-
21 blocking layer
1) электрон. запирающий слой2) обеднённый слой ( в полупроводниках) -
22 burnout power
-
23 charge center
-
24 crowding effect
1) эффект шнурования ( тока)3) вчт. набегание ( битов или знаков)Англо-русский словарь технических терминов > crowding effect
-
25 defect center
дефект; примесный центр ( в полупроводниках) -
26 donor center
-
27 drift space
-
28 gap gradient
-
29 impurity center
Англо-русский словарь технических терминов > impurity center
-
30 inversion layer
Англо-русский словарь технических терминов > inversion layer
-
31 ovonic memory
ЗУ на аморфных полупроводниках, ЗУ на элементах Овшинского -
32 pyramid
пирамида (1. геометрическое тело 2. поверхностный дефект в полупроводниках) -
33 recombination center
рекомбинационный центр, центр рекомбинации ( в полупроводниках)Англо-русский словарь технических терминов > recombination center
-
34 transport coefficient
Англо-русский словарь технических терминов > transport coefficient
-
35 transport factor
Англо-русский словарь технических терминов > transport factor
-
36 trapping center
центр захвата, ловушка ( в полупроводниках)Англо-русский словарь технических терминов > trapping center
-
37 донорный центр
( в полупроводниках) donor center -
38 запирающий контакт
( в полупроводниках) blocking contactАнгло-русский словарь технических терминов > запирающий контакт
-
39 заряженный центр
( в полупроводниках) charge centerАнгло-русский словарь технических терминов > заряженный центр
-
40 коэффициент переноса
Англо-русский словарь технических терминов > коэффициент переноса
См. также в других словарях:
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN reverse recovery time … Справочник технического переводчика
рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… … Энциклопедический словарь по металлургии
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ — (АЭВ), вз ствие УЗ волн (с частотой =107 1013 Гц) с эл нами проводимости в металлах и ПП; обусловлено изменением внутрикристаллического поля, при деформации решётки кристалла под действием распространяющейся УЗ волны. АЭВ явл. частным случаем… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия