-
61 пороговое напряжение полевого транзистора
пороговое напряжение полевого транзистора
пороговое напряжение
Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Обозначение
UЗИ.пор
UGST
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пороговое напряжение полевого транзистора
-
62 постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе.
Обозначение
P
Ptot
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- total input power (d.c.) to all electrodes
DE
FR
- puissance totale d’entrée (continue) de toutes les électrodes
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Gesamtverlustleistung
E. Total input power (d.c.) to all electrodes
F. Puissance totale d’entrée (continúe) de toutes les electrodes
Р
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
63 предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.
Обозначение
fh21
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
D. Grenzfrequenz der Stromverstärkung
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de conpure
fh21
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
-
64 время включения биполярного транзистора
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время включения биполярного транзистора
-
65 время включения полевого транзистора
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время включения полевого транзистора
-
66 время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
tзд.выкл
td(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время задержки выключения полевого транзистора
-
67 время задержки для биполярного транзистора
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время задержки для биполярного транзистора
-
68 время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для биполярного транзистора
-
69 время нарастания для полевого транзистора
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для полевого транзистора
-
70 время спада для биполярного транзистора
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время спада для биполярного транзистора
-
71 время спада для полевого транзистора
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время спада для полевого транзистора
-
72 входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y11
y11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit input admittance
F. Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
y*11
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
73 входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.
Обозначение
h11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
74 выходная мощность биполярного транзистора
выходная мощность биполярного транзистора
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.
Обозначение
Pвых
Pout
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
60. Выходная мощность биполярного транзистора
D. Ausgangsleistung
E. Output power
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходная мощность биполярного транзистора
-
75 выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора
выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора
Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей.
Обозначение
Pвых,п.о
Примечание
Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора
-
76 выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
- Small-signal value of the short-circuit output admittance
- 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
- 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
1. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току.
Обозначение
h22
2. Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
- 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
DE
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
FR
- 1. valeur de l'admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux
- 2. valeur de l'admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit output admittance
F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*22
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
77 импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
78 коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора
коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд.
Обозначение
M5
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора
-
79 коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора
коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд.
Обозначение
M3
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора
-
80 коэффициент насыщения биполярного транзистора
коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. степень насыщения
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения.
Обозначение
Kнас
Ksat
[ ГОСТ 20003-74]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
FR
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. Степень насыщения
E. Saturation coefficient
F. Coefficient de saturation
Кнас
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент насыщения биполярного транзистора
См. также в других словарях:
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Модель МОП-транзистора ЭКВ — ЭКВ математическая модель МОП транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф.… … Википедия
структура бокового транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
структура горизонтального транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время выключения биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Обозначение tвыкл toff [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
время рассасывания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Обозначение tрас ts [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN carrier storage time… … Справочник технического переводчика