-
1 Gate-Drain-Spannung
напряжение затвор-сток
-
Обозначение
UЗС
UGD
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- gate-drain (d. c.) voltage
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gate-Drain-Spannung
-
2 Gate-Drain-Spannung
-
3 Gate-Drain-Spannung
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Gate-Drain-Spannung
-
4 maximal zulässige Gate-Drain-Spannung
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Gate-Drain-Spannung
-
5 gate-drain (d. c.) voltage
напряжение затвор-сток
-
Обозначение
UЗС
UGD
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- gate-drain (d. c.) voltage
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate-drain (d. c.) voltage
-
6 maximum gate-drain voltage
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum gate-drain voltage
-
7 gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
ток отсечки затвора
Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток.
Обозначение
IЗотс
IGSX
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
- gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
DE
FR
- courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
-
8 Gate-Source-Durchbruch-Spannung
пробивное напряжение затвора
Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
Обозначение
UЗпроб
U(BR)GSS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gate-Source-Durchbruch-Spannung
-
9 gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)
пробивное напряжение затвора
Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
Обозначение
UЗпроб
U(BR)GSS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)
-
10 Drain-Gate-Spannung
-
11 Drain-Gate-Spannung
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Drain-Gate-Spannung
-
12 tension grille-drain maximale
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension grille-drain maximale
-
13 tension (continue) grille-drain
напряжение затвор-сток
-
Обозначение
UЗС
UGD
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- gate-drain (d. c.) voltage
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension (continue) grille-drain
-
14 Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung
ток отсечки затвора
Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток.
Обозначение
IЗотс
IGSX
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
- gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
DE
FR
- courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung
-
15 courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
ток отсечки затвора
Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток.
Обозначение
IЗотс
IGSX
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
- gate cut-off current (of a field effect transistor) with specified drain-source circuit conditions
DE
FR
- courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source spécifiées
-
16 tension de claquage grille-source
пробивное напряжение затвора
Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
Обозначение
UЗпроб
U(BR)GSS
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de claquage grille-source
См. также в других словарях:
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Floating Gate — Ein Floating Gate Transistor ist ein spezieller Transistor, welcher in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationspeicherung eingesetzt wird. Er wurde 1967 von D. Kahng und S.M. Sze in den Bell Laboratories entwickelt [1] und stellt in … Deutsch Wikipedia
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Floating-Gate-Transistor — Ein Floating Gate Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationspeicherung eingesetzt wird. Er wurde 1967 von Dawon Kahng und S.M. Sze in den Bell Laboratories entwickelt [1] und stellt in… … Deutsch Wikipedia
максимально допустимое напряжение затвор-сток — Обозначение UЗСmax UGDmax [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN maximum gate drain voltage DE maximal zulässige Gate Drain Spannung FR tension grille drain maximale … Справочник технического переводчика
напряжение затвор-сток — Обозначение UЗС UGD [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN gate drain (d. c.) voltage DE Gate Drain Spannung FR tension (continue) grille drain … Справочник технического переводчика
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
FinFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
