Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter

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• Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor transistor; MNOS transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor, m rus. полевой… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Struktur — metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor structure vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл нитрид оксид полупроводник, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Transistor mit selbsregelndem Gate — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate metal nitride oxide semiconductor transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Transistor …   Radioelektronikos terminų žodynas

• komplementäre Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Struktur — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• doppeldiffundierte Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Struktur — dvikartinės difuzijos metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal nitride oxide semiconductor structure; double diffused MNOS structure vok. doppeldiffundierte Metall… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• IGFET — Beispiel eines IGFET, hier n Kanal MOSFET Insulated gate field effect transistor (kurz: IGFET, dt. »Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate«) ist die Bezeichnung für eine Gruppe von Feldeffekttransistoren, bei denen der Stromfluss durch… …   Deutsch Wikipedia

• Isolierschicht-Feldeffekttransistor — Beispiel eines IGFET, hier n Kanal MOSFET Isolierschicht Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (englisch insulated gate field effect transistor, IGFET) ist die Bezeichnung für eine Gruppe von …   Deutsch Wikipedia

• MNOSFET — MNỌSFET   [Abkürzung von englisch metal nitride oxide semiconductor field effect transistor, »Metall Nitrid Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor«], ein Feldeffekttransistor in MIS Technik ( …   Universal-Lexikon

• MNOS transistor — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor transistor; MNOS transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor, m rus. полевой… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• metal-nitride-oxide-semiconductor transistor — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor transistor; MNOS transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor, m rus. полевой… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• metalo-nitrido-oksido-puslaidininkio lauko tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor transistor; MNOS transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор типа металл нитрид оксид полупроводник, m pranc …   Radioelektronikos terminų žodynas