Molekularstrahlepitaxie

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• Molekularstrahlepitaxie — (englisch molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um Kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen. Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter anderem um Einkristalline Strukturen [1]… …   Deutsch Wikipedia

• Silizium-Molekularstrahlepitaxie — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Allotaxie — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um …   Deutsch Wikipedia

• OMBE — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um …   Deutsch Wikipedia

• IBAD — Die Ionenstrahlgestüzte Deposition, auch Ionenstrahlgestützte Beschichtung oder Ionenstrahlgestützte Beschichtungstechnik genannt (engl. ion beam assisted deposition, IBAD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der physikalischen… …   Deutsch Wikipedia

• Ionenstrahlgestützte Beschichtung — Die Ionenstrahlgestüzte Deposition, auch Ionenstrahlgestützte Beschichtung oder Ionenstrahlgestützte Beschichtungstechnik genannt (engl. ion beam assisted deposition, IBAD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der physikalischen… …   Deutsch Wikipedia

• Ionenstrahlgestützte Beschichtungstechnik — Die Ionenstrahlgestüzte Deposition, auch Ionenstrahlgestützte Beschichtung oder Ionenstrahlgestützte Beschichtungstechnik genannt (engl. ion beam assisted deposition, IBAD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der physikalischen… …   Deutsch Wikipedia

• 3,4,9,10-Perylentetracarbonsäuredianhydrid — Strukturformel Allgemeines Name PTCDA Andere Namen 3,4,9,10 Perylen tetracarbonsäure dianhydrid …   Deutsch Wikipedia

• AlGaAs — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… …   Deutsch Wikipedia

• Aluminium-Gallium-Arsenid — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… …   Deutsch Wikipedia

• Atomic Layer Deposition — Die Atomlagenabscheidung (engl. atomic layer deposition, ALD) ist ein stark verändertes CVD Verfahren zur Abscheidung von dünnen Schichten. Verschiedene Namen ein Prinzip, die Atomlagenabscheidung[1] Bezeichnung Abkürzung Atomic layer deposition… …   Deutsch Wikipedia