MOS-Transistor-Schwellspannung

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• MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• Subthreshold Leakage — Bei subthreshold leakage (englisch, dt. ‚Unterschwellspannungsleckstrom‘) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… …   Deutsch Wikipedia

• Subthreshold leakage — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… …   Deutsch Wikipedia

• Unterschwellspannungsstrom — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… …   Deutsch Wikipedia

• Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… …   Deutsch Wikipedia

• Sperrschicht-Feldeffekttransistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… …   Deutsch Wikipedia

• Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• FinFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia