-
1 коэффициент усиления транзистора
коэффициент усиления транзисторакаэфіцыент узмацнення транзістараРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > коэффициент усиления транзистора
-
2 состояние транзистора открытое
состояние транзистора открытоестан транзістара адкрытыРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > состояние транзистора открытое
-
3 коэффициент
коэффициенткаэфіцыент, -та- коэффициент амбиполярной диффузии
- коэффициент деформационного упрочнения
- коэффициент диффузии
- коэффициент затухания
- коэффициент зеркального отражения
- коэффициент конденсации
- коэффициент лавинного умножения фототока
- коэффициент линейного приближения
- коэффициент линейного расширения
- коэффициент объёмного роста
- коэффициент объёмной электрострикции
- коэффициент оптических потерь
- коэффициент ослабления
- коэффициент отражения
- коэффициент отражения амплитудный
- коэффициент очистки
- коэффициент параметрического отражения
- коэффициент поглощения
- коэффициент поглощения групповой
- коэффициент поглощения спектральный
- коэффициент полезного действия КПД
- коэффициент полезного действия
- коэффициент преломления
- коэффициент преобразования
- коэффициент пропускания
- коэффициент Пуассона
- коэффициент разложения
- коэффициент сдвига центра зоны контакта
- коэффициент сегрегации
- коэффициент символьный
- коэффициент смещения
- коэффициент температуропроводности
- коэффициент теплообмена
- коэффициент термогирационный
- коэффициент термоэлектродвижущей силы
- коэффициент трения
- коэффициент упругости
- коэффициент упругости продольный
- коэффициент усиления
- коэффициент усиления излучения
- коэффициент усиления тока
- коэффициент усиления транзистора
- коэффициент фотоэлектрической связи
- коэффициент Холла
- коэффициент экспоненциальный
- коэффициент экстинкции
- коэффициент экстинкции молярный десятичный
- коэффициент яркостиРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > коэффициент
-
4 состояние
состояние ср.стан, стану м.- состояние аварийное
- состояние аморфное
- состояние атома основное
- состояние безмоментное напряжённое
- состояние верхнее
- состояние вещества
- состояние возбуждённое
- состояние высокомолекулярное
- состояние глюонное
- состояние дважды возбуждённое
- состояние действующее
- состояние духовое
- состояние жидкое
- состояние закритическое
- состояние зарядовое
- состояние изотропное
- состояние ионизированное
- состояние кваркониевого типа
- состояние когерентное
- состояние колебательное
- состояние коллективное
- состояние конденсированное
- состояние конформационное
- состояние короткоживущее
- состояние материала напряжённое
- состояние метастабильное
- состояние напряжённо-деформированное
- состояние напряжённое
- состояние начальное
- состояние нестационарное
- состояние нижнее
- состояние окисное
- состояние оптическое
- состояние основное
- состояние особое
- состояние отрицательной чётности
- состояние поверхностное
- состояние предельное
- состояние рабочее
- состояние реактора
- состояние резонансное
- состояние релятивистское
- состояние сверхпроводящее
- состояние связанное
- состояние сжатое
- состояние теории
- состояние тепловое
- состояние терминальное
- состояние термодинамического равновесия
- состояние транзистора открытое
- состояние триплетное
- состояние экспериментальной базы
- состояние электронноеРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > состояние
См. также в других словарях:
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Модель МОП-транзистора ЭКВ — ЭКВ математическая модель МОП транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования интегральных схем (analog circuit).[1] Модель была разработана С. С. Энцем, Ф.… … Википедия
структура бокового транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
структура горизонтального транзистора — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время выключения биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения. Обозначение tвыкл toff [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
время рассасывания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Обозначение tрас ts [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN carrier storage time… … Справочник технического переводчика