-
1 ионное травление
-
2 ионное травление
Ionenätzen, Ionenätzung -
3 ионно-химическое травление
advmicroel. chemisch unterstutztes Ionenstrahlatzen, chemisch unterstütztes Ionenstrahlätzen, reaktives Ionenatzen, reaktives IonenätzenУниверсальный русско-немецкий словарь > ионно-химическое травление
-
4 ионное травление
-
5 реактивное ионное травление
adjmicroel. reaktives Ionenatzen, reaktives IonenätzenУниверсальный русско-немецкий словарь > реактивное ионное травление
-
6 реактивное ионное травление
Russian-german polytechnic dictionary > реактивное ионное травление
См. также в других словарях:
Ionenätzen — Die Ionendünnung ist ein häufig angewandtes physikalisches Verfahren, was zur Strukturierung meist elektrischer Bauelemente, sowie zum Herstellen dünnster Proben angewendet wird. Es handelt sich hierbei um ein Trockenätzverfahren. Andere… … Deutsch Wikipedia
Ionenätzen — joninis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion etching vok. Ionenätzen, n rus. ионное травление, n pranc. décapage ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
Anlage für reaktives Ionenätzen — reaktyvusis joninis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ionic etcher vok. Anlage für reaktives Ionenätzen, f rus. установка реактивного ионного травления, f pranc. système de décapage ionique réactif, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Beständigkeit gegen reaktives Ionenätzen — atsparumas reaktyviajam joniniam ėsdinimui statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion etch resistance vok. Beständigkeit gegen reaktives Ionenätzen, f rus. стойкость к реактивному ионному травлению, f pranc. résistance au… … Radioelektronikos terminų žodynas
reaktives Ionenätzen — reaktyvusis joninis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion etching; reactive ion milling vok. reaktives Ionenätzen, n rus. реактивное ионное травление, n pranc. décapage ionique réactif, m … Radioelektronikos terminų žodynas
reaktives Ionenätzen — reaktives Ionen|ätzen, englisch Reactive ion etching [rɪ æktɪv aɪən etʃɪȖ], Abkürzung RIE, Halbleitertechnik: ein dem Plasmaätzen verwandtes Trockenätzverfahren, bei dem im Gegensatz zu diesem die zu ätzenden Halbleiterscheiben (Wafer) auf der… … Universal-Lexikon
RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem … Deutsch Wikipedia
Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen … Deutsch Wikipedia
LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… … Deutsch Wikipedia
Halbleitertechnologie — Die Halbleitertechik definiert sich historisch und aufgrund der Verwendung der Produkte als Schlüsselkomponenten in elektrotechnischen Erzeugnissen als Teilgebiet der Elektrotechnik. Trifft man die Zuordnung aufgrund der eingesetzten Methoden und … Deutsch Wikipedia