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1 модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте.
Обозначение
│h21э│
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[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
D. Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF
E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Module du rapport de transfert direct du courant
|h21э|
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
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2 Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
D. Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung
E. Static value of the forward current transfer ratio
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant
h21Э
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
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3 Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером
Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики
D. Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung
E. Static value of the forward transconductance
F. Pente statique de transfert direct
y21Э
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером
См. также в других словарях:
Emitterschaltung — Die Grundschaltungen eines Verstärkers sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten Potential liegt. Im Falle eines Bipolartransistors ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Die… … Deutsch Wikipedia
Emitterschaltung — Emịtterschaltung, Grundschaltung des Transistors, bei der die Eingangs und Ausgangsseite des Vierpols auf den Emitteranschluss bezogen sind. Die Emitterschaltung ergibt eine sehr hohe Leistungsverstärkung, resultierend aus hoher Spannungs und… … Universal-Lexikon
Emitterschaltung — bendraemiteris tranzistoriaus jungimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. common emitter connection vok. Emittergrundschaltung, f; Emitterschaltung, f rus. включение транзистора по схеме с общим эмиттером, n pranc. connexion de… … Automatikos terminų žodynas
Gleichstromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės nuolatinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter direct current gain vok. Gleichstromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Stromverstärkungsfaktor eines Bipolartransistors in Emitterschaltung — bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. grounded emitter current gain vok. Stromverstärkungsfaktor eines Bipolartransistors in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
inverser Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung — apgrąžinis bendraemiterės tranzistoriaus grandinės srovės stiprinimo koeficientas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. inverse grounded emitter current gain vok. inverser Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung, m rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Basisschaltung — Die Grundschaltungen eines Verstärkers sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten Potential liegt. Im Falle eines Bipolartransistors ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Die… … Deutsch Wikipedia
Emitterfolger — Die Grundschaltungen eines Verstärkers sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten Potential liegt. Im Falle eines Bipolartransistors ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Die… … Deutsch Wikipedia
Kollektorschaltung — Die Grundschaltungen eines Verstärkers sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten Potential liegt. Im Falle eines Bipolartransistors ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Die… … Deutsch Wikipedia
Source-Folger — Die Grundschaltungen eines Verstärkers sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten Potential liegt. Im Falle eines Bipolartransistors ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Die… … Deutsch Wikipedia
Sourcefolger — Die Grundschaltungen eines Verstärkers sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten Potential liegt. Im Falle eines Bipolartransistors ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Die… … Deutsch Wikipedia