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p-Epitaxieschicht

См. также в других словарях:

  • Epitaxieschicht — epitaksinis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial layer vok. Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальный слой, m pranc. couche épitaxiale, f …   Fizikos terminų žodynas

  • Substrat mit Epitaxieschicht — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Wafer mit Epitaxieschicht — epitaksinė plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial slice; epitaxial wafer vok. Wafer mit Epitaxieschicht, m rus. пластина с эпитаксиальным слоем, f pranc. tranche à couche épitaxiale, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • arsendotierte Epitaxieschicht — epitaksinis arsenu legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. arsenic doped epitaxial layer vok. arsendotierte Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальный слой, легированный мышьяком, m pranc. couche épitaxiale dopée… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht — epitaksinis padėklinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • durch Kontakt mit einer Flüssigphase aufgewachsene Epitaxieschicht — skystafazės epitaksijos sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. liquid phase epitaxial layer vok. durch Kontakt mit einer Flüssigphase aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальный слой, выращенный из жидкой фазы, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… …   Deutsch Wikipedia

  • IGBT — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… …   Deutsch Wikipedia

  • Igbt — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… …   Deutsch Wikipedia

  • Insulated Gate Bipolar Transistor — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… …   Deutsch Wikipedia

  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode — Schaltzeichen der vier IGBT Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (englisch insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es… …   Deutsch Wikipedia

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