-
41 озоление
озоление
Удаление (путем испарения) органических материалов (например, фоторезиста) с поверхности подложки в среде сильного окислителя, например, озоление с помощью кислородной плазмы.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > озоление
-
42 окисление (в полупроводниковых приборах)
окисление (в полупроводниковых приборах)
Химический процесс соединения кислорода с другим химическим элементом. В полупроводниках окисление означает соединение кислорода и кремния с образованием двуокиси кремния (SiO2).
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > окисление (в полупроводниковых приборах)
-
43 оксид
оксид
В полупроводниковой технологии так обычно обозначается двуокись кремния (SiO2).
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > оксид
-
44 оксидный слой затвора
оксидный слой затвора
Тонкий слой термически образованного оксида, отделяющий электрод (вывод) затвора от полупроводниковой подложки.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > оксидный слой затвора
-
45 осаждение атомарных слоев
осаждение атомарных слоев
Осаждение атомарных слоев, метод осаждения, при котором осаждение каждого атомарного слоя материала управляется предварительно осажденным слоем исходного реагента; исходные реагенты и различные компоненты пленки вводятся попеременно; особенности метода – 100 %-ое покрытие за один этап и очень хорошая конформность; метод используется, например, при осаждении разных диэлектриков для создания МОП-затворов.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > осаждение атомарных слоев
-
46 отдаленная плазма
отдаленная плазма
Данным термином обозначается режим плазменной обработки, при котором подложка располагается отдельно от плазмы и, следовательно, не подвергается непосредственному воздействию плазмы. Необходимые реакции (например, травление) реализуются с помощью извлечения ионизированных элементов из плазмы и их направления к поверхности подложки. Обработка методом отдаленной плазмы позволяет добиться меньшего повреждения поверхности, чем в стандартном процессе, так как при этом генерируемые плазмой ионы долетают до поверхности подложки, уже потеряв часть энергии.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > отдаленная плазма
-
47 отжиг (в полупроводниковых приборах)
отжиг
Тепловая обработка, которой подвергаются подложка, чтобы изменить свойства обрабатываемых материалов или структур, поверхностные или объемные.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]
Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > отжиг (в полупроводниковых приборах)
-
48 пентакис (диметиламин) тантал
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пентакис (диметиламин) тантал
-
49 печь (в полупроводниковых приборах)
печь (в полупроводниковых приборах)
Устройство, используемое при изготовлении полупроводниковых приборов для высокотемпературной обработки подложек в среде строго управляемого состава; используются массивные нагревательные элементы и поэтому не допускаются быстрые изменения температуры подложек; процесс требует большого количества тепловой энергии; экономичной альтернативой является процесс RTP.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > печь (в полупроводниковых приборах)
-
50 плазма (в полупроводниковых приборах)
плазма (в полупроводниковых приборах)
Электропроводящий газ, состоящий из ионизированных частиц, которые используются для вытравливания ненужного материала в процессе химической или физической бомбардировки. Плазменное травление происходит в реакторе, который может быть объемного или плоского типа.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > плазма (в полупроводниковых приборах)
-
51 плазма высокой плотности
плазма высокой плотности
Плазма с высокой концентрацией свободных электронов и, следовательно, высокой концентрацией ионов.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > плазма высокой плотности
-
52 плазменное травление
плазменное травление
Сухое травление, при котором полупроводниковая подложка погружается в плазму, содержащую травящие реагенты; химическая реакция травления происходит с одинаковой скоростью в любом направлении, то есть травление изотропно; может быть очень избирательным; используется тогда, когда не требуется направленность (анизотропия) травления, например, при удалении резиста.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > плазменное травление
-
53 плазмохимическое осаждение из паровой фазы
плазмохимическое осаждение из паровой фазы
Химическое осаждение из паровой фазы при низком давлении с использованием ВЧ-энергии.
—
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > плазмохимическое осаждение из паровой фазы
-
54 полевой транзистор
полевой транзистор
Ндп. канальный транзистор
Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.
Примечание
Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.
[ ГОСТ 15133-77]
полевой транзистор
Полевой транзистор – транзистор, в котором выходной ток (ток исток-сток) управляется напряжением, прилагаемым к затвору, который может иметь МОП-структуру (МОП-транзистор), представлять собой p-n переход (полевой транзистор с p-n переходом) или иметь структуру металл-полупроводник (полевые транзисторы с затвором Шотки); полевой транзистор является униполярным транзистором, то есть ток управляется только главными носителями.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор
-
55 полевой транзистор с p-n переходом
полевой транзистор с p-n переходом
Полевой транзистор, в котором канал и его проводимость управляются изменением ширины объемной заряженной области, связанной с p-n переходом.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор с p-n переходом
-
56 полевые транзисторы с затвором Шотки
полевые транзисторы с затвором Шотки
Полевые транзисторы с контактом металл-полупроводник (диодом Шотки) в качестве затвора; позволяет реализовать полевые транзисторы на полупроводниках, которые не имеют высококачественных природных оксидов (например, GaAs) и поэтому не позволяют получить МОП-затворы.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полевые транзисторы с затвором Шотки
-
57 полив (в полупроводниковых приборах)
полив (в полупроводниковых приборах)
Процесс, используемый для нанесения фоторезиста на поверхность подложки.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полив (в полупроводниковых приборах)
-
58 поликремний
поликремний
Поликристаллический кремний. Форма кремния, состоящая из многих небольших случайно ориентированных кристаллов. Легированный поликремний является проводником электрического тока и часто используется как альтернатива металлу при соединении элементов в интегральных схемах.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > поликремний
-
59 полупроводник
полупроводник
Вещество, основным электрическим свойством которого является сильная зависимость его электропроводности от воздействия внешних факторов.
Примечание — Примером такого внешнего фактора служит температура.
[ ГОСТ Р 52002-2003]
полупроводник
Вещество, обладающее свойствами как проводника, так и изолятора. Типичными полупроводниками являются кремний и германий.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
- полупроводниковые приборы
- электротехника, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полупроводник
-
60 полупроводник n-типа
полупроводник n-типа
Полупроводниковый кристалл, содержащий небольшое количество легирующих атомов, имеющих на один валентный электрон больше, чем другие атомы в кристалле. Эти дополнительные электроны не могут найти незанятые связи, чтобы их занять, поэтому они свободно перемещаются и образуют электрический ток. Обычными легирующими добавками n-типа для кремния являются фосфор и мышьяк.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полупроводник n-типа
См. также в других словарях:
частей на миллион — — [http://www.cscleansystems.com/glossary.html] (МСЭ T G.709/ Y.1331). [http://www.iks media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324] Тематики полупроводниковые приборыэлектросвязь, основные понятия EN parts per millionppm … Справочник технического переводчика
ионная имплантация — Процесс изменения физических или химических свойств приповерхностного слоя твердого тела путем внедрения соответствующих атомов потоком ионизированных частиц. [http://www.manual steel.ru/eng a.html] ионная имплантация Средство для введения… … Справочник технического переводчика
микроэлектромеханические системы — Технология изготовления интегральной схемы при производстве микромеханических, оптических, электромеханических и биосенсорных датчиков [http://www.dunwoodypress.com/148/PDF/Biotech Eng Rus.pdf] микроэлектромеханические системы… … Справочник технического переводчика
предельно допустимая концентрация — — [http://www.dunwoodypress.com/148/PDF/Biotech Eng Rus.pdf] [http://www.cscleansystems.com/glossary.html] Тематики биотехнологииполупроводниковые приборы EN maximum permissible concentrationthreshold limit valueTLV … Справочник технического переводчика
абсорбция — Избирательное поглощение вещества из раствора, или газовой смеси жидкостью или твердым телом в объеме. Примечание Абсорбирующее вещество называется абсорбентом. [ГОСТ 17567 81] абсорбция Поглощение молекул одного вещества непосредственно другим… … Справочник технического переводчика
адсорбция — Самопроизвольное изменение концентрации раствора или газовой смеси вблизи поверхности раздела фаз. Примечание Адсорбирующее твердое тело называется адсорбентом, адсорбируемое вещество адсорбатом. [ГОСТ 17567 81] адсорбция Удерживание физическими… … Справочник технического переводчика
анизотропное травление — Травление, при котором скорость травления в направлении, перпендикулярном к поверхности, много выше, чем в направлении, параллельном поверхности; при этом не происходит никакого подтравливания, то есть минимизирована поперечная деформация… … Справочник технического переводчика
барботажное устройство — Контейнер с жидкостью, через которую пропускается тот или иной инертный газ носитель для переноса некоторого парциального давления жидкости в технологический канал или в реакционную камеру. [http://www.cscleansystems.com/glossary.html] Тематики… … Справочник технического переводчика
барьерный металл — Тонкий слой металла, например, TiN, помещаемый между другим металлом и полупроводником (или изолятором), чтобы предотвратить возможные вредные взаимодействия между ними, например, образование выбросов.… … Справочник технического переводчика
безмасляный насос — Полностью безмасляный (без применения масла) форвакуумный (до вакуума приблизительно 10 3 торр) насос; все чаще используется в новейшем оборудовании для обработки полупроводников, поскольку в нем не используется масло; безмасляный винтовой насос … Справочник технического переводчика
борофосфорносиликатное стекло — Двуокись кремния (кремнезем) с добавкой бора и фосфора, чтобы понизить температуру начала плавления стекла (окиси) с около 950 ºC для чистого SiO2 до около 500 ºC для BPSG; используется для выравнивания поверхности, осажденной методом… … Справочник технического переводчика