-
21 APSA
сущ.микроэл. Advanced Polysilicon Self-Aligned, усовершенствованная технология МОП ИС с самосовмещённым поликремниевым затвором -
22 BEST
прил.1) радио. BEST (Biconditional Equalized Sgnal Tracking, система коррекции изображения для повышения качества записи/воспроизведения) -
23 Best
прил.1) радио. BEST (Biconditional Equalized Sgnal Tracking, система коррекции изображения для повышения качества записи/воспроизведения) -
24 QSAMOS
сущ. -
25 SACMOS
сокр.сокр. Self-Aligned CMOS -
26 SAG
гл.1) экон. Staatliche Aktiengesellschaft2) микроэл. Self-Aligned Gate, selbstjustierendes Gate, самосовмещённый затвор -
27 SAGMOS
сущ. -
28 SAJI
сокр. -
29 SAMNOS
сущ.микроэл. Self-Aligned Gate MNOS, МНОП-структура с самосовмещёнными затворами, технология ( изготовления) МНОП ИС с самосовмещёнными затворами -
30 SAMOS
сущ.1) сокр. Stacked gate Avalanche injection MOS2) микроэл. Self-Aligned Gate MOS, Stacked-Gate Avalanche Injection MOS, МОП-структура с самосовмещёнными затворами, лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами, технология ( получения) МОП-структур с самосовмещёнными затворами, технология (получения) лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами -
31 SASFET
-
32 SCOT
сокр. -
33 best
прил.1) радио. BEST (Biconditional Equalized Sgnal Tracking, система коррекции изображения для повышения качества записи/воспроизведения) -
34 SACMOS
сокр. от Self-Aligned CMOS -
35 SAGMOS
сокр. от Self-Aligned Gate MOS1) МОП-структура с самосовмещённым затвором; МОП ИС с самосовмещённым затвором -
36 SAMNOS
сокр. от Self-Aligned gate MNOS1) МНОП-структура с самосовмещённым затвором; МНОП ИС с самосовмещённым затвором2) см. SAMNOS-Technik -
37 SAMOS
I f, сокрю от Self-Aligned gate MOS II f, сокрю от Stacked gate Avalanche injection MOS1) [Stacked gate Avalanche injection MOS] лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами2) [Stacked gate Avalanche injection MOS] технология получения лавинно-инжекционных МОП-структур с многоуровневыми затворами
- 1
- 2
См. также в других словарях:
Self-aligned gate — A self aligned gate is a design arrangement where a highly doped gate in a MOSFET is used as a mask for the doping of the source and drain around it. This technique ensures that the gate will always overlap the edges of the source and drain. The… … Wikipedia
Self-aligned gate — Une self aligned gate (qu on pourrait traduire de l anglais par « grille auto alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source… … Wikipédia en Français
self-aligned gate MOS — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate MOS structure — MOP darinys su susitapatinančiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate MOS; self aligned gate MOS structure vok. MOS Struktur mit selbstjustierten Gates, f rus. МОП структура с самосовмещёнными… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate — susitapatinančioji užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate; self registered gate vok. selbstjustiertes Gate, n rus. самосовмещённый затвор, m pranc. grille auto alignée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned oxide-mask bipolar transistor technology — dvipolių tranzistorių su susitapatinančia oksidine kauke technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned oxide mask bipolar transistor technology vok. Bipolartechnologie mit selbstjustierender Oxidmaske, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit selbstjustiertem Gate, m rus. полевой транзистор с самосовмещённым… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned polysilicon-gate MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned thick oxide MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned gate metal-nitride-oxide-semiconductor transistor — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate metal nitride oxide semiconductor transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned integrated circuit — integrinis grandynas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned integrated circuit vok. selbstjustierter integrierter Schaltkreis, m rus. интегральная схема с самосовмещёнными областями, f… … Radioelektronikos terminų žodynas