MIS-Halbleiterbauelement

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• Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… …   Deutsch Wikipedia

• IGBT — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… …   Deutsch Wikipedia

• Igbt — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… …   Deutsch Wikipedia

• Insulated Gate Bipolar Transistor — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… …   Deutsch Wikipedia

• Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode — Schaltzeichen der vier IGBT Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (englisch insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es… …   Deutsch Wikipedia

• CCD-Sensor — Hochempfindlicher CCD Sensor für die Astronomie CCD Sensoren sind lichtempfindliche elektronische Bauelemente, die auf dem inneren Photoeffekt beruhen. CCD ist hierbei die Abkürzung von Charge coupled Device, welches im CCD Sensor ebenfalls… …   Deutsch Wikipedia

• CCD — 〈Abk. für engl.〉 Charge Coupled Device (ladungsgekoppeltes Bauelement), als Bildsensor u. Strahlungsempfänger eingesetztes Ladeverschiebeelement (bei Videokameras) * * * I CCD   [Abk. für Charge Coupled Device, dt. »ladungsgekoppeltes… …   Universal-Lexikon

• CID —   [sɪaɪ di], Abkürzung für englisch charge injection device, deutsch »Ladungsinjektionsbauelement«, ein dem CCD ähnliches Halbleiterbauelement, in dem eine Ladungsspeicherung bei Auftreffen von Licht in den MIS Feldeffekttransistor Strukturen… …   Universal-Lexikon