-
81 independent operating time
время автономной работы охлаждаемого ФЭПП
Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня.
Обозначение
tраб авт
ti nd
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- durée d’opération autonome
150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП
D. Unabhängige Betriebszeit
E. Independent operating time
F. Durée d'opération autonome
Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > independent operating time
-
82 decay time of the normalized inverse transfer characteristic
время спада ФЭПП
время спада
Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
Обозначение
т0,9-0,1
tf
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
92. Время спада ФЭПП
Время спада
D. Abfallzeit der normierter Umkehrübergangskennhnie
E. Decay time of the normalized inverse transfer characteristic
F. Temps de descente de caractéristique de transmission inverse normalisée
t0,9 - 0,1
Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > decay time of the normalized inverse transfer characteristic
-
83 differential electrical resistance
дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП
Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП.
Обозначение
Rд
Rd
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП
D. Differentieller electrischer Widerstand
E. Differential electrical resistance
F. Résistance differentielle électrique
Rд
Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > differential electrical resistance
-
84 peak spectral response wavelength
длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности.
Обозначение
λmax
λS
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП
D. Wellenlänge der maximalen Spektralempfindlichkeit
E. Peak spectral response wavelength
F. Longueur d'onde de la sensibilité spectrale maximale
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak spectral response wavelength
-
85 injection photodiode
инжекционный фотодиод
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Injektionsphotodiode
E. Injection photodiode
F. Photodiode d'injection
-
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > injection photodiode
-
86 total responsivity
интегральная чувствительность ФЭПП
Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
70. Интегральная чувствительность ФЭПП
D. Gesamtempfindlichkeit
E. Total responsivity
F. Réponse globale
Sинт
Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total responsivity
-
87 relative gain
коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода
Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.
Обозначение
Ky
Примечание
Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
137. Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода
D. Relativer Verstärkungsfaktor
E. Relative gain
F. Gainrelatif
KY
Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.
Примечание. Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > relative gain
-
88 photocurrent multiplication factor
коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода
Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.
Обозначение
Mф
Mph
Примечание
Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
133. Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода
D. Pnotostromvervielfachungsfaktor
E. Photocurrent multiplication factor
F. Facteur de multiplication de photocourant
МФ
Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.
Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > photocurrent multiplication factor
-
89 photocurrent gain factor
коэффициент усиления по фототоку фототранзистора
Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме.
Обозначение
Kуф
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
126. Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора
D. Photostromverstärkungsfaktor
E. Photocurrent gain factor
F. Gain de photocourant
KУФ
Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > photocurrent gain factor
-
90 photoelectric coupling coefficient
коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП
Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики.
Обозначение
Kфс
КС
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП
D. Photoelektrischer Kopplungsfaktor
E. Photoelectric coupling coefficient
F. Coefficient de couplage photoélectrique
Кфс
необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > photoelectric coupling coefficient
-
91 avalanche mode of photodiode operation
лавинный режим работы фотодиода
Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
33. Лавинный режим работы фотодиода
D. Trägerlawinenzustand der Photodiode
E. Avalanche mode of photodiode operation
-
Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > avalanche mode of photodiode operation
-
92 avalanche photodiode
лавинный фотодиод
Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Lawinenphotodiode
E. Avalanche photodiode
F. Photodiode à avalanche
-
Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > avalanche photodiode
-
93 photocurrent-Illuminance characteristic
люкс-амперная характеристика ФЭПП
Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП.
Обозначение
Iф(E)
Iph(E)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
166. Люкс-амперная характеристика ФЭПП
D. Abhängigkeit des Photostroms von der Beleuchtungsstärke
E. Photocurrent-Illuminance characteristic
IФ (E)
Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > photocurrent-Illuminance characteristic
-
94 resistance-Illuminance characteristic
люксомическая характеристика фоторезистора
Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор.
Обозначение
RE(E)
RH(E)
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
165. Люксомическая характеристика фоторезистора
D. Abhängigkeit des inneren Widerstands von der Beleuchtungsstärke
E. Resistance-Illuminance characteristic
RE (E)
Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > resistance-Illuminance characteristic
-
95 maximum admissible power dissipation
максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе.
Обозначение
Pmax
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
D. Maximal zulässige Verlustleistung
E. Maximum admissible power dissipation
F. Puissance dissipée maximale admissible
Рmax
Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum admissible power dissipation
-
96 maximum admissible voltage
максимально допустимое напряжение ФЭПП
Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе.
Обозначение
Umax
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП
D. Maximal zulässige Spannung
E. Maximum admissible voltage
F. Tension maximale admissible
Umax
Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum admissible voltage
-
97 element spacing
межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП
Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП.
Обозначение
Δl
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП
D. Fühlelementenabstand
E. Element spacing
F. Espacement des éléments
Dl
Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП
Отношение напряжения сигнала с
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > element spacing
-
98 base voltage
напряжение на базе фототранзистора
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uэб
Uкб
UBE
UBC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
104. Напряжение на базе фототранзистора
D. Basisspannung
E. Base voltage
F. Tension de base
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
UBC
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > base voltage
-
99 collector voltage
напряжение на коллекторе фототранзистора
Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбк
Uдк
UCB
UCE
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора
D. Kollektorspannung
E. Collector voltage
F. Tension du collecteur
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector voltage
-
100 emitter voltage
напряжение на эмиттере фототранзистора
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uбэ
Uкэ
UEB
UEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- tension d’émetteur
103. Напряжение на эмиттере фототранзистора
D. Emitterspannung
E. Emitter voltage
F. Tension d'émetteur
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
UEC
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter voltage
См. также в других словарях:
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Фотоэлектродвижущая сила — 16. Фотоэлектродвижущая сила Фото ЭДС Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на р п переходе под действием оптического излучения Источник: ГОСТ 21934 83: Приемники излучения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации