-
1 затвор
1. (запор, засов) η αμπάρα 2. (гид-ротехнический) о υδροφράκτης, ο υδατο-φράκτης 3. (фотографический) το κλείστρο (του διαφράγματος (της φωτογραφικής μηχανής) 4. (огнестрельного оружия) το κλείστρο 5. (полевого транзистора) η πύληизолированный - απομονωμένη - (трубопровода) το επιστόμιο, η βάναгидравлический - см. водяной -Русско-греческий словарь научных и технических терминов > затвор
-
2 исток
1. (исходный узел графа, сетевого графика или электрод полевого транзистора) η αρχή, το αρχικό κομβίο 2. (реки, ручья) η πηγή.Русско-греческий словарь научных и технических терминов > исток
-
3 корпус
1. тех. το σώμα, ο κορμός, το κέλυφος, το πλαίσιο, η θήκη· - амортизатора - του απορροφητήρα κραδασμών- транзистора - της κρυσταλλολυχνίας, разг. του τρανζίστορ (ξεν.)2. (остов судна) το σκάφος* наружный - судна το εξωτερικό περίβλημα του σκάφους 3. (здание) το (χωριστό) τμήμα (ενός) μεγάλου οικο-δομήματος/κτηρίου 4. полигр. το στοιχείο των 10 στιγμών 5. (туловище) το σώμα.Русско-греческий словарь научных и технических терминов > корпус
См. также в других словарях:
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Модель МОП-транзистора ЭКВ — ЭКВ математическая модель МОП транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф.… … Википедия
структура бокового транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
структура горизонтального транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время выключения биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Обозначение tвыкл toff [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
время рассасывания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Обозначение tрас ts [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN carrier storage time… … Справочник технического переводчика