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1 МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения
abbrmicroel. p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, p-Kanal-MOS-Anreicherungs-IFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения
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2 МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения
Универсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения
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3 n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения
adjmicroel. n-Kanal-Anreicherungs-MOSFETУниверсальный русско-немецкий словарь > n-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения
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4 МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа
abbrmicroel. n-Kanal-Anreicherungs-MOSFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа
См. также в других словарях:
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
MISFET — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
Transistoren — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
Transistortechnik — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode — Schaltzeichen der vier IGBT Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (englisch insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es… … Deutsch Wikipedia
