-
1 Gesamtverlustleistung
постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе.
Обозначение
P
Ptot
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- total input power (d.c.) to all electrodes
DE
FR
- puissance totale d’entrée (continue) de toutes les électrodes
рассеиваемая мощность ФЭПП
Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения.
Обозначение
P
Ptot
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Gesamtverlustleistung
E. Total input power (d.c.) to all electrodes
F. Puissance totale d’entrée (continúe) de toutes les electrodes
Р
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gesamtverlustleistung
-
2 Gesamtverlustleistung
сущ.микроэл. общая рассеиваемая мощность, суммарная мощность потерь (напр. тиристора), полная рассеиваемая мощность (транзистора)Универсальный немецко-русский словарь > Gesamtverlustleistung
-
3 Gesamtverlustleistung
(f)полная мощность потерьDeutsch-Russische Wörterbuch von Messgeräten > Gesamtverlustleistung
См. также в других словарях:
Filterlüfter — bestehen aus der Kombination eines Lüfters (Ventilators) und eines Staubfilters (Luftfilter). Sie werden zu Kühlung von Gehäusen mit elektronischen Komponenten, insbesondere zu Kühlung von Schaltschränken eingesetzt. Bei höheren Anforderungen an… … Deutsch Wikipedia
Lawinendurchbruch — Der Lawinendurchbruch, auch Avalanche Durchbruch genannt, ist eine der drei Durchbruchsarten bei Halbleiterbauelementen. Unter einem Durchbruch eines p n Übergangs versteht man den steilen Anstieg des Stroms bei einer bestimmten Sperrspannung,… … Deutsch Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора — Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе. Обозначение P Ptot [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN total input power (d.c.) to all electrodes DE Gesamtverlustleistung FR puissance totale d’entrée… … Справочник технического переводчика
рассеиваемая мощность ФЭПП — Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения. Обозначение P Ptot [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN total power… … Справочник технического переводчика
Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора — 61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Gesamtverlustleistung E. Total input power (d.c.) to all electrodes F. Puissance totale d’entrée (continúe) de toutes les electrodes Р Суммарное значение постоянной мощности,… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
