Gate-Drain-Kapazität

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• Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• High-k+Metal-Gate-Technik — Schematischer Querschnitt durch den Gate Aufbau eines Transistors in High k+Metal Gate Technik Die High k+Metal Gate Technik (HKMG Technik) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen speziellen Aufbau von Metall Isolator Halbleiter… …   Deutsch Wikipedia

• Miller-Effekt — Als Millereffekt wird der Einfluss der Rückkopplungskapazität bei einem invertierenden Verstärker bezeichnet. Invertierende Verstärker sind im einfachsten Fall Transistoren in Emitter bzw. Source Schaltung. Die immer vorhandene parasitäre… …   Deutsch Wikipedia

• Millerkapazität — Als Millereffekt wird der Einfluss der Rückkopplungskapazität bei einem invertierenden Verstärker bezeichnet. Invertierende Verstärker sind im einfachsten Fall Transistoren in Emitter bzw. Source Schaltung. Die immer vorhandene parasitäre… …   Deutsch Wikipedia

• Millereffekt — Als Millereffekt wird die Vergrößerung der Eingangskapazität eines invertierenden Verstärkers bezeichnet, die aufgrund der effektiven Verstärkung der Kapazität zwischen Ein und Ausgang dieses Verstärkers auftritt. Dieser Effekt ist meist störend …   Deutsch Wikipedia

• емкость затвор-сток — Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. Обозначение Cзсо Cgdo [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN gate drain capacitance DE Gate Drain Kapazität FR capacité grille drain …   Справочник технического переводчика

• Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… …   Deutsch Wikipedia

• Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• FinFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

• MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia