комбинация терминов 68 с 65 и 67).
Буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации.
В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.
*** Верхний индекс «э», «б», «к» в пп. 102 - 125 указывает на схему включения фототранзистора соответственно с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором.
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > responsivity directional distribution
См. также в других словарях:
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Фотоэлектродвижущая сила — 16. Фотоэлектродвижущая сила Фото ЭДС Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на р п переходе под действием оптического излучения Источник: ГОСТ 21934 83: Приемники излучения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
