-
1 n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения
adjmicroel. n-Kanal Anreicherungs-MISFET, n-Kanal-Anreicherungs-MISFET, n-Kanal-Anreicherungstransistor, n-Kanal-AnreicherungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения
-
2 МДП-транзистор , работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. (со встроенным каналом) Depletion-FET, (со встроенным каналом) Depletion-MIS-Transistor, (со встроенным каналом) Depletion-MISFET, (со встроенным каналом) Feldeffekttransistor des Verarmungstyps, (со встроенным каналом) Transistor vom Verarmungstyp, (со встроенным каналом) Verarmungs-IFET, (со встроенным каналом) Verarmungs-MISFET, (со встроенным каналом) Verarmungstyp-IFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор , работающий в режиме обеднения
-
3 МДП-транзистор с индуцированным каналом
abbrmicroel. Anreicherungs-IFET, Anreicherungs-MISFET, Anreicherungstyp, Enhancement-FET, Enhancement-MIS-Transistor, Enhancement-MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с индуцированным каналом
-
4 МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа
abbrmicroel. n-Kanal Anreicherungs-MISFET, n-Kanal-Anreicherungs-MISFET, n-Kanal-Anreicherungstransistor, n-Kanal-AnreicherungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа
-
5 МДП-транзистор с обеднением канала
abbrmicroel. Depletion-FET, Depletion-MIS-Transistor, Depletion-MISFET, Feldeffekttransistor des Verarmungstyps, Transistor vom Verarmungstyp, Verarmungs-IFET, Verarmungs-MISFET, Verarmungstyp-IFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с обеднением канала
-
6 МДП-транзистор с обогащением канала
abbrmicroel. Anreicherungs-IFET, Anreicherungs-MISFET, Anreicherungstyp, Enhancement-FET, Enhancement-MIS-Transistor, Enhancement-MISFET, Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps, Transistor vom AnreicherungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с обогащением канала
-
7 МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. n-Kanal-Depletion-FET, n-Kanal-Depletion-MIS-FET, n-Kanal-Depletion-MISFET, n-Kanal-Verarmungs-IFET, n-Kanal-Verarmungs-MISFET, n-Kanal-VerarmungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа, работающий в режиме обеднения
-
8 МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения
abbrmicroel. Anreicherungs-IFET, Anreicherungs-MISFET, Anreicherungstyp, Enhancement-FET, Enhancement-MIS-Transistor, Enhancement-MISFET, Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps, Transistor vom AnreicherungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения
-
9 Metal Insulator Silicon Field-Effect Transistor
microel. MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > Metal Insulator Silicon Field-Effect Transistor
-
10 Metal-Insulator-Semiconductor FET
abbr. MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > Metal-Insulator-Semiconductor FET
-
11 n-канальный МДП-транзистор
adjmicroel. n-Kanal-MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > n-канальный МДП-транзистор
-
12 p-канальный МДП-транзистор
Универсальный русско-немецкий словарь > p-канальный МДП-транзистор
-
13 МДП-транзистор
abbr1) eng. MIS-Transistor2) brit.engl. Insulated Gate FET, Metal-Insulator-Semiconductor FET3) microel. EFET, Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode, IFET, IGFET, Insulated Gate Field-Effect Transistor, Isolierschicht-FET, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, MISFET, Metal Insulator Silicon Field-Effect Transistor, integrierter MIS-Transistor -
14 МДП-транзистор с каналом n-типа
abbrmicroel. n-Kanal-MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с каналом n-типа
-
15 МДП-транзистор с каналом p-типа
Универсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с каналом p-типа
-
16 МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. p-Kanal-Verarmungs-MISFET, p-Kanal-VerarmungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обеднения
-
17 МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения
abbrmicroel. p-Kanal-Anreicherungs-MISFET, p-Kanal-AnreicherungstransistorУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с каналом p-типа, работающий в режиме обогащения
-
18 МДП-транзистор с каналом р-типа
abbrmicroel. p-Kanal-Isolierschicht-FET, p-Kanal-MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с каналом р-типа
-
19 МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения
abbrmicroel. p-Kanal-Verarmungs-MISFET, p-Kanal-VerarmungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обеднения
-
20 МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения
abbrmicroel. p-Kanal-Anreicherungs-MISFET, p-Kanal-Anreicherungstransistor, p-Kanal-AnreicherungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с каналом р-типа, работающий в режиме обогащения
- 1
- 2
См. также в других словарях:
MISFET — MISFET, Halbleitertechnik: Feldeffekttransistor … Universal-Lexikon
MISFET — A MISFET is a metal–insulator–semiconductor field effect transistor.[1][2][3] MISFET is a more general term than MOSFET. All MOSFETs are MISFETs, but not all MISFETs are MOSFETs. The insulator in a MISFET is a dielectric which can be silicon… … Wikipedia
MISFET — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
MISFET — Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor (Academic & Science » Electronics) … Abbreviations dictionary
MISFET — Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor ( > IEEE Standard Dictionary ) … Acronyms
MISFET — Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor ( > IEEE Standard Dictionary ) … Acronyms von A bis Z
Drain — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… … Deutsch Wikipedia
Feldeffekttransistor — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… … Deutsch Wikipedia
Feldeffekttransistoren — oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart Elektronen oder Löcher bzw.… … Deutsch Wikipedia
Transistoren — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
Transistortechnik — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… … Deutsch Wikipedia
