Gate-Source-Durchbruch-Spannung

См. также в других словарях:

• пробивное напряжение затвора — Напряжение пробоя затвор исток при замкнутых стоке и истоке. Обозначение UЗпроб U(BR)GSS [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN gate source breakdown voltage (with drain short circuited to source) DE Gate Source Durchbruch Spannung …   Справочник технического переводчика

• Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… …   Deutsch Wikipedia

• Miniaturisierung: Von der Elektronenröhre zum Mikrochip —   Das sicherlich den meisten Menschen am besten vertraute Beispiel einer fortwährenden Miniaturisierung von Bauteilen ist die Mikroelektronik und hier vor allem die Computertechnik.   Komplizierte oder langwierige Berechnungen durch mechanische… …   Universal-Lexikon

• MISFET — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… …   Deutsch Wikipedia

• Transistoren — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… …   Deutsch Wikipedia

• Transistortechnik — Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der… …   Deutsch Wikipedia

• DMOS — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (engl. Power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das… …   Deutsch Wikipedia

• Power MOSFET — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (engl. Power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das… …   Deutsch Wikipedia

• Leistungs-MOSFET — Zwei Leistungs MOSFETs im SMD Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs MOSFET (englisch power MOSFET) ist eine spezialisierte Version eines Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistors (MOSFET), der… …   Deutsch Wikipedia

• Integrierter Schaltkreis — Integrierter Schaltkreis. Das Chip Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen… …   Deutsch Wikipedia