-
21 compound-semiconductor body
1) Электроника: подложка из п-п соединения2) Микроэлектроника: подложка из полупроводникового соединенияУниверсальный англо-русский словарь > compound-semiconductor body
-
22 compound-semiconductor device
1) Электроника: прибор на основе п/п соединения2) Микроэлектроника: прибор на основе полупроводникового соединенияУниверсальный англо-русский словарь > compound-semiconductor device
-
23 compound-semiconductor interface
1) Электроника: граница раздела между п-п соединениями2) Микроэлектроника: граница раздела между проводниковыми соединениямиУниверсальный англо-русский словарь > compound-semiconductor interface
-
24 compound semiconductor crystal
English-Russian electronics dictionary > compound semiconductor crystal
-
25 compound semiconductor crystal
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > compound semiconductor crystal
-
26 compound semiconductor material
материал на основе п/п соединенияEnglish-Russian dictionary of microelectronics > compound semiconductor material
-
27 compound-semiconductor body
English-Russian dictionary of microelectronics > compound-semiconductor body
-
28 compound-semiconductor device
прибор на основе п/п соединенияEnglish-Russian dictionary of microelectronics > compound-semiconductor device
-
29 compound-semiconductor interface
English-Russian dictionary of microelectronics > compound-semiconductor interface
-
30 compound semiconductor solar cell
English-Russian solar energy dictionary > compound semiconductor solar cell
-
31 compound-semiconductor body
body paper — подложка, субстрат; бумага-основа
English-Russian big polytechnic dictionary > compound-semiconductor body
-
32 compound-semiconductor device
прибор на основе п/п соединенияtunnel effect device — туннельный прибор; туннельный элемент
fail-safe device — безаварийное устройство; надёжный прибор
English-Russian big polytechnic dictionary > compound-semiconductor device
-
33 compound-semiconductor interface
English-Russian big polytechnic dictionary > compound-semiconductor interface
-
34 compound semiconductor crystal
English-Russian dictionary of electronics > compound semiconductor crystal
-
35 ii-vi compound semiconductor
п/п соединение типа AII BVIcompound semiconductor — п/п соединение
English-Russian big polytechnic dictionary > ii-vi compound semiconductor
-
36 AIIIBV (compound )semiconductor
полупроводниковое соединение АIIIВV, сложный полупроводникАнгло-русский словарь технических терминов > AIIIBV (compound )semiconductor
-
37 AIIIBV (compound )semiconductor
полупроводниковое соединение АIIIВV, сложный полупроводникАнгло-русский словарь технических терминов > AIIIBV (compound )semiconductor
-
38 ii-vi compound semiconductor
Электроника: п/п соединение типа AII BVIУниверсальный англо-русский словарь > ii-vi compound semiconductor
-
39 iii-v compound semiconductor
Микроэлектроника: интерметаллидУниверсальный англо-русский словарь > iii-v compound semiconductor
-
40 ii-vi compound semiconductor
п/п соединение типа AII BVIEnglish-Russian dictionary of microelectronics > ii-vi compound semiconductor
См. также в других словарях:
Compound semiconductor — A compound semiconductor is a semiconductor compound composed of elements from two or more different groups of the periodic table [1]. These semiconductors typically form in groups 13 16 (old groups III VI), for example of elements from group 13… … Wikipedia
compound semiconductor — sudėtinis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. compound semiconductor vok. Verbindhalbleiter, m; Verbindungshalbleiter, m; zusammengesetzter Halbleiter, m rus. сложный полупроводник, m pranc. semi conducteur composé, m … Automatikos terminų žodynas
compound semiconductor — sudėtinis puslaidininkis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. compound semiconductor vok. Verbindhalbleiter, m; Verbindungshalbleiter, m; zusammengesetzter Halbleiter, m rus. сложный полупроводник, m pranc. semi conducteur composé, m … Fizikos terminų žodynas
compound-semiconductor interface — skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми… … Radioelektronikos terminų žodynas
compound-semiconductor device — sudėtinio puslaidininkio įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor device vok. Verbindungshalbleiterbaustein, m rus. прибор на основе полупроводникового соединения, m pranc. dispositif à la base de semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
compound-semiconductor body — sudėtinio puslaidininkio padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor body vok. Verbindungshalbleitersubstrat, n rus. подложка из полупроводникового соединения, f pranc. substrat en semi conducteur composé … Radioelektronikos terminų žodynas
AlIIIBlV compound semiconductor — Al{III}Bl{V} puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Al{III}Bl{V} compound semiconductor vok. Al{III}Bl{V} Halbleiter, m rus. полупроводник типа Al{III}Bl{V}, m pranc. semi conducteur type Al{III}Bl{V}, m … Radioelektronikos terminų žodynas
group AlIIIBlV compound semiconductor material — puslaidininkinis Al{III}Bl{V} junginys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. group Al{III}Bl{V} compound semiconductor material vok. Al{III}Bl{V} Verbindung, f rus. полупроводниковое соединение типа Al{III}Bl{V}, n pranc. composé… … Radioelektronikos terminų žodynas
AlIIBlVI compound semiconductor — Al{II}Bl{VI} puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Al{II}Bl{VI} compound semiconductor vok. Al{II}Bl{VI} Halbleiter, m; Al{II}Bl{VI} Verbindung, f rus. полупроводниковое соединение типа Al{II}Bl{VI}, n pranc. semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
Semiconductor device — Semiconductor devices are electronic components that exploit the electronic properties of semiconductor materials, principally silicon, germanium, and gallium arsenide. Semiconductor devices have replaced thermionic devices (vacuum tubes) in most … Wikipedia
Semiconductor device fabrication — Semiconductor manufacturing processes 10 µm 1971 3 µm 1975 1.5 µm 1982 … Wikipedia